AND8054/D
设计RC振荡器
电路与低电压
运算放大器和
比较精密
传感器应用
吉姆Lepkowski
高级应用工程师
克里斯托弗·扬
工程实习，美国亚利桑那州立大学
http://onsemi.com
应用说明
介绍
RC运算放大器振荡器的设计
需要使用正式的设计过程。在一般情况下，该
设计公式为这些振荡器不可用;
因此，有必要导出的设计方程
象征性地选择了阻容元件，并确定
各成分的对频率的影响
振荡。一个设计程序将显示两种状态
可在精度可以使用可变振荡器电路
电容式传感器的应用。这两个振荡器具有
的输出频率成比例的两个产品
电容（C
1
*C
2
）和两个电容器C中的比率（
1
/C
2
).
使用的状态变量振荡器已建成
安森美半导体新的低于1伏家运营
放大器和比较器。的MC33501 ， MC33503和
NCS2001运算放大器，并且所述NCS2200
比较器是业界第一款也是唯一商业化
这是在一个电压指明可用的模拟元件
0.9伏。这些组件可以从一个单一的供电
镍镉电池，镍氢电池或碱性电池。宽工作
-40_C至+ 105_C的温度范围使这些器件
适用于广泛的应用范围。
安森美半导体的系列低电压操作的
放大器和比较器帮助解决模拟的局限性
这导致从行业的运动后低
电源电压。安森美半导体系列
模拟组件提供模拟解决I / O
所需要的新出现的低压接口电路
DSP和微控制器芯片。
有许多的优点，即导致
降低电源电压，如较低的功率
消耗和多个电源的降低。
低电压模拟设计也导致了新的挑战
设计师和必须小心，以现有的传输
高电压电路的低电压电平。为
例如，设备参数，如带宽和转换
速度减少的电压降低，并且在温和的
相较于在电压运行等传统设备
as
±10
五，此外，还有一个限定电压摆动范围
可在低电压下;然而，这个问题是
双方的轨到轨单电压范围最小化
ON半导体的输入和输出信号
设备。
该MC33501和MC33503都设计有一个
BiCMOS工艺，而NCS2001和NCS2200是
采用了全CMOS工艺实现。主要属性
这些设备是其低电压操作和全
轨到轨输入和输出范围。轨到轨
操作是通过采用独特的输入级，是提供
通过折叠级联N沟道耗尽模式形成
差分放大器。的简化原理图
MC33501和MC33503示于图1 。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年2月 - 第1版
出版订单号：
AND8054/D
AND8054/D
V
CC
IN-
OFFSET
电压
TRIM
IN +
OUT
V
CC
V
CC
产量
电压
饱和
探测器
V
CC
钳
体
BIAS
该MC33501 / MC33503图1.原理示意图
安森美半导体的系列低电压运算放大器和比较器
部分
数
MC33501
MC33503
部件
操作
扩音器
过程
BiCMOS工艺
特点
包
TSOP–5
供货情况
可现在，
产能释放4Q2000
1.0 V @单电源供电
增益带宽积为3兆赫（典型值）。
开环电压增益= 90分贝（典型值）。
NCS2001
操作
扩音器
CMOS
0.9 V @单电源供电
增益带宽积为1.1 MHz（典型值）。
开环电压增益= 90分贝（典型值）。
TSOP–5
可现在，
产能释放1Q2001
NCS2200
比较
CMOS
1.0 V @单电源供电
传播延迟1.1
ms
（典型值）。
补充或开漏输出
CON组fi guration
TSOP–5
产品预览
产能释放1Q2002
http://onsemi.com
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