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AMIS-39101
八路高端驱动器与
保护
概述
在AMIS - 39101是一个强大的高侧驱动器IC具有8
独立的高电流输出驱动器的通道沿与多个
集成的故障保护电路。这款高度集成的产品
设计用于功率控制递送到了大量的各种负载的
工业应用,包括马达,继电器和LED阵列,其中
其他人。所有驱动器输出通道在导通状态,每个
通道可提供高达连续电流为350 mA (阻性负载) 。
在所有输出驱动器处于非活动状态的情况下,较高的输出电流每
信道,可以实现,只要该装置的热极限
不超标。此外,为了最小化系统成本的每个
输出驱动器具有内置的回扫二极管。该器件可承受
短路到地和电源上。它的设计与
综合保护阵列功能,包括过温
过电流检测和关闭。集成的电荷泵
仅需要一个外部电容,并提供了用于操作
关键的故障保护电路,即使在壳体的低电源电压。
该设备可以连接到通过各种微控制器
串行接口连接,反过来允许用于监测和控制该
各自独立的输出驱动器的状态。在这种情况下,在发作
一个潜在的危险情况中的驱动程序关闭而
驱动程序的诊断状态可通过串行接口进行萃取。
该器件还具有省电模式,可降低功耗
消费和具有高的内置静电放电(ESD )
防护能力的稳健运行。
主要特点
http://onsemi.com
1
SOIC 28
PN后缀
CASE 751AR
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
八高边输出驱动器
高达830 mA每个驱动器对(阻性负载)连续电流
电荷泵与一个外部电容
串行接口
短路保护
诊断功能
掉电模式
内部热关断
3.3 V和5 V兼容微控制器
出色的系统ESD
汽车标准
SO28封装与低R
qJA
这是一个Pb - Free设备*
执行器控制
LED驱动器
继电器和螺线管
工业过程控制
汽车负载管理
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息,请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册, SOLDERRM / D 。
典型应用
半导体元件工业有限责任公司, 2008年
2008年12月,
第2版
1
出版订单号:
AMIS39101/D
AMIS39101
订购信息
产品名称
AMIS39101PNPB4G
AMIS39101PNPB4RG
注意:
PSOP 300-28 ( JEDEC MS -013 )
PSOP 300-28 ( JEDEC MS -013 )
传送配置
管/托盘
磁带&卷轴
温度范围
40°C
至85℃
40°C
至85℃
关于我们无铅战略和焊接细节的其他信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
VDDN
27
5
电源
RESET
OUT1
VS1
4
OUT1
关闭
OUT2
6
10
OUT2
VS2
DIN
DOUT
CLK
WR
12
13
2
3
11
串行
接口
OUT3
9
OUT3
OUT4
诊断
逻辑
控制
OUT4
19
VS3
OUT5
振荡器
18
OUT5
OUT6
17
充电?
