ACT- S512K8高速
4兆位单片SRAM
特点
低功耗单芯片CMOS 512K ×8 SRAM
I
整个军用（ -55 ° C至+ 125°C ）温度范围
I
输入和输出TTL兼容设计
I
快速17,20,25,35,45 & 55ns最大访问时间
I
+ 5V电源
I
MIL -PRF- 38534标准提供的MCM
I
工业标准管脚引出线
I
包装 - 密封陶瓷
I
电路科技
www.aeroflex.com
概述
在ACT - S512K8是高
速度快， 4兆位CMOS
单片SRAM设计
整个温度范围内的军事，
空间，或高可靠性的质量
内存和快速缓存
应用程序。
MCM的输入和输出
TTL兼容。写作
当被执行时的写
使能（WE ）和芯片使能
（CE）输入为低，输出
使能（OE ）为高。阅读是
完成时，我们会为高
和CE和OE都很低。
访问时间为17ns级别的，
为20ns ， 25ns的，为35ns ，为45nS和
55ns最大的是标准。
+5伏电源
版本是标准3.3
伏的低功耗模式是一种
未来的可选产品。
该产品被设计
为
手术
过度
该
-55 ℃的温度范围内
+ 125 ℃，并在满
军事环境。一个DESC
标准军事
（ SMD）的号码被释放。
该
ACT-S512K8
is
在Aeroflex的制造
80,000
方
脚
MIL-PRF-38534
认证
工厂在平景镇，纽约州
36铅， 0.92" X 0.51" X 0.13"扁平封装（ FP ） ，艾法斯代码＃ "F3"
G
36铅， 0.92" X 0.43" X 0.184"小外形J引线（ CSOJ ）
艾法斯代码＃ "F4"
（ 0.155 MAX厚度可用，请与工厂联系获取详细信息）
G
32铅， 1.6" X 0.60" X 0.20"双列直插式（ DIP ） ，艾法斯代码＃ "P4"
G
I
DESC SMD ＃ 5962-95613发布（ F3 ， F4 ， P4 ）
框图 - 扁平封装（ F3 ， F16 ） ， DIP （ P4 ） & CSOJ （ F4 ）
CE
WE
OE
A
0
– A
18
V
ss
V
cc
512Kx8
8
I / O
0-7
引脚说明
I / O
0-7
A
0–18
WE
CE
OE
V
CC
V
SS
NC
数据I / O
地址输入
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块 SCD1664 REV C 00年5月10日
绝对最大额定值
符号
T
C
T
英镑
P
D
V
G
V
CC
T
J
参数
案例工作温度。
储存温度
最大封装功耗
最大信号电压对地
电源电压
结温
最低
-55
-65
-
-0.5
-0.5
-
最大
+125
+150
1.1
V
CC
+ 0.5
+7.0
+150
单位
°C
°C
W
V
V
°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （ MIL）
最低
+4.5
+2.2
-0.5
-55
最大
+5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
真值表
模式
待机
读
输出禁用
写
CE
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
WE
X
H
H
L
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机（取消/省电）
活跃
主动（未选中）
活跃
电容
(V
IN
= 0V ， F = 1MHz时， TC = 25 ° C，除非另有说明，保证，但未经测试
)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容（A
0-18
我们& OE ）
输出电容（ I / O
0-7
& CE）
最大
20
20
单位
pF
pF
DC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，TC = -55 ° C至+ 125°C ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机电流
输出低电压
输出高电压
艾法斯电路技术
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
SB
条件
V
CC
=最大，V
IN
= 0至V
CC
CE = V
IH
， OE = V
IH
, V
OUT
= 0至V
CC
CE = V
IL
， OE = V
IH
， VCC = 5.5V ，
F = 5MHz的CMOS兼容
CE = VCC ， OE = V
IH
， VCC = 5.5V ，
F = 5MHz的CMOS兼容
所有速度
单位
最小最大
-10
-10
-
-
-
2.4
SCD1664 REV C 00年5月10日
+10
+10
170
20
0.4
-
A
A
mA
mA
V
V
V
OL
I
OL
= 8毫安， VCC = 4.5V
V
OH
I
OH
= -4毫安， VCC = 4.5V
2
纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
AC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，TC = -55 ° C至+ 125°C ）
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
片选到输出低Z（ 1 ）
输出使能到输出低Z（ 1 ）
芯片取消选择到输出高Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注1：由设计保证，但未经测试
符号
–017
–020
–025
–035
–045
–055
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
17
-
-
0
-
2
0
-
-
-
17
17
-
9
-
-
9
9
20
-
-
0
-
2
0
-
-
-
20
20
-
10
-
-
10
10
25
-
-
0
-
2
0
-
-
-
25
25
-
12
-
-
12
12
35
-
-
0
-
4
0
-
-
-
35
35
-
25
-
-
15
15
4
0
-
-
45
-
-
0
-
45
45
-
25
-
-
20
20
4
0
-
-
55
