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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1157页 > ADG509F
a
特点
低导通电阻（典型值300 ）
快速开关时间
t
ON
250 ns（最大值）
t
关闭
250 ns（最大值）
低功耗（ 3.3毫瓦最大）
故障和过压保护（ -40 V至+55 V）
关闭所有开关与电源OFF
在通道钳位的模拟输出功率范围内
耗材如果发生过压
闩锁防建设
先断后建设
TTL和CMOS兼容输入
应用
现有的多路复用器应用程序（故障保护
和Nonfault保护）
新设计要求复用器的功能
概述
4/8通道故障保护
模拟多路复用器
ADG508F/ADG509F/ADG528F*
功能方框图
ADG508F/ADG528F
S1
S1A
DA
S4A
D
S1B
DB
S8
ADG528F
只
WR
RS
1第8
解码器
S4B
1 4
解码器
ADG509F
A0 A1 A2 EN
A0 A1 EN
2.在通道关闭时存在故障。
3.低R
ON 。
4.快速开关时间。
5.先开后合式开关。
交换机可以保证先开后合做，使输入
信号免受瞬时短路。
6.沟槽隔离消除闩锁。
电介质沟道分开的p和n沟道MOSFET
从而防止闩锁。
订购指南
该ADG508F ， ADG509F和ADG528F均为CMOS模拟
多路复用器，该ADG508F和ADG528F包括八
单声道和ADG509F包括四个差分
通道。这些多路复用器提供故障保护。利用
串联n沟道， p沟道， n沟道MOSFET结构，
器件和信号源保护的情况下提供
过压或功率损耗。多路复用器可以承受
-40 V至+55 V.连续过压输入时
故障的条件下，多路转换器的输入（或输出）表现为
开路和漏电流只有几nA
流动。这不仅保护多路复用器和所述电路
由多路转换器驱动的，但也可以保护传感器或信号
源驱动多路复用器。
该ADG508F和ADG528F切换八个输入一至
作为由3位二进制地址线确定的公共输出端
A0，A1和A2中。该ADG509F切换4路差分1
输入至公共差分输出如由2-确定
位二进制地址线A0和A1 。该ADG528F具有片
地址和控制锁存器有利于微处理器接口
面对。一个EN输入的每个设备上，用来使能或禁用
该设备。禁用时，所有通道被关闭。
产品亮点
模型
1
ADG508FBN
ADG508FBRN
ADG508FBRW
ADG508FTQ
ADG509FBN
ADG509FBRN
ADG509FBRW
ADG509FTQ
ADG528FBN
ADG528FBP
ADG528FTQ
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
封装选项
2
N-16
R-16N
R-16W
Q-16
N-16
R-16N
R-16W
Q-16
N-18
P-20A
Q-18
1.故障保护。
该ADG508F / ADG509F / ADG528F可以承受CON-
-40 V至+55 V.当一个故障连续的电压输入
发生由于电源被关闭时，所有的
信道被关闭，几只有漏电流
纳安流动。
*专利申请中。
笔记
1
如需订购MIL -STD - 883 ， B类加工零件，添加/ 883B到T级部分
号。
2
N =塑料DIP ; P =塑料有引线芯片载体（ PLCC ） ; Q = CERDIP ;
RN = 0.15"小外形集成电路（ SOIC ） ， RW = 0.3"小外形集成电路（ SOIC ） 。
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 1998年
ADG508F/ADG509F/ADG528F–SPECIFICATIONS
1
双电源
(V
DD
=
+15 V
10%, V
SS
= –15 V
的10％ ，GND = 0V，除非另有说明）
T版
-55 ℃
+25 C +125 C
V
SS
+ 3
V
DD
– 1.5
400
450
0.6
5
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
B版本
-40 ℃
+25 C +85 C
V
SS
+ 3
V
DD
– 1.5
350
400
单位
V分钟
V最大
典型值
测试条件/评论
300
300
R
ON
漂移
R
ON
MATCH
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
ADG508F/ADG528F
ADG509F
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG508F/ADG528F
ADG509F
故障
输出漏电流
（具有过压）
输入漏电流
（具有过压）
输入漏电流
（带电源OFF）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
t
开放
t
ON
（ EN ，
WR ）
t
关闭
（ EN ，
RS）
t
SETT
，稳定时间
0.1%
0.01%
ADG528F只有
t
W
，写脉宽
t
S
，地址，启用设置时间
t
H
，地址，使能保持时间
t
RS
，复位脉冲宽度
电荷注入
关断隔离
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG508F/ADG528F
ADG509F
电源要求
I
DD
I
SS
0.6
5
±
0.02
±
1
±
0.04
±
1
±
1
±
0.04
±
1
±
1
±
50
±
60
±
30
±
60
±
30
-10 V < V
S
< +10 V，I
S
= 1毫安;
V
DD
= +15 V
±
10%, V
SS
= –15 V
±
10%
最大
-10 V < V
S
< +10 V，I
S
= 1毫安;
V
DD
= +15 V
±
5%, V
SS
= –15 V
±
5%
％/℃典型值V
S
= 0 V，I
S
= 1毫安
％最大
V
S
= 0 V，I
S
= 1毫安
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
V
D
=
±
10 V, V
S
=
测试电路2
V
D
=
±
10 V, V
S
=
测试电路3
V
S
= V
D
=
±
10 V;
测试电路4
V
S
=
±
33 V, V
D
= 0 V ，测试电路3
V
S
=
±
25 V, V
D
=
10 V ，测试电路5
10 V;
10 V;
±
0.02
±
1
±
0.04
±
1
±
1
±
0.04