OUT7
20
24
OUT6
VS4
CAPA1
23
OUT7
带隙
OUT8
25
OUT8
AMIS39101
26
1
14
16
7
8
15
21
22
28
PDB TEST1 TEST2测试GND1 GND2 GND3 GND4 GND5 GND6
图1.框图
http://onsemi.com
2
AMIS39101
C
VS
VS
5Vreg
C
VCC
C
VDDN
VCC
VDDN
27
DIN
DOUT
12
13
2
3
26
卡帕
C
CP
VS1..4
5
10 19 24
4
6
9
11
18
20
23
OUT8
OUT1
L
load1
C
out1
R
load1
17
调节器
CLK
WR
PDB
AMIS39101
1 14 16
GND
TEST1..2
25
28 22 21 15 8 7
GND1..6
L
load8
C
out8
R
load8
图2.典型应用图
外部元件
重要的是要正确地去耦的电源是非常重要的
与拥有良好的外部电容器芯片
频率特性。
表1.外部元件
部件
C
VS
C
charge_pump
C
OUT
(注2 )
C
OUT
(注2 )
C
VDD
R
负载
L
负载
功能
去耦电容; X7R
电荷泵电容(注1 )
在连接器连接EMC
去耦电容; 50 V
去耦电容; 50 V
负载电阻
负载电感的最大电流
在VS1 , VS2 , VS3 , VS4和引脚短接PCB上
的水平。此外GND1 , GND2 , GND3 , GND4 , GND5 , GND6 ,
TEST , TEST1和TEST2短路的PCB水平。
分钟。
100
0.47
1
22
22
价值
马克斯。
托尔。 [%]
±20
单位
nF
nF
nF
47
±20
±20
65
300
350
±10
nF
nF
W
mH
1.电容必须放置在靠近AMIS- 39101引脚在PCB上。
2.这两个电容是可选的,取决于最终的应用和电路板布局。
http://onsemi.com
3
AMIS39101
CAPA1
VDDN
GND6
GND5
GND4
GND3
TEST2
OUT8
OUT7
OUT6
OUT5
TEST
DOUT
PDB
VS4
VS3
VS2
AMIS39101
CLK
OUT1
VS1
OUT2
OUT3
TEST1
GND1
GND2
OUT4
WR
在AMIS- 39101的图3引脚说明
表2.引脚输出
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
名字
TEST1
CLK
WR
OUT1
VS1
OUT2
GND1
GND2
OUT3
VS2
OUT4
DIN
DOUT
TEST2
GND3
TEST
CAPA1
OUT5
VS3
OUT6
GND4
GND5
OUT7
VS4
OUT8
PDB
VDDN
GND6
连接到GND
施密特触发器
串行接口
CLK输入
施密特触发器
串行接口
写使能输入
HS驱动器输出
VS电源
HS驱动器输出
电源接地和散热路径结到PCB
电源接地和散热路径结到PCB
的司机输出
VS电源
HS驱动器输出
串行接口的输入引脚(施密特触发器或CMOS反相器)
数字三态输出
串行接口
连接到GND
电源接地和散热路径结到PCB
连接到GND
电荷泵电容引脚
HS驱动器输出
VS电源
HS驱动器输出
电源接地和散热路径结到PCB
电源接地和散热路径结到PCB
HS驱动器输出
VS电源
HS驱动器输出
施密特触发器掉电输入
数字电源
电源接地和散热路径结到PCB
描述
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4
DIN
AMIS39101
电气和环境评级
表3.绝对最大额定值
符号
VDDN
VS
Iout_ON
Iout_OFF
I_OUT_VS
Vcapa1
Vdig_in
V
ESD
V
ESD
Tj
TMR
电源电压
引脚VS1到VS4 ,负载突降VS电源,
脉冲5B 400毫秒
最大输出电流的OUTx销(注3)
HS驱动器已打开
最大输出电流的OUTx销(注3)
HS驱动器被关闭
最大输出电流为VS1 , 2 , 3 , 4针
引脚CAPA1直流电压
在数字输入CLK , PDB , WR , DIN电压
连接的应用程序(销VS1..4和Out1..8 )引脚(注4 )
所有其他引脚(注4 )
ESD根据带电器件模型(注5 )
结温( T<100小时)
在偏置环境温度
描述
分钟。
GND
0.3
GND
0.3
3000
350
700
0
0.3
