6MBI100VW-060-50
IGBT模块( V系列)
600V / 100A / 6在一个封装
特点
紧凑的封装
P.C.Board山
低V
CE
(SAT)
IGBT模块
应用
逆变器电机驱动
AC和DC伺服驱动放大器器
不间断电源
工业机械,如焊接机
最大额定值和特性
绝对最大额定值(在Tc = 25 ° C除非另有规定编)
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
逆变器
集电极电流
符号
V
CES
V
GES
Ic
ICP
-IC
-Ic脉冲
Pc
Tj
Tjop
Tc
TSTG
AC: 1分钟。
M5
条件
最大
评级
600
±20
100
200
100
200
335
175
150
125
-40到+125
2500
3.5
VAC
Nm
单位
V
V
A
W
连续
1ms
1ms
1设备
Tc=80°C
Tc=80°C
集电极耗散功率
结温
工作温度junciton
(开关条件下)
外壳温度
储存温度
隔离电压
螺杆转矩
°C
终端和铜基底之间(* 1)
V
ISO
热敏电阻与其他人之间(* 2)
安装(* 3)
-
注* 1:在试验过程中所有端子应连接在一起。
注* 2 :两个热敏电阻端子应连接在一起,另一端应连接在一起,并在试验过程中短路到基板上。
注* 3 :值得推荐值: 2.5-3.5米( M5 )
1
6MBI100VW-060-50
电气特性(在TJ = 25 ° C除非另有规定编)
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE (SAT)
(终奌站)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(片)
逆变器
输入电容
开启时间
打开-O FF时间
资本投资者入境计划
吨
tr
潮流(ⅰ)
花花公子
tf
V
F
(终奌站)
正向电压上
V
F
(片)
反向恢复时间
热敏电阻
阻力
B值
TRR
R
B
I
F
= 100A
I
F
= ±20
中T = 25℃
T = 100℃
T =五十〇分之二十五℃,
条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
GE
= ±20V
V
CE
= 20V ,我
C
= 100毫安
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
Tj=25°C
V
GE
= 15V
Tj=125°C
I
C
= 100A
Tj=150°C
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V , F = 1MHz的
V
GE
= 15V
I
C
= 100A
V
CC
= 300V
I
C
= 100A
V
GE
= +15 / -15V
R
G
= 13
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
IGBT模块
I
F
= 100A
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
1.0
-
-
200
6.2
6.7
7.2
-
2.05
2.50
-
2.35
-
-
2.55
-
-
1.60
2.05
-
1.90
-
-
2.10
-
-
6.4
-
-
0.39
1.20
-
0.09
0.60
-
0.03
-
-
0.53
1.00
-
0.06
0.30
-
2.05
2.50
-
1.95
-
-
1.95
-
-
1.60
2.05
-
1.50
-
-
1.47
-
-
-
0.35
-
5000
-
465
495
520
3305
3375
3450
单位
mA
nA
V
V
nF
s
V
s
K
热阻特性
项
热电阻( 1设备)
接触热阻( 1设备) (* 4)
符号
RTH (J -C )
RTH ( C-F )
条件
逆变器的IGBT
变频器FWD
随着热复合
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
0.45
-
-
0.80
-
0.05
-
单位
° C / W
*注4 :这是是值去连接斯内德安装上额外的冷却科幻n,其中热复合。
等效电路示意
[逆变器]
[热敏电阻]
2
6MBI100VW-060-50
特性(代表)
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压(典型值)。
TJ = 25
o
C /片
200
V
GE
=20V
200
12V
IGBT模块
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压(典型值)。
TJ = 150
o
C /片
V
GE
=20V
15V
12V
集电极电流:I
C
[A]
集电极电流:I
C
[A]
150
15V
10V
150
10V
100
100
50
8V
0
0
1
2
3
4
5
50
8V
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压: V
CE
[V]
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压(典型值)。
