【数据表特点非易失性存储器，双256位数字电位计AD5232功能框图VDDADDR解码串行接口EEME】,IC型号AD5232BRUZ100,AD5232BRUZ100 PDF资料,AD5232BRUZ100经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

特点

非易失性存储器，

双256位数字电位计

AD5232

功能框图

ADDR

解码

串行

接口

EEMEM1

RDAC1

CLK

SDI

SDO

双通道， 256位分辨率

为10kΩ ， 50 kΩ的，和100kΩ标称终端电阻

雨刮设定非易失性存储器维护

预定义线性递增/递减指令

预定义±6 dB步数锥度递增/递减

说明

SPI兼容串行接口

雨刮器的设置和EEMEM回读

3 V至5 V单电源供电

±2.5 V双电源供电

14字节的通用用户EEMEM

永久存储器写保护

100年的典型的数据保持（T

= 55°C)

AD5232

RDAC1

POWER- ON

RESET

RDAC2

EEMEM2

RDAC2

RDY

EEMEM

控制

应用

替代机械电位器

仪器仪表：增益和失调电压调整

可编程电压至电流转换

可编程滤波器，延迟，和时间常数

可编程电源

低分辨率DAC的替代

传感器校准

GND

14字节

用户

EEMEM

02618-001

图1 。

概述

该

AD5232

设备提供了非易失性的，双通道

数字控制可变电阻（ VR ）与256位

分辨率。这个设备将执行相同的电子调整

功能机械电位器具有增强的分辨率，

固态可靠性和出色的低温度系数

性能。的多功能编程

AD5232,

Per-

通过微控制器ormed ，允许多个操作模式

和调整。

在直接编程模式中， RDAC的一个预定的设定

寄存器（ RDAC1和RDAC2 ）可直接从被加载

微控制器。操作的另一重要模式允许

在RDACx注册要刷新此前的设置

存储在相应的EEMEM寄存器（ EEMEM1和

EEMEM2 ）。如果更改了该RDACx寄存器

建立一个新的雨刮器位置，设置的值可以是

保存到EEMEMx寄存器通过执行EEMEM保存

操作。设置后保存在EEMEMx寄存器，

这些值将被自动传送到寄存器RDACx

设置在系统上电时滑动端的位置。这样的操作是

由内部预设选通脉冲使能。预置闸门也可以

可以从外部访问。

版本C

文档反馈

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

技术支援

www.analog.com

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有

责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为

第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

商标和注册商标均为其各自所有者的财产。

所有内部寄存器的内容也可通过串行数据被读

输出（ SDO ）。这包括RDAC1和RDAC2注册，

相应的非易失性EEMEM1和EEMEM2寄存器，

和14备用用户EEMEM寄存器可用于

常量存储空间。

调整的基本模式是递增和递减

控制滑动端的位置设定命令指示

可向上或向下移动之间的标称电阻的一个步骤

A端和B端这一步调整线性变化

雨刮器到B端电阻（R

）由1位段

该设备的端至端电阻（R

）。对于指数/

在抽头设置对数的变化，左/右移指令

指令来调整水平±6 dB步，这可能是有用的

音频和灯光报警应用。

该

AD5232

可在薄， 16引脚TSSOP封装。

所有部件都保证工作在扩展工业

温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。评估电路板，该

EVAL-AD5232-10EBZ,

是可用的。

AD5232

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

电气特性，为10kΩ ， 50 kΩ的， 100 kΩ的版本。3

接口时序特性............................................... 5

绝对最大额定值............................................... ............. 7

热阻................................................ ...................... 7

ESD注意事项................................................ .................................. 7

引脚配置和功能说明............................. 8

典型性能特征............................................. 9

测试电路................................................ ..................................... 12

工作原理............................................... ....................... 14

便笺簿和EEMEM编程................................. 14

基本操作................................................ .......................... 14

EEMEM保护................................................ .................... 14

数据表

数字输入/输出配置........................................ 14

串行数据接口............................................... .................... 15

菊花链式操作.............................................. .......... 15

先进的控制方式............................................... .......... 17

使用额外的内部，非易失性EEMEM ................... 18

终端电压工作范围......................................... 18

详细电位器操作.......................................... 18

编程可变电阻......................................... 19

编程电位分压器............................... 20

操作的双电源.............................................. ... 20

应用编程实例...................................... 20

设备客户启动顺序

对于PCB校准装置与受保护的设置................ 21

闪存/ EEMEM可靠性.............................................. ............ 21

评估板................................................ ........................ 21

外形尺寸................................................ ....................... 22

订购指南................................................ .......................... 22