±
1
±
1
±
0.02
±
2
±
0.005
±
2
±
0.001
±
2
±
50
±
200
±
100
±
200
±
100
±
0.02
±
2
±
2
±
0.005
±
2
±
0.001
±
2
2.4
0.8
±
1
5
200
300
50
25
200
250
200
250
V
S
=
±
25 V, V
D
= V
EN
= A 0 ，A 1， A 2 = 0V
测试电路6
2.4
0.8
±
1
5
200
300
50
25
200
250
200
250
V分钟
V最大
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
s
典型值
s
典型值
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
分贝分钟
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
V
IN
= 0或V
DD
400
10
400
400
1
2.5
400
10
400
400
1
2.5
R
L
= 1 MΩ ，C
L
= 35 pF的;
V
S1
=
±
10 V, V
S8
= 10 V ;测试电路7
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路8
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路9
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路9
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的;
V
S
= +5 V
100
120
100
10
100
100
200
100
10
100
4
68
50
5
50
25
0.1
0.1
0.2
0.1
4
68
50
5
50
25
0.1
0.1
0.2
0.1
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;测试电路12
R
L
= 1千欧，C
L
= 15 PF， F = 100千赫;
V
S
= 7 V均方根值;测试电路13
最大mA
最大mA
V
IN
= 0 V或5 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C ; T版： -55 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本C
ADG508F/ADG509F/ADG528F
表一ADG508F真值表
A2
X
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
X
0
1
0
1
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
1
1
1
1
ON开关
无
1
2
3
4
5
6
7
8
A1
X
0
0
1
1
A0
X
0
1
0
1
表II中。 ADG509F真值表
EN
0
1
1
1
1
ON开关对
无
1
2
3
4
X =无关
X =无关
表Ⅲ。 ADG528F真值表
A2
X
X
X
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
X
X
X
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
X
X
X
0
1
0
1
0
1
0
1
EN
X
X
0
1
1
1
1
1
1
1
1
WR
g
X
0
0
0
0
0
0
0
0
0
RS
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
ON
开关
保留了以前的交换机条件
NONE （地址和锁存使能清零）
无
1
2
3
4
5
6
7
8
X =无关
时序图（ ADG528F ）
3V
WR
0V
50%
50%
3V
RS
0V
50%
50%
t
W
t
S
t
H
3V
A0, A1, A2
EN
0V
2V
0.8V
t
RS
t
关闭
（RS） -
V
O
开关
产量
0V
0.8V
O
图1 。
图2中。
图1示出了用于闭锁开关的时序
解决和使能输入。锁存器是电平敏感; there-
脱颖而出，而
WR
保持低电平时，锁存器是透明的，
开关响应于所述地址和使能输入。该输入
数据被锁存的上升沿
WR 。
图2示出了复位脉冲宽度，叔
RS
和复位开启
关闭时间，t
关闭
（RS） 。
注：所有数字输入信号的上升和下降时间测量
从10 ％到90％ 3-五吨
R
= t
F
= 20纳秒。
版本C
–3–
ADG508F/ADG509F/ADG528F
绝对最大额定值*
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
ADG508F / ADG509F引脚配置
DIP / SOIC
DIP / SOIC
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+44 V
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+25 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-25 V
V
EN
, V
A
数字输入。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V到V
DD
+ 2 V或20 mA时，
以先到为准科幻RST
V
S
，模拟输入过压与电源。 。 。 。 。 V
SS
– 25 V
到V
DD
+ 40 V
V
S
，模拟输入过压关断电源
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 V至+55 V
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40毫安
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
扩展（T版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
CERDIP套餐
θ
JA
，热阻抗
16引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 76 ° C / W
