APT20M20B2LL
APT20M20LLL
功率MOS 7
200V 100A 0.020
R
MOSFET
T- MAX
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的
增强型功率MOSFET 。这两种传导和开关
亏损显著降低R的处理与功率MOS 7
DS （ ON）
和Q
g
。功率MOS 7结合了更低的传导损耗和开关损耗
伴随着异常快速开关速度固有APT的
专利的金属栅极结构。
较低的输入电容
降低米勒电容
更低的栅极电荷QG
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
5
TO-264
更高的功耗
容易驾驶
热门
T- MAX
或TO- 264封装
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT20M20B2LL_LLL
单位
伏
安培
200
100
400
±30
±40
568
4.55
-55到150
300
100
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
2500
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
200
0.020
100
500
±100
3
5
(V
GS
= 10V ，我
D
= 50A)
欧
A
nA
伏
4-2004
050-7013修订版D
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 200V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 160V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT20M20B2LL_LLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 100V
I
D
= 100A @ 25°C
电阻开关
V
GS
= 15V
V
DD
= 100V
I
D
= 100A @ 25°C
R
G
= 0.6
7
电感式开关@ 25°C
V
DD
= 130V, V
GS
= 15V
I
D
= 100A ，R
G
= 5
7
电感式开关@ 125°C
V
DD
= 130V, V
GS
= 15V
I
D
= 100A ，R
G
= 5
民
典型值
最大
单位
6850
2180
95
110
43
47
13
40
26
2
465
455
920
915
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通开关能量
关断开关能量
ns
J
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
dv
/
dt
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
100
400
1.3
284
3.06
5
民
典型值
最大
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D
100A
)
反向恢复时间（I
S
= -I
D
100A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -I
D
100A
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
6
V / ns的
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
单位
° C / W
0.22
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380微秒，占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
APT保留更改的权利，恕不另行通知，规格和inforation本文所载。
0.25
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 0.50mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 100A
5 ，最大电流是由铅温度限定
6
dv
/
dt
号反映了测试电路的局限性，而不是
设备本身。
IS
≤
-
ID
75A
di
/
dt
≤
700A/s
VR
≤
VDSS TJ
≤
150
°
C
7李炎包括二极管的反向恢复。参见图18，20 。
0.20
0.9
0.7
0.15
0.5
0.10
0.3
0.05
0.1
0
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
1
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
050-7013修订版D
4-2004
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
典型性能曲线
I
D
，漏极电流（安培）
250
VGS = 15 &10V
9V
200
APT20M20B2LL_LLL
遥控模型
连接点
温度。 （ “C ）
0.0844
动力
（瓦特）
0.138
外壳温度
0.218F
0.0124F
150
7.5V
7V
100
6.5
50
6V
5.5V
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
1.40
V
GS
0
图2 ，瞬态热阻抗模型
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
200
180
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250微秒。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
归一
= 10V @ I = 50A
D
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 1
2 3
4 5 6
7 8 9 10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
1.30
1.20
1.10
VGS=10V
1.00
0.90
0.80
VGS=20V
0
120
100
80
60
40
20
0
25
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
20 40
60 80 100 120 140 160
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS （ ON）
VS漏电流
I
D
，漏极电流（安培）
1.10
1.05
1.00
0.95
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
2.5
I
V
D
0.90
-50
-25
0
25
50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
= 50A
= 10V
2.0
1.5
1.0
V
GS （ TH）
阈值电压
（归一化）
GS
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8中，R
DS （ ON）
与温度的关系
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
050-7013修订版D
4-2004
508
I
D
，漏极电流（安培）
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
20,000
10,000
APT20M20B2LL_LLL
西塞
C，电容（pF ）
100
100S
科斯
1,000
1mS
10
10mS
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
1
1
10
100 200
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I
D
100
CRSS
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
16
= 75A
200
100
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
12
VDS=40V
VDS=100V
VDS=160V
8
10
4
40 60 80 100 120 140 160 180
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅电荷VS栅极至源极电压
90
80
70
t
D（关闭）
V
DD
G
0
0
20
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，源极 - 漏极二极管的正向电压
160
140
120
V
DD
G
= 130V
R
= 5
T = 125°C
J
L = 100μH
t
D（上）
和T
D（关闭）
（纳秒）
60
50
40
30
20
10
0
20
= 130V
R
= 5
t
r
和T
f
（纳秒）
100
80
60
40
20
t
f
t
r
T = 125°C
J
L = 100μH
t
D（上）
80
100
120
140
I
D
(A)
图14 ，延迟时间 - 电流
V
DD
G
40
60
80
100
120
140
I
D
(A)
图15 ，上升和下降时间 - 电流
2500
0
20
40
60
1400
= 130V
1200
开关能量（ μJ ）
R
= 5
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
1000
800
600
开关能量（ μJ ）
J
2000
E
关闭
1500
E
on
1000
V
I
DD
E
on
400
200
0
20
= 130V
4-2004
D
J
= 100A
500
T = 125°C
L = 100μH
E
ON
包括
二极管的反向恢复。
050-7013修订版D
E
关闭
40
60
0
0
5
80
100
120
140
I
D
(A)
图16 ，开关能量 - 电流
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R
G
，栅极电阻（欧姆）
图17 ，交换能量 - 栅极电阻
典型性能曲线
90%
10%
栅极电压
T
J
125°C
APT20M20B2LL_LLL
栅极电压
t
D（上）
t
r
漏电流
t
D（关闭）
t
f
90%
漏极电压
牛逼125°C
J
90%
5%
开关能量
10%
5%
漏极电压
开关能量
10%
0
漏电流
图18 ，导通开关波形和定义
图19 ，关断开关波形和定义
APT100S20B
V
DD
I
C
V
CE
G
D.U.T.
图20 ，电感式开关测试电路
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
来源
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
来源
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-7013修订版D
4-2004
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
门
漏
QQ：2880707522 复制