修订历史

11/13 -REV 。 B到C版

改变的吨

从25毫秒（最大值）为25毫秒（典型值） ;表2 ............... 5

更改订购指南.............................................. ............ 22

9月11日 - 修订版。 A到版本B

改变电阻噪声电压参数如表1 ............. 4

10月9日 - 修订版。 0到版本A

更新格式................................................ ..................通用

更改数据表标题............................................. ............... 1

更改功能部分.............................................. .............. 1

更改应用程序组.............................................. 1 .......

改变抽头电阻参数，表1 ........................... 3

切换到CS上升到RDY下降时间参数，表2 ........... 5

图的变化2和图3 ........................................... 6 .........

图24 ..............................................变化........................ 12

补充图32 ............................................... .............................. 13

更改串行数据接口部分.................................... 15

更改编程可变电阻部分.......... 19

更改订购指南.............................................. ............ 22

10月1日 - 修订版0 ：初始版

版本C |页24 2

数据表

特定网络阳离子

电气特性，为10kΩ ， 50 kΩ的， 100 kΩ的

= 3V ±10％或5伏±10％和V

= 0 V, V

= +V

, V

= 0 V ， -40°C <牛逼

< + 85 ℃，除非另有说明。

表1中。

参数

直流特性，

变阻器模式

电阻微分非线性

非线性电阻器

标称电阻容差

电阻温度COEF网络cient

滑动端电阻

电位器分模式

决议

微分非线性

积分非线性

分压器温度

系数

满量程误差

零刻度误差

电阻端子

终端电压范围

电容斧，BX

电容蜡质

共模漏电流

5, 6

数字输入和输出

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输出逻辑高电平（ SDO和RDY ）

输出逻辑低电平

输入电流

输入电容

电源

单电源功率范围

双电源功率范围

正电源电流

编程模式电流

阅读模式电流

负电源电流

功耗

电源灵敏度

AD5232

符号

条件

规范适用于所有村

, V

= NC

, V

= NC

民

典型值

最大

单位

R- DNL

R- INL

0.4

±1/2

+0.4

+20

100

= 100 μA ，V

= 5.5 V ，代码= 0X1E

= 100 μA ，V

= 3 V ，代码= 0X1E

0.4

CODE =半秤

代码=满量程

代码=零刻度

F = 1MHz时，测量到GND ，代码=半级

F = 1MHz时，测量到GND ，代码=满量程的一半

= V

相对于GND ，V

= 5 V

相对于GND ，V

= 5 V

相对于GND ，V

= 3 V

相对于GND ，V

= 3 V

相对于GND ，V

= +2.5 V, V

= 2.5 V

相对于GND ，V

= +2.5 V, V

= 2.5 V

引体向上

= 2.2 kΩ至5 V

= 1.6毫安， V

逻辑

= 5 V

= 0 V或V

2.4

600

200

最低位

％ FS

PPM /°C的

位

最低位

％ FS

PPM /°C的

％ FS

%/%

DNL

INL

/ΔT

WFSE

WZSE

, V

, C

DD （ PG ）

DD （ XFR ）

DISS

PSS

±1/2

+0.4

0.01

0.8

2.1

0.6

2.0

0.5

4.9

0.4

±2.5

= 0 V

= V

或V

= GND

= V

或V

= GND

= V

或V

= GND

= V

或V

= GND ，

= +2.5 V, V

= 2.5 V

= V

或V

= GND

= 5 V ± 10%

2.7

±2.25

3.5

0.018

0.002

5.5

±2.75

0.05

0.01

0.9

版本C |第24 3

AD5232

参数

动态特性

5, 9

带宽

总谐波失真

建立时间

符号

条件

-3分贝， BW_10kΩ ， R = 10 kΩ的

= 1 V有效值，V

= 0 V ， F = 1千赫，R

= 10 k

= 1 V有效值，V

= 0 V ， F = 1千赫，R

= 50 k, 100 k

= 5 V, V

= 0 V, V

= V

, V

= 0 V,

= 0.50％的误差范围，代码0x00到0x80的代码

对于R

= 10 k/50 k/100 k

= 5kΩ的中，f = 1千赫

= V

, V

= 0 V ，测量V

同

相邻的VR制作全量程编码变化

= V

, V

= 0 V ，测量V

随着V

5 V P-P @ F = 10 kHz的;代码

= 0x80的;代码

= 0xFF的

100

民

典型值

500

0.022

0.045

0.65/3/6

数据表

最大

单位

千赫

THD

电阻的噪声电压

串扰（C

)

