6MBI100S-140
IGBT模块（ S系列）
1400V / 100A 6在一包
特点
·小型封装
· P.C.Board安装模块
低V
CE
（SAT）
IGBT模块
应用
·逆变器电机驱动器
· AC和DC伺服驱动放大器
·不间断电源
·工业机器，如焊接机
最大额定值和特性
绝对最大额定值（在Tc = 25 ° C除非另有规定编）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极连续TJ = 25℃
当前
1ms
Tj=75°C
Tj=25°C
Tj=75°C
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C
脉冲
-I
C
-I
C
脉冲
P
C
T
j
T
英镑
V
is
安装*
2
等级
1400
±20
150
100
300
200
100
200
700
单位
V
V
A
A
A
A
W
等效电路示意
21(P)
13(P)
1(Gu)
5(Gv)
9(Gw)
2(Eu)
19(U)
6(Ev)
17(V)
10(Ew)
15(W)
1ms
马克斯。功耗（ 1个设备）
工作温度
储存温度
隔离电压* 1
螺杆转矩
3(Gx)
7(Gy)
11(Gz)
°C
+150
°C
-40到+125
AC 2500 （ 1分）V
N·m的
3.5
4(Ex)
20(N)
8(Ey)
12(Ez)
14(N)
* 1 ：所有的端子应连接在一起时，隔离测试将完成。
*2
:
推荐值： 2.5 3.5 N·m的（ M5 ）
电气特性（在TJ = 25 ° C除非另有说明）
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
t
on
t
r
t
r（下ⅰ）
t
关闭
t
f
V
F
t
rr
特征
分钟。
–
–
5.5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
–
–
7.2
2.4
3.0
12000
2500
2200
0.35
0.25
0.1
0.45
0.08
2.6
2.2
–
马克斯。
1.0
0.2
8.5
2.7
–
–
–
–
1.2
0.6
–
1.0
0.3
3.4
–
0.35
条件
V
GE
=0V, V
CE
=1400V
V
CE
=0V, V
GE
=±20V
V
CE
= 20V ，我
C
=100mA
TJ = 25°C V
GE
= 15V ，我
C
=100A
Tj=125°C
V
GE
=0V
V
CE
=10V
f=1MHz
V
CC
=800V
I
C
=100A
V
GE
=±15V
R
G
=12
Tj=25°C
Tj=125°C
I
F
=100A
I
F
= 100A ，V
GE
=0V
V
s
单位
mA
A
V
V
pF
s
打开-O FF时间
二极管的正向电压
反向恢复时间
热阻特性
项
符号
RTH （J -C ）
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ） *
2
特征
分钟。
热阻
–
–
–
典型值。
–
–
0.05
马克斯。
0.18
0.36
–
IGBT
FWD
基座到散热片
° C / W
° C / W
° C / W
条件
单位
*
2
：这是被定义的安装在附加散热片具有热化合物的值
6MBI100S-140
特征
集电极电流与集电极 - 发射极电压
TJ = 25 ° C（典型值）。
250
250
IGBT模块
集电极电流与集电极 - 发射极电压
TJ = 125°C （典型值）。
200
VGE = 20V
15V
12V
200
VGE = 20V
15V
12V
集电极电流IC [ A]
150
10V
集电极电流IC [ A]
150
10V
100
100
50
50
8V
8V
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
VGE = 15V （典型值）。
250
10
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压
TJ = 25 ° C（典型值）。
TJ = 25°C
200
TJ = 125°C
150
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
8
集电极电流IC [ A]
6
100
4
IC = 200A
2
IC = 100A
IC = 50A
50
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
0
5
10
15
20
25
门 - 发射极电压VGE [ V]
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 0V ， F = 1MHz时， TJ = 25°C
50000
1000
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 800V ， IC = 100A ， TJ = 25°C
25
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ pF的]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
800
20
10000
资本投资者入境计划
600
15
400
10
卓越中心
200
5
1000
CRES
0
5
10
15
20
25
30
35
500
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
0
0
200
400
600
800
栅极电荷：的Qg [ NC ]
0
1000
门 - 发射极电压VGE [ V]
6MBI100S-140
IGBT模块
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 800V ， VGE = ± 15V ， RG = 12ohm ， TJ = 25°C
1000
1000
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 800V ， VGE = ± 15V ， RG = 12ohm ， TJ = 125°C
花花公子
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
500
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
吨
花花公子
tr
500
吨
tr
100
100
tf
tf
50
0
50
100
集电极电流IC [ A]
150
200
50
0
50
100
集电极电流IC [ A]
150
200
开关时间与栅极电阻（典型值）。
VCC = 800V ， IC = 100A ， VGE = ± 15V ， TJ = 25°C
5000
40
开关损耗与集电极电流（典型值）。
VCC = 800V ， VGE = ± 15V ， RG = 12ohm
Eon(125°C)
花花公子
35
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
吨
tr
1000
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
30
Eon(25°C)
25
Eoff(125°C)
20
500
15
Eoff(25°C)
Err(125°C)
10
100
tf
5
Err(25°C)
50
10
50
栅极电阻： RG [欧]
100
200
0
0
50
100
集电极电流IC [ A]
150
200
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
VCC = 800V ， IC = 100A ， VGE = ± 15V ， TJ = 125°C
80
宙
250
反向偏置安全工作区
+ VGE = 15V ， -VGE = <15V ， RG = >12ohm ， TJ = <125 ℃，
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
200
60
集电极电流IC [ A]
300
150
40
100
EOFF
20
50
ERR
0
10
50
100
栅极电阻： RG [欧]
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
6MBI100S-140
IGBT模块
正向电流与正向电压（典型值）。
250
300
反向恢复特性（典型值）。
VCC = 800V ， VGE = ± 15V ， RG = 12ohm
200
Tj=125°C
Tj=25°C
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
trr(125°C)
正向电流IF [ A]
100
Irr(125°C)
trr(25°C)
Irr(25°C)
150
100
50
0
0
1
2
3
4
正向电压： VF [ V]
10
0
50
100
正向电流IF [ A]
150
200
瞬态热阻
1
热resistanse ： Rth的（J -C ） [℃ / W]
FWD
IGBT
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度：密码[秒]
外形图，毫米
质量： 260克
QQ：2881677436 复制