18引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
塑料包装
θ
JA
，热阻抗
16引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 117℃
18引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 110℃
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 260℃
SOIC封装
θ
JA
，热阻抗
窄体。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 77 ° C / W
宽体。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
PLCC封装
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
*注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
A0
EN
V
SS
S1
S2
S3
S4
D
1
2
3
4
5
6
7
8
16 A1
15 A2
14 GND
13 V
DD
顶视图
（不按比例） 12 S5
11 S6
10 S7
9
S8
A0
EN
V
SS
S1A
S2A
S3A
S4A
DA
1
2
3
4
5
6
7
8
16 A1
15 GND
14 V
DD
13 S1B
顶视图
（不按比例） 12 S2B
11 S3B
10 S4B
9
DB
ADG508F
ADG509F
ADG528F引脚配置
DIP
PLCC
WR
NC
A0
RS
WR
A0
EN
V
SS
S1
S2
S3
S4
D
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
RS
17 A1
16 A2
EN 4
V
SS
5
S1 6
S2 7
S3 8
3
2
1
20 19
18 A2
A1
17 GND
16 V
DD
15 S5
14 S6
S7
ADG528F
15 GND
ADG528F
顶视图
（不按比例）
顶视图
14 V
DD
（不按比例）
13 S5
12 S6
11 S7
10 S8
9
S4
10 11 12 13
NC
S8
D
NC =无连接
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然这些器件具有专有ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
版本C
ADG508F/ADG509F/ADG528F
术语
典型性能图
最积极的供电潜力。
最负电源电位。
接地（ 0 V ）参考。
D和S之间的欧姆电阻
变化在研发
ON
当温度变化
由一摄氏度。
R
ON
–
2000
1750
1500
1250
1000
750
500
250
0
–15
V
DD
= +10V
V
SS
= –10V
V
DD
= +15V
V
SS
= –15V
–10
–5
0
5
V
D
(V
S
） - 伏
10
15
T
A
= +25 C
V
DD
V
SS
GND
R
ON
R
ON
漂移
R
ON
MATCH
I
S
（关闭）
I
D
（关闭）
I
D
, I
S
（上）
V
D
(V
S
)
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
C
IN
t
ON
（ EN ）
V
DD
= +5V
V
SS
= –5V
在R的区别
ON
任何两种
通道。
当开关是源漏电流
关。
漏极漏电流时，开关处于关闭状态。
当开关处于信道的泄漏电流
ON 。
在端D ，S模拟电压
通道的输入电容为“OFF”
条件。
信道的输出电容为“关”
条件。
“ON”的开关电容。
数字输入电容。
的50 ％和90％点之间的延迟时间
数字输入和开关“ON”时的
条件。
的50 ％和90％点之间的延迟时间
数字输入和开关“关”的
条件。
的50 ％和90％点之间的延迟时间
数字输入和开关“ON”
条件从一个地址转换时
状态到另一个状态。
测得的80 ％点之间的“关”的时间
无论从一个切换开关时，
解决状态到另一个状态。
最大输入电压为逻辑“0”。
最小输入电压为逻辑“ 1 ” 。
输入电流的数字输入。
耦合的无用信号的测量
通过一个“关”的通道。
衡量的毛刺脉冲传递
从数字输入到模拟输出
期间切换。
正电源电流。
负电源电流。
图3.导通电阻V的功能
D
(V
S
)
1m
100
V
DD
= 0V
V
SS
= 0V
V
D
= 0V
I
S
- 输入漏 - 一个
10
1
100n
10n
工作范围
1n
100p
10p
t
关闭
（ EN ）
t
过渡
1p
–50 –40 –30 –20 –10
0
10
20
30
V
IN
- 输入电压 - 伏特
40
50
60
t
开放
图4.输入漏电流为V的功能
S
（电源OFF ）在过压条件
V
INL
V
INH
I
INL
(I
INH
)
关断隔离
电荷注入
1m
100
I
D
- 输入漏 - 一个
10
1
V
DD
= +15V
V
SS
= –15V
V
D
= 0V
100n
10n
工作范围
1n
I
DD
I
SS
100p
10p
1p
–50 –40 –30
–20 –10
0
10
20
30
V
IN
- 输入电压 - 伏特
40
50
60
图5.输出漏电流为V的功能
S
（电源ON ）在过压条件
版本C
–5–
8-Channel/4-Channel
故障保护模拟多路复用器
ADG508F/ADG509F
特点
关闭所有开关与电源OFF
在通道钳位的模拟输出功率范围内
耗材如果发生过压
闩锁防建设
低导通电阻（ Ω 270典型值）
快速开关时间
t
ON
： 230 ns（最大值）
t
关闭
： 130 ns（最大值）
低功耗（ 3.3 mW最大）
故障和过压保护（ -40 V至+55 V）
突破前先建设
TTL和CMOS兼容输入
功能方框图
ADG508F
S1
D
S8
1第8
解码器
00035-001
应用
现有的多路复用器应用程序（包括故障保护和
nonfault保护的）
新设计要求复用器的功能
A0 A1 A2 EN
图1 。
ADG509F
S1A
DA
S4A
概述
该
ADG508F
和
ADG509F
是CMOS模拟多
路器，用
ADG508F
包括八个单声道
和
ADG509F
包括4个差分通道。这些
多路复用器提供故障保护。使用一系列n沟道，
P沟道， n沟道MOSFET结构，器件和信号
源保护过压的情况下提供或
