APT4M120K
1200V ，4A， 4.00Ω最大
N沟道MOSFET
功率MOS 8
是一个高速，高电压的N沟道开关模式功率MOSFET。
一个专有的平面条形设计产量出色的可靠性和可制造性。低
开关损耗，实现低输入电容和超低低C
RSS
"Miller"电容
距离。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容
帮助控制转换速率切换过程中，从而导致低EMI和可靠并联，
即使在非常高的频率切换。在反激式的可靠性，提升，前进，
其它电路是由高雪崩能量的能力增强。
TO-220
APT4M120K
单芯片MOSFET
D
G
S
特点
快速，低EMI / RFI开关
低R
DS （ ON）
超低低C
RSS
为提高抗干扰
低栅极电荷
额定雪崩能量
符合RoHS
典型应用
PFC等升压转换器
降压转换器
双开关正激（非对称桥）
单开关正激
反激式
逆变器
绝对最大额定值
符号
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
参数
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
栅源电压
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流，重复或不重复
1
评级
4
3
15
±30
310
2
单位
A
V
mJ
A
热和机械特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θ
CS
T
J
,T
英镑
T
L
W
T
特征
总功率耗散@ T
C
= 25°C
结到外壳热阻
案件散热器的热阻，平面，脂表面
工作和存储结温范围
焊接温度为10秒（从案例1.6毫米）
包装重量
0.22
6.2
10
1.1
-55
0.11
150
300
民
典型值
最大
225
0.56
单位
W
° C / W
°C
oz
g
·在磅
N·m的
12-2006
050-8103
REV A
力矩
安装扭矩（ TO- 220封装） ， 6-32或M3螺丝
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
静态特性
符号
V
BR （ DSS ）
V
BR （ DSS ）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
GS
= 0V
,
I
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 250A
V
GS
= 10V
,
I
D
= 2A
APT4M120K
典型值
1.41
3.32
4
-10
最大
单位
V
V /°C的
V
毫伏/°C的
A
nA
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度COEF网络cient
漏源导通电阻
3
门源阈值电压
阈值电压温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
民
1200
V
GS
= V
DS
,
I
D
= 1毫安
V
DS
= 1200V
V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
3
4.00
5
100
500
±100
V
GS
= ±30V
动态特性
符号
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
C
O（ CR ）
C
O（ ER ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
4
T
J
= 25 ° C除非另有规定编
测试条件
V
DS
= 50V
,
I
D
= 2A
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
参数
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
有效的输出电容，相关负责
民
典型值
4.5
1385
17
100
40
最大
单位
S
pF
5
V
GS
= 0V
,
V
DS
= 0V至800V
有效的输出电容，能源相关
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
V
GS
= 0至10V
,
I
D
= 2A,
V
DS
= 600V
电阻开关
V
DD
= 800V
,
I
D
= 2A
R
G
= 4.7
6
,
V
GG
= 15V
20
43
7
20
7.4
4.4
24
6.9
nC
ns
源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv / dt的
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
1
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
山顶恢复的dv / dt
测试条件
MOSFET符号
展示
整体逆转的p-n
结二极管
（体二极管）
民
D
典型值
最大
4
单位
A
G
S
3
15
1.0
1150
16
10
V
ns
C
V / ns的
I
SD
= 2A
,
T
J
= 25 ° C，V
GS
= 0V
I
SD
= 2A ，V
DD
= 100V
di
SD
/
DT = 100A / μs的，T
J
= 25°C
I
SD
≤ 2A ， di / dt的≤1000A /微秒，V
DD
= 800V,
T
J
= 125°C
1重复额定值：脉冲宽度和温度的情况下，通过限制最高结温。
2开始在T
J
= 25℃时，L = 155.0mH中，R
G
= 4.7, I
AS
= 2A.
3脉冲测试：脉冲宽度< 380μs ，占空比< 2 ％ 。
4 C
O（ CR ）
是德网络定义为一个固定电容用相同的存储电荷为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
.
5 C
O（ ER ）
是德网络定义为一个固定电容具有相同储存的能量为C
OSS
随着V
DS
的V = 67 ％
（ BR ） DSS
。为了计算
O（ ER ）
为任意值
12-2006
V
DS
小于V
（ BR ） DSS ，
使用这个公式：C
O（ ER ）
= -6.30E -8 / V
DS
^ 2 + 7.65E - 9 / V
DS
+ 1.09E-11.
6 R
G
是外部栅极电阻，不包括内部栅极电阻或栅极驱动器阻抗。 （ MIC4452 ）
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
050-8103
REV A
20
10
I
D
，漏电流（ A）
20
10
I
D
，漏电流（ A）
I
DM
APT4M120K
13s
I
DM
RDS （ ON）
13s
1
RDS （ ON）
100s
1ms
1
T
J
=
150°C
T
C
=
25°C
100s
1ms
10ms
100ms
DC线
10ms
0.1
T
J
=
125°C
T
C
=
75°C
100ms
DC线
1
10
100
1200
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图9 ，正向安全工作区
0.1
缩放为不同的案例&结
温度：
I
D
=
I
D（ T为25
°
C)
*(
T
J
-
T
C
)/125
C
10
100
1200
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图10 ，最大正向安全工作区
1
T
J
(°C)
0.239
耗散功率
（瓦特）
0.0025
0.124
T
C
(°C)
0.323
Z
EXT
是外热
阻抗：案例下沉，
下沉到环境等设置为
只有建模时零
的情况下结。
图11 ，瞬态热阻抗模型
0.60
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
D = 0.9
0.7
0.5
Z
EXT
注意：
PDM
t1
t2
0.3
单脉冲
0.1
0.05
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
1
=脉冲持续时间
t
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图12.最大有效瞬态热阻抗结到外壳与脉冲持续时间
10
-4
1.0
TO- 220 （ K）封装外形
E3 100 ％锡镀
1.39 (.055)
0.51 (.020)
10.66 (.420)
9.66 (.380)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
6.85 (.270)
5.85 (.230)
漏
12.192 (.480)
9.912 (.390)
3.42 (.135)
2.54 (.100)
4.08 （ 0.161 ）直径。
3.54 (.139)
3.683 (.145)
马克斯。
12-2006
0.50 (.020)
0.41 (.016)
2.92 (.115)
2.04 (.080)
4.82 (.190)
3.56 (.140)
14.73 (.580)
12.70 (.500)
门
漏
来源
1.77 （ 0.070 ）， 3 -的PLC。
1.15 (.045)
1.01 （ 0.040 ）， 3 -的PLC。
0.83 (.033)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
050-8103
REV A
尺寸以毫米（英寸）
Microsemi的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786
5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