4
2
750
40
40
马克斯。
6
35
350
350
3750
VS+16.5
VDDN+0.3
+4
+2
+750
175
85
单位
V
V
mA
mA
mA
V
V
kV
kV
V
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
3.芯片的功率消耗必须被限制不超过最大结温Tj 。
4.根据HBM标准MIL -STD- 883方法3015.7 。
5.根据规范EOS / ESD - STM5.3.1-1999机器人模式。
热特性
本软件包表4.热特性
符号
R
日( VJ -A )
描述
从结点到环境的热阻的功率SO28封装
条件
在自由空气
价值
145
单位
K / W
表5中的AMIS- 39101的PCB上的热特性
PCB设计
第二层( 35
mm)
第二层( 35
mm)
四层JEDEC :
EIA/JESD517
一个层JEDEC :
EIA/JESD513
电导率
顶层和底层
根据图4 + 25 %的铜为剩余区域的铜面
根据图4 + 0 %的铜为剩余区域的铜面
25 %的铜覆盖
25 %的铜覆盖
RthJA
(注6 )
24
53
25
46
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
6.这些值是唯一的信息。
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5
AMIS- 39101 :
与保护八路高端驱动器
数据表
1.0概述
在AMIS - 39101是一个强大的高边驱动器IC具有八个独立的高电流输出驱动器通道以及一些
集成的故障保护电路。这款高度集成的产品是专为功率控制下交付,以大量的各种负载
在工业应用中,包括电机,继电器和LED阵列,等等。所有驱动器输出通道在导通状态,
每个通道可提供高达连续电流(阻性负载) 350mA的。在所有输出驱动器处于非活动状态的情况下,较高的
每信道的输出电流就可以实现,只要该装置的热限制不被超过。此外,为了
最大限度地降低系统成本每路输出驱动器具有内置的回扫二极管。该装置可承受的短路到地和电源,
分别。它的设计与综合保护阵列功能,包括过温,过流检测
关闭。集成的电荷泵仅需要一个外部电容器,并提供对临界故障保护的动作
电路,即使在壳体的低电源电压。该设备可通过串行外设接口到各种微控制器
接口(SPI)链路,进而允许用于监测和单独地控制每个输出驱动器的状态。在这种情况下,在
发病的一个潜在的危险情况中的驱动程序被关闭和驱动程序的诊断状态可以通过SPI被提取
界面。该器件还具有省电模式,降低功耗,并具有很高的内建静电放电
( ESD)保护能力的稳健运行。
2.0主要特点
八高侧输出驱动器
截至830毫安每个驱动程序对连续电流(阻性负载)
电荷泵与一个外部电容
SPI
短路保护
诊断功能
掉电模式
内部热关断
3.3V和5V微控制器兼容
出色的系统ESD
汽车标准
SO28封装的低Rthja
3.0典型应用
执行器控制
LED驱动器
继电器和螺线管
工业过程控制
汽车负载管理
4.0订购信息
产品名称
AMIS39101AGA
PSOP 300-28 ( JEDEC MS -013 )
温度范围
-40°C…85°C
AMI半导体公司
- 11月06日 - M- 20638-001
www.amis.com
1
AMIS- 39101 :
与保护八路高端驱动器
数据表
5.0框图
图1 :框图
AMI半导体公司
- 11月06日 - M- 20638-001
www.amis.com
2
AMIS- 39101 :
与保护八路高端驱动器
6.0典型应用图
数据表
图2 :典型应用图
6.1外部元件
它适当地分离芯片的电源使用具有良好高频特性的外部电容器是很重要的。
在VS1 , VS2 , VS3 , VS4和引脚短接在PCB水平。此外GND1 , GND2 , GND3 , GND4 , GND5 , GND6 ,测试, TEST1和
TEST2短路的PCB水平。
表1 :外部元件
部件
功能
C
VS
C
charge_pump
C
C
(2)
OUT
(2)
OUT
分钟。
100
0.47
1
22
22
(1)
价值
马克斯。
47
托尔。 [%]
± 20
单位
nF
nF
nF
去耦电容; X7R
电荷泵电容
在连接器连接EMC
去耦电容; 50V
去耦电容; 50V
负载电阻
负载电感的最大电流
该电容必须放置在靠近AMIS- 39101引脚在PCB上。
这两个电容是可选的,取决于最终的应用和电路板布局。
± 20
± 20