功率损耗。多路复用器可以承受持续的过压
-40 V至+55 V.年龄的投入在故障条件
电源关闭时，多路转换器的输入（或输出）显示为
开路和漏电流只有几nA
将流动。这不仅保护多路复用器和所述电路
由多路转换器驱动的，但也可以保护传感器或信号
源驱动多路复用器。
该
ADG508F
开关的八个输入1至公共输出
作为由3位二进制地址线A0， A1和A2所确定的。
该
ADG509F
切换4路差分输入之一到
作为由2位二进制确定公共差分输出
地址线A0和A1 。提供EN输入，每个设备上使用
启用或禁用该设备。禁用时，所有通道都
关闭。
S1B
DB
S4B
1 4
解码器
00035-101
A0 A1 EN
图2中。
产品亮点
1.
故障保护。该
ADG508F/ADG509F
能承受
-40 V至+55 V.连续电压输入，当
出现故障是由于电源被关断时，所有
的信道被关断和一个只有一个泄漏电流
几nA流。
在渠道饱和，同时存在故障。
低R
ON
.
较快的开关速度。
先开后合式开关。开关是保证
突破前先使输入信号的保护
对瞬间短路。
沟槽隔离消除闩锁。电介质沟道
分离出p型和n沟道MOSFET ，从而
防止闩锁。
2.
3.
4.
5.
6.
牧师F
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ADG508F/ADG509F
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... .............. 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
双电源................................................ ................................... 3
真值表................................................ ................................... 4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ ................................... 5
引脚配置和功能描述.............................. 6
典型性能特征.............................................. 8
术语................................................. ................................... 10
工作原理............................................... ....................... 11
测试电路................................................ ..................................... 12
外形尺寸................................................ ....................... 15
订购指南................................................ .......................... 17
修订历史
7月11日 - 修订版。 E至版本F
删除ADG528F ................................................ ..............通用
更改功能科和概述部分。 1
更改规格第.............................................. 3 ....
删除时序图科.............................................. ... 4
更改表4 .............................................. .............................. 5
添加表5 ............................................... ..................................... 6
添加表6 ............................................... ..................................... 7
取代典型性能特性部分.............. 8
更改名词科.............................................. .... 10
图27和图28的变化........................................... .. 13
图31 ..............................................变化........................ 14
更改工作组.................................... 11理论
更新的外形尺寸............................................... ........ 15
更改订购指南.............................................. ............ 17
7月9日 - 修订版。 D：英文内容
更新格式................................................ ..................通用
新增TSSOP ................................................ .....................通用
更新的外形尺寸............................................... ........ 15
更改订购指南.............................................. ............ 18
从REV 4月1日，数据表发生变化。 C到REV 。 D.
更改订购指南.............................................. .............. 1
更改规格表.............................................. 2 ........
