APTGT75TDU120P
三重双共源
沟道IGBT
电源模块
C1
C3
C5
V
CES
= 1200V
I
C
= 75A @ T = 80℃
应用
AC开关
开关电源
不间断电源
G1
G3
G5
E1
E1/E2
E3
E3/E4
E5
E5/E6
E2
E4
E6
G2
C2
G4
C4
G6
C6
特点
沟道+场截止IGBT
技术
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
高集成度
好处
稳定的温度特性
很皮实
为便于PCB安装焊接的接线端子
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
非常低的（12毫米）简介
每条腿可以很容易地并联，以实现双
三倍的共同源配置
电流能力
最大额定值
1200
100
75
175
±20
350
150A@1150V
单位
V
A
V
W
2004年9月，
1-5
APTGT75TDU120P - 牧师0
C1
C3
C5
G1
E1/E2
E1
E2
G2
E3/E4
G3
E3
E4
G4
E5/E6
G5
E5
E6
G6
C2
C4
C6
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
反向偏压工作区
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
APTGT75TDU120P
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
BV
CES
I
CES
V
CE （ON）的
V
GE （日）
I
GES
测试条件
民
集电极 - 发射极击穿电压
零栅极电压集电极电流
集电极发射极电压上
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 5毫安
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
T
j
= 25°C
V
GE
=15V
I
C
= 75A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 3毫安
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
1200
典型值
最大
5
2.1
6.5
500
单位
V
mA
V
V
nA
1.4
5.0
1.7
2.0
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 75A
R
G
= 4.7
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= ±15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 75A
R
G
= 4.7
民
典型值
5340
280
240
260
30
420
70
285
50
520
90
7
8.1
最大
单位
pF
ns
ns
mJ
E
on
包括二极管的反向恢复
按照JEDEC标准JESD24-1
反向二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
V
F
E
r
Q
rr
最大反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复能量
反向恢复电荷
测试条件
V
R
=1200V
I
F
= 75A
V
GE
= 0V
I
F
= 75A
V
R
= 600V
的di / dt = 825A / μs的
I
F
= 75A
V
R
= 600V
的di / dt = 825A / μs的
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
1200
典型值
最大
250
500
2.1
单位
V
A
V
mJ
C
1.6
1.6
3
6
7.6
13.7
APT网站 - http://www.advancedpower.com
2-5
APTGT75TDU120P - 牧师0
2004年9月，
APTGT75TDU120P
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
3
民
典型值
最大
0.35
0.58
150
125
100
5
250
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
散热器来
M6
包装外形
5位（ 3 ： 1 ）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
3-5
APTGT75TDU120P - 牧师0
2004年9月，
APTGT75TDU120P
典型性能曲线
150
125
I
C
(A)
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
输出特性
150
T
J
= 125°C
T
J
=25°C
125
T
J
=125°C
V
GE
=17V
V
GE
=13V
V
GE
=15V
V
GE
=9V
100
I
C
(A)
100
75
50
25
0
75
50
25
0
0
1
2
V
CE
(V)
3
4
0
1
2
V
CE
(V)
3
4
150
125
100
I
C
(A)
75
50
25
0
5
Transfert特点
17.5
T
J
=25°C
T
J
=125°C
能量损失VS集电极电流
15
12.5
E（兆焦耳）
10
7.5
5
2.5
0
0
25
50
75
I
C
(A)
反向安全工作区
175
150
EOFF
Er
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 4.7
T
J
= 125°C
EOFF
宙
6
7
8
9
V
GE
(V)
10
11
12
100
125
150
开关损耗VS栅极电阻
16
14
12
E（兆焦耳）
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12 16 20 24
栅极电阻（欧姆）
28
32
Er
V
CE
= 600V
V
GE
=15V
I
C
= 75A
T
J
= 125°C
宙
125
I
C
(A)
100
75
50
25
0
0
400
800
V
CE
(V)
1200
1600
V
GE
=15V
T
J
=125°C
R
G
=4.7
最大有效瞬态热阻抗，结到脉冲宽度
0.4
热阻抗（ ℃/ W）
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
单脉冲
0.01
0.1
1
10
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
4-5
APTGT75TDU120P - 牧师0
2004年9月，
0.35
IGBT
APTGT75TDU120P
工作频率与集电极电流
最大频率，工作频率（kHz ）
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
I
C
(A)
80
100
120
HARD
开关
ZVS
ZCS
V
CE
=600V
D=50%
R
G
=4.7
T
J
=125°C
二极管的正向特性
150
125
100
I
C
(A)
75
50
25
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
(V)
2
2.4
T
J
=125°C
T
J
=25°C
T
c
=75°C
最大有效瞬态热阻抗，结到脉冲宽度
0.6
热阻抗（ ℃/ W）
0.9
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
0.0001
二极管
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
APT的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
5-5
APTGT75TDU120P - 牧师0
APT保留更改的权利，恕不另行通知，规格和信息，这里包含
2004年9月，
QQ：2880707522 复制