V
GE
= 15V /片
200
集电极 - 发射极电压: V
CE
[V]
[逆变器]
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压(典型值)。
TJ = 25
o
C /片
8
集电极电流:I
C
[A]
150
125°C
集电极 - 发射极电压: V
CE
[V]
Tj=25°C
150°C
6
100
4
50
2
Ic=200A
Ic=100A
IC = 50A
0
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
集电极 - 发射极电压: V
CE
[V]
[逆变器]
电容与集电极 - 发射极电压(典型值)。
V
GE
= 0V , F = 1MHz时, TJ = 25
o
C
100.0
门 - 发射极电压: V
GE
[V]
[逆变器]
动态栅极电荷(典型值)
VCC = 300V , IC = 100A , TJ = 25°C
集电极 - 发射极电压: V
CE
[200V/div]
门 - 发射极电压:
V
GE
[5V/div]
电容:的Cies ,卓越中心, Cres的[ nF的]
10.0
资本投资者入境计划
V
GE
1.0
卓越中心
CRES
V
CE
0.1
0
10
20
30
40
0
200
400
600
800
集电极 - 发射极电压: V
CE
[V]
栅极电荷:的Qg [ NC ]
3
6MBI100VW-060-50
IGBT模块
[逆变器]
开关时间与集电极电流(典型值)。
VCC = 300V , VGE = ± 15V , RG = 13Ω , TJ = 125°C
开关时间:吨, TR ,花花公子, TF [纳秒]
开关时间:吨, TR ,花花公子, TF [纳秒]
10000
10000
[逆变器]
开关时间与集电极电流(典型值)。
VCC = 300V , VGE = ± 15V , RG = 13Ω , TJ = 150℃
1000
花花公子
tr
吨
1000
吨
tr
花花公子
100
tf
100
tf
10
0
50
100
150
200
250
300
10
0
50
100
150
200
250
300
集电极电流:I
C
[A]
[逆变器]
开关时间与栅极电阻(典型值)。
VCC = 300V , IC = 100A , VGE = ± 15V , TJ = 125°C
开关损耗:李炎,的Eoff , ERR [兆焦耳/脉冲]
开关时间:吨, TR ,花花公子, TF [纳秒]
10000
花花公子
吨
tr
1000
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
集电极电流:I
C
[A]
[逆变器]
开关损耗与集电极电流(典型值)。
Vcc=300V,VGE=±15V,Rg=13Ω
Eon(150°C)
Eon(125°C)
Eoff(150°C)
Eoff(125°C)
100
tf
Err(150°C)
Err(125°C)
50
100
150
200
10
1.0
10.0
100.0
1000.0
栅极电阻: RG [ Ω ]
[逆变器]
开关损耗与栅极电阻(典型值)。
VCC = 300V , IC = 100A , VGE = ± 15V
开关损耗:李炎,的Eoff , ERR [兆焦耳/脉冲]
30
Eoff(150°C)
Eoff(125°C)
20
集电极电流:I
C
[A]
[逆变器]
反向偏压安全工作区(最大)
+ VGE = 15V , -VGE < = 15V , RG > = 13Ω , TJ < = 125°C
300
集电极电流IC [ A]
200
10
Eon(150°
Eon(125°C)
100
RBSOA
(重复脉冲)
0
1
10
100
Err(150°C)
Err(125°C)
1000
0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
栅极电阻: RG [ Ω ]
集电极 - 发射极电压: V
CE
[V]
4
6MBI100VW-060-50
IGBT模块
正向电流IF [ A]
150
反向恢复电流: IRR [ A]
反向恢复时间: trr的[纳秒]
200
[逆变器]
正向电流与正向电压(典型值)。
芯片
1000
[逆变器]
反向恢复特性(典型值)。
VCC = 600V , VGE = ± 15V , RG = 38Ω
Irr(150°C)
Irr(125°C)
100
trr(150°C)
trr(125°C)
100
Tj=150°C
50
Tj=125°C
0
Tj=25°C
0
1
2
3
4
5
10
0
50
100
150
200
250
300
正向电压: V
F
[V]
瞬态热阻抗(最大)
热resistanse : Rth的(J -C ) [℃ / W]
10.00
100
正向电流:我
F
[A]
[热敏电阻]
温度特性(典型值)。
1.00
电阻值:R [ kΩ的]
FWD [逆变器]
10
IGBT [逆变器]
0.10
1
0.01
0.001
0.010
0.100
1.000
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
脉冲宽度: PW [秒]
温度[° C]
外形图,毫米
5