65
300
350
± 10
nF
nF
mH
C
VDD
R
负载
L
负载
注意事项:
(1)
(2)
AMI半导体公司
- 11月06日 - M- 20638-001
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3
AMIS- 39101 :
与保护八路高端驱动器
7.0引脚说明
数据表
图3: AMIS- 39101的引脚说明
表2 :引脚输出
名字
1
TEST1
2
CLK
3
WR
4
OUT1
5
VS1
6
OUT2
7
GND1
8
GND2
9
OUT3
10
VS2
11
OUT4
12
DIN
13
DOUT
14
TEST2
15
GND3
16
TEST
17
CAPA1
18
OUT5
19
VS3
20
OUT6
21
GND4
22
GND5
23
OUT7
24
VS4
25
OUT8
26
PDB
27
VDDN
28
GND6
描述
连接到GND
施密特触发器SPI CLK输入
施密特触发器SPI写使能输入
HS驱动器输出
VS电源
HS驱动器输出
电源接地和散热路径结到PCB
电源接地和散热路径结到PCB
的司机输出
VS电源
HS驱动器输出
SPI输入引脚(施密特触发器或CMOS反相器)
数字三态输出的SPI
连接到GND
电源接地和散热路径结到PCB
连接到GND
电荷泵电容引脚
HS驱动器输出
VS电源
HS驱动器输出
电源接地和散热路径结到PCB
电源接地和散热路径结到PCB
HS驱动器输出
VS电源
HS驱动器输出
施密特触发器掉电输入
数字电源
电源接地和散热路径结到PCB
AMI半导体公司
- 11月06日 - M- 20638-001
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4
AMIS- 39101 :
与保护八路高端驱动器
数据表
8.0电气和环境评级
8.1绝对最大额定值
应力水平高于本款所列可能导致立即和永久设备故障。我们不建议
一个以上的这些条件下同时施加。
表3 :绝对最大额定值
符号
描述
VDDN
电源电压
引脚VS1到VS4 ,负载突降VS电源,
VS
脉冲5B 400毫秒
(1)
最大输出电流的OUTx引脚
Iout_ON
HS驱动器已打开
(1)
最大输出电流的OUTx引脚
Iout_OFF
HS驱动器被关闭
I_OUT_VS
最大输出电流为VS1 , 2 , 3 , 4针
Vcapa1
引脚CAPA1直流电压
Vdig_in
在数字输入CLK , PDB , WR , DIN电压
(2)
连接应用引脚(引脚VS1..4和Out1..8 )
V
ESD
(2)
所有其他引脚
(3)
V
ESD
根据ESD带电器件模型
Tj
结温( T<100小时)
TMR
在偏置环境温度
注意事项:
(1)
(2)
(3)
分钟。
GND - 0.3
GND - 0.3
-3000
-350
-700
0
-0.3
-4
-2
-750
-40
-40
马克斯。
6
35
350
350
3750
VS+16.5
VDDN+0.3
+4
+2
+750
175
85
单位
V
V
mA
mA
mA
V
V
kV
kV
V
°C
°C
芯片的功耗必须限制不超过最大结温Tj 。
据HBM标准MIL -STD- 883方法3015.7 。
根据规范EOS / ESD - STM5.3.1-1999机器人模式。
8.2热特性
表4:包装的热特性
符号
描述
R
日( VJ -A )
从结点到环境的热阻的功率SO28封装
条件
在自由空气
价值
145
单位
K / W
表5: AMIS- 39101的PCB上的热特性
PCB设计
导电顶层和底层
两个层( 35um )
根据图4 + 25 %的铜为剩余区域的铜面
两个层( 35um )
根据图4 + 0 %的铜为剩余区域的铜面
四层JEDEC : 25 %的铜覆盖
EIA/JESD51-7
一层的JEDEC : 25 %的铜覆盖
EIA/JESD51-3
注意:
(1)
这些数值仅供一般参考之用,并会改变基于每个具体的PCB设计。
RthJA
24
53
25
46
(1)
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
AMI半导体公司
- 11月06日 - M- 20638-001
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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