最高等级改变............................................... ....................... 4
删除的16引脚CERDIP从外形尺寸.................. 11
删除的18引脚CERDIP从外形尺寸.................. 12
修订版F | 20页2
ADG508F/ADG509F
特定网络阳离子
双电源
V
DD
= +15 V ± 10%, V
SS
=发-15V ± 10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
+25°C
V
SS
+ 1.4
V
DD
1.4
V
SS
+ 2.2
V
DD
– 2.2
270
B版本
-40 ° C至+ 85°C
单位
V典型值
V典型值
V典型值
V典型值
= （典型值）
=最大
％/℃ （典型值）
％最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
μA（最大值）
nA的典型值
μA（最大值）
nA的典型值
μA（最大值）
2.4
0.8
±1
5
175
220
90
60
180
230
100
130
V分钟
V最大
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
微秒（典型值）
微秒（典型值）
测试条件/评论
输出开路
输出装，以1mA
10 V ≤ V
S
≤ +10 V，I
S
= 1毫安;
V
DD
= +15 V ± 10%, V
SS
= 15 V ± 10%
见图21
V
S
= 0 V，I
S
= 1毫安
V
S
= -10 V，I
S
= -1毫安
V
D
= ±10 V, V
S
= +10 V;
见图22
V
D
= ±10 V, V
S
= +10 V;
见图23
V
S
= V
D
= ± 10 V;
见图24
R
ON
350
390
R
ON
漂移
导通电阻之间的匹配
渠道， ΔR
ON
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
ADG508F
ADG509F
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG508F
ADG509F
故障
源漏电流I
S
（ FAULT）
（具有过压）
漏极漏电流I
D
（ FAULT）
（具有过压）
源漏电流I
S
（ FAULT）
（电源关闭）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
1
t
过渡
t
开放
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
t
SETT
，稳定时间
0.1%
0.01%
0.6
3
±0.02
±1
±0.04
±1
±1
±0.04
±1
±1
±0.02
±2
±5
±2
±1
±2
±50
±60
±30
±60
±30
V
S
= 55 V或-40 V ，V
D
= 0 V ，见图25
V
S
= ±25 V, V
D
= 10 V，见图23
±2
V
S
= ±25 V, V
D
= V
EN
= A 0 ，A 1， A 2 = 0V
见图26
V
IN
= 0或V
DD
300
40
300
150
1
2.5
R
L
= 1 MΩ ，C
L
= 35 pF的;
V
S1
= ±10 V, V
S8
= 10 V ;参见图27
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的;
V
S
= 5 V ;参见图28
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的;
V
S
= 5 V ;参见图29
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的
V
S
= 5 V ;参见图29
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的;
V
S
= 5 V
修订版F |第20页3
ADG508F/ADG509F
参数
电荷注入
关断隔离
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG508F
ADG509F
电源要求
I
DD
I
SS
1
+25°C
15
93
3
22
12
0.05
0.1
B版本
-40 ° C至+ 85°C
单位
pC的典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图30
R
L
= 1千欧，C
L
= 15 PF， F = 100千赫; V
S
= 7 V均方根值;
参见图31
0.2
1
最大mA
μA（最大值）
V
IN
= 0 V或5 V
通过设计保证，不受生产测试。
真值表
表2中。
ADG508F
真值表
1
A2
X
0
0
0
0
1
1
1
1
1
A1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
X
0
1
0
1
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
1
1
1
1
ON开关
无
1
2
3
4
5
6
7
8
X =不在乎。
表3中。
ADG509F
真值表
1
A1
X
0
0
1
1
1
A0
X
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
ON开关对
无
1
2
3
4
X =不在乎。
修订版F |第20页4
ADG508F/ADG509F
绝对最大额定值
T
A
= 25_C除非另有说明。
表4 。
参数
V
DD
到V
SS
V
DD
到GND
V
SS
到GND
数字输入， EN ，斧
V
S
，模拟输入过压与
电源（ V
DD
= +15 V, V
SS
= 15 V)
V
S
，模拟输入过压与
关闭电源（V
DD
= 0 V, V
SS
= 0 V)
连续电流，S或D
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）
工作温度范围
工业（B版）
存储温度范围
结温
TSSOP
θ
JA
，热阻抗
塑料DIP封装
θ
JA
，热阻抗
16-Lead
SOIC封装
θ
JA
，热阻抗
窄体
宽体
等级
48 V
0.3 V至+48 V
+0.3 V至-48 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或
20 mA，且以先到者为准
V
SS
- 25 V到V
DD
+ 40 V
-40 V至+55 V
20毫安
40毫安
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
150°C
112°C/W
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
ESD警告
117°C/W
77°C/W
75°C/W
修订版F |第20页5
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