模拟串扰（C

)

Flash / EE存储器可靠性

耐力

数据保留

N_WB

纳伏/赫兹÷

用nV-sec

kcycles

岁月

典型的参数代表平均读数在25℃和V

= 5 V.

电阻位置非线性误差（ R- INL ）误差是最大电阻和最小电阻雨刮器之间测量的理想值之间的偏差

位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。部分保证单调性。我

50 μA @ V

= 2.7 V和I

400 μA @ V

= 5 V对于R

= 10 kΩ的版本，我

50 μA的用于R

= 50 kΩ的版本，我

25 μA对于R

= 100kΩ的版本（见图22）。

INL和DNL在V测量

与RDACx配置为类似于一个电压输出数字 - 模拟转换器的电位计分压器。 V

= V

和V

= V

±1 LSB DNL最大规格限制，保证单调操作条件下（参见图23）。

在A， B和W电阻端子间无极性限制，相对于对方。双电源供电使接地参考的双极信号

调整。

通过设计保证;不受生产测试。

共模泄漏电流的测量，从任意的A，B的直流泄漏，或W端子到V的共模偏置电平

/2.

转移（ XFR ）模式下的电流是不连续的。电流消耗而EEMEMx位置被读出并传送到RDACx寄存器（参见图13）。

DISS

从（我计算

× V

) + (I

× V

所有的动态特性采用V

= + 2.5V和V

= -2.5 V时，除非另有说明。

耐力有资格根据JEDEC标准10万次。 22，方法A117和在-40℃下测得的， + 25 ℃， + 85 ℃。典型的耐力+ 25° C为70万次。

保留期限相当于在结温（T

） = 55 ° C，按照JEDEC标准。 22 ，方法A117 。保持期限，根据0.6电子伏特的激活能，

与结温的额定值下降，如图44中的闪存/ EEMEM可靠性部。该

AD5232

包含9646个晶体管。模具尺寸= 69万× 115万，

7993平方密耳。

版本C |第24 4

数据表

接口时序特性

AD5232

所有的输入控制电压与T指定

= t

= 2.5纳秒（10％至90％的3 V）和从1.5 V开关的电压电平被设定时间

特点是同时使用V测

= 3 V和V

= 5 V.

表2中。

参数

1, 2

时钟周期时间（T

CYC

)

CS建立时间

CLK关机时间CS上升

输入时钟脉冲宽度

数据建立时间

数据保持时间

CS到SDO -SPI线收购

CS到SDO -SPI线发布

CLK到SDO传输延迟

CLK为SDO数据保持时间

CS高脉冲宽度

CS高到CS高

RDY崛起CS下降

CS上升到RDY下降时间

存储/读取EEMEM时间

CS上升到时钟的上升/下降设置

预置脉冲宽度（异步）

预置的响应时间RDY高

符号

, t

PRW

PRESP

条件

时钟电平高或低

从积极CLK转型

民

典型值

最大

= 2.2千欧，C

< 20 pF的

= 2.2千欧，C

< 20 pF的

0.15

0.3

适用于命令指令2 ，命令

指令3 ，和命令指令9

未显示在时序图

PR低脉冲刷新抽头

单位

CYC

通过设计保证;不受生产测试。

参见测量值的位置的时序图部分。

标准结构代表平均读数在25℃和V

= 5 V.

传播延迟取决于V的值

, R

引体向上

和C

有效的命令不激活RDY引脚。

RDY引脚为低电平仅供司令部指令2 ，指令3指令，命令指令8 ，命令指令9 ，命令指令10， PR硬件脉：

CMD_8 1毫秒， CMD_9 = CMD_10 0.12毫秒， CMD_2 = CMD_3 20毫秒。在T设备操作

= -40°C和V

< 3 V延长保存时间为35毫秒。

版本C |第24个5