-
-
0
-
55
55
-
25
-
-
20
20
单位
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OH
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
参数
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动（ 1 ）
写入输出高Z（ 1 ）
从时间写数据保持
注1：由设计保证，但未经测试
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
t
WHZ
t
DH
–017
–020
–025
–035
–045
–055
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
17
15
15
12
14
2
0
0
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
9
-
20
15
15
12
14
2
0
0
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
9
-
25
20
20
15
15
2
0
0
-
0
10
-
-
-
-
-
-
-
-
35
25
25
20
25
2
0
0
-
0
15
-
-
-
-
-
-
-
-
45
35
35
25
35
2
5
5
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
55
50
50
25
40
2
5
5
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
25
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保持电气特性（仅特殊订货）
（TC = -55 ° C至+ 125°C ）
测试条件
CE
≥
V
CC
– 0.2V
V
CC
= 3V
参数
V
CC
数据保留
符号
V
DR
所有速度
民
典型值
最大
2
-
-
0.5
5.5
7.0
单位
V
mA
数据保持电流（ 1 ）I
CCDR1
可在低功耗版本。来电索取资料。
真值表
模式
待机
读
输出禁用
写
艾法斯电路技术
CE
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
WE
X
H
H
L
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
3
动力
待机（取消/省电）
活跃
主动（未选中）
活跃
SCD1664 REV C 00年5月10日
纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
时序图
读周期时序图
读周期1 （ CE = OE = V
IL
我们= V
IH
)
t
RC
A
0-18
t
AA
t
OH
D
I / O
以前的数据有效
数据有效
CE
t
AS
WE
S
EE
N
OTE
写周期时序图
写周期1 （我们控制， OE = V
IL
)
t
WC
A
0-16
t
AW
t
CW
t
AH
t
WP
S
EE
N
OTE
t
OW
t
WHZ
t
DW
数据有效
t
DH
D
I / O
读周期2 （WE = V
IH
)
t
RC
A
0-18
t
AA
CE
t
ACS
t
CLZ
S
EE
N
OTE
写周期2 （ CE控制， OE = V
IH
)
t
WC
A
0-18
t
AW
t
CHZ
S
EE
N
OTE
t
AH
t
CW
t
AS
CE
OE
t
WP
t
OE
t
OLZ
S
EE
N
OTE
t
OHZ
S
EE
N
OTE
WE
t
DW
D
I / O
数据有效
t
DH
D
I / O
高Z
数据有效
未定义
不在乎
注：由设计保证，但未经测试。
AC测试电路
电流源
I
OL
参数
为了测试设备
C
L
=
50 pF的
I
OH
电流源
V
Z
1.5 V（双极性电源供电）
典型
0 – 3.0
5
1.5
单位
V
ns
V
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出时序参考电平
注意事项：
1) V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。 2 ）I
OL
我
OH
可编程从0到16毫安。 3 ）阻抗测试仪
Z
O
= 75
. 4)
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
. 5) I
OL
我
OH
被调整，以模拟典型的电阻
负载电路。 6 ） ATE测试仪包括夹具电容。
艾法斯电路技术
4
SCD1664 REV C 00年5月10日
纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
引脚数&功能
36引脚 - 扁平封装
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
功能
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
I / O
2
I / O
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
针＃
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
功能
NC
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
4
I / O
5
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
OE
A
15
A
16
A
17
A
18
NC
封装外形"F3" - 小扁包， 36信息
.930
最大
引脚36
PIN码19
.035±.003
.125 MAX
.515
最大
销1
18 PIN
.350
民
.005 ±.002
.017
±.002
0.850 REF
（在.050 17位）
2边
以英寸所有尺寸
5
艾法斯电路技术
SCD1664 REV C 00年5月10日
纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
