规范
设备名称
型号名称
SPEC 。 NO 。
:
:
:
IGBT模块
6MBI100UB-120
MS5F 5314
富士电气有限公司。
松本厂
11月8日'02 S.Yoshiwatari
11月8日'02 T.Miyasaka T.Fujihira
K.Yamada
MS5F 5314
1
13
a
b
H04-004-07
修订记录
日期
方法分类
fication
IND 。
内容
应用的
日期
发行
日期
修订后的特点
PC ， VCE （SAT） ， VF ，花花公子， TF ，的Rth （J -C ） ， RG
添加填料，
可靠性和警告
DRAWN
检查
T.Miyasaka
K.Yamada
批准
Nov.-08-’02
设定
T.Fujihira
Jan.-31-’03
调整
a
Y.Kobayashi
T.Miyasaka
K.Yamada
T.Miyasaka
T.Fujihira
修订后的Cies ， VF ，
Feb.-14-’03
调整
b
EON， ERR
(P4/13,10/13,11/13)
Y.Kobayashi
K.Yamada
T.Fujihira
MS5F 5314
2
13
a
b
H04-004-06
3.Absolute最大额定值（在Tc = 25 ℃除非另有规定
）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
符号
VCES
VGES
Ic
集电极电流
ICP
-IC
集电极耗散功率
结温
储存温度
终端与铜基之间的隔离* 1
电压
*热敏电阻和其他人之间的2
螺丝
力矩
MOUNTING
*3
-Ic时脉
Pc
Tj
TSTG
VISO
-
AC： 1分钟。
1设备
a
条件
最大
评级
1200
±20
单位
V
V
连续
1ms
Tc=25℃
Tc=80℃
Tc=25℃
Tc=80℃
150
100
300
200
100
200
520
150
W
℃
VAC
N·m的
A
-40½ +125
2500
3.5
（* 1）所有的终端应该连接在一起时，隔离测试将被完成。
（* 2）的两个热敏电阻端子应连接在一起，彼此端子应连接在一起
和短路到基板上时，隔离测试将完成。
（ * 3 ）推荐值： 2.5 3.5米（ M5 ）
4.电气特性（在环境温度为25 ℃ ，除非另有规定）
项
零栅极电压
集电极电流
栅极 - 射极
漏电流
栅极 - 射极
阈值电压
集电极 - 发射极
饱和电压
逆变器
输入电容
开启时间
符号
冰
IGES
VGE （ TH）
VCE （ SAT ）
（终奌站）
VCE （ SAT ）
（片）
资本投资者入境计划
吨
tr
潮流（ⅰ）
花花公子
tf
VF
（终奌站）
VF
（片）
½½½
R导线
R
B
条件
VGE = 0V
VCE = 1200V
VCE = 0V
VGE=±20V
VCE = 20V
IC = 100毫安
VGE=15V
IC = 100A
TJ = 25 ℃
Tj=125℃
TJ = 25 ℃
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6.5
2.10
2.35
1.75
2.00
11
0.36
0.21
0.03
a
a
b
b
b
a
单位
mA
nA
V
1.0
200
8.5
2.45
-
2.1
-
V
Tj=125℃
VCE=10V,VGE=0V,f=1MHz
VCC = 600V
IC = 100A
VGE=±15V
RG = 5.6Ω
TJ = 25 ℃
Tj=125℃
TJ = 25 ℃
Tj=125℃
a
-
1.20
0.60
-
1.00
0.30
2.90
-
a
nF
μs
打开-O FF时间
VGE=0V
IF = 100A
IF = 100A
T = 25℃
T =100℃
T = 25/50℃
-
-
-
-
-
-
-
-
465
3305
0.37
0.07
正向电压上
1.95
2.05
b
1.60
b
反向恢复时间
引线电阻，终端芯片*
热敏电阻
1.70
-
2.55
-
0.35
-
-
520
3450
V
μs
mΩ
Ω
K
阻力
B值
3.4
5000
495
3375
b
（ * ）最大内部终端的手臂中的阻力。
MS5F 5314
4
13
a
b
H04-004-03
5.热电阻特性
项
热电阻（ 1设备）
接触热阻
符号
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ）
IGBT
FWD
条件
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
-
-
-
0.05
a
a
单位
℃/W
用导热膏（ ※ ）
0.24
0.39
-
※
这是被定义的安装在附加散热片具有热化合物的值。
6.指出模块
6MBI100UB-120
100A 1200V
Lot.No.
7.Applicable类别
制造地点（代码）
本规范适用于名为6MBI100UB - 120 IGBT模块。
8.Storage和运输注意事项
该模块应存放在5至35 ℃的标准温度的4575％湿度。
商店模块与数温度变化的场所，以避免凝结在模块的表面上。
避免接触腐蚀性气体和灰尘。
避免在模块上过大的外力。
存储模块与未处理的终端。
不要掉落或以其他方式震荡运输时的模块。
切换时间9.定义
½
½
90%
0V
L
0V
V
GE
t
rr
I
rr
90%
½
½
V
CE
VCC
Ic
90%
R
G
V
GE
V
CE
Ic
0V
0A
t
r（下ⅰ）
t
r
t
on
t
关闭
½
½
Ic
10%
10%
V
CE
t
f
10%
10.包装和贴标签
a
显示屏上的包装盒
- 生产标志
- 型号名称
- 批号
- 在包装盒产品数量
MS5F 5314
5
a
b
13
H04-004-03
6MBI100UB-120
IGBT模块U系列
特点
高开关速度
·电压驱动器
·低电感模块结构
1200V / 100A 6在一包
应用
·不间断电源
·逆变器电机驱动器
· AC和DC伺服驱动放大器·工业设备，如焊接机
最大额定值和特性
绝对最大额定值（在Tc = 25 ° C除非另有规定编）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 射极voltaga
集电极电流
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C
p
-I
C
-I
C
脉冲
P
C
T
j
T
英镑
V
ISO
条件
等级
1200
±20
150
100
300
200
100
200
520
+150
-40到+125
2500
3.5
W
°C
VAC
N·m的
单位
V
V
A
连续TC = 25℃
Tc=80°C
1ms
Tc=25°C
Tc=80°C
集电极耗散功率
结温
储存温度
终端和铜底座之间的隔离电压* 1
螺杆转矩
*热敏电阻和其他人之间的2
安装* 3
1设备
AC： 1分钟。
*
1 :
所有终端应连接在一起时，隔离测试将完成。
*
2 :
两个热敏电阻器端子应连接在一起，彼此端子应连接在一起，并短路
以底板时隔离测试将完成。
*
3
：值得推荐值： 2.5 3.5 N·m的（ M5 ）
电气特性（在TJ = 25 ° C除非另有说明）
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
（终奌站）
V
CE （ SAT ）
（片）
输入电容
逆变器
条件
V
GE
=0V, V
CE
=1200V
V
CE
=0V, V
GE
=±20V
V
CE
= 20V ，我
C
=100mA
V
GE
= 15V ，我
C
= 100A TJ = 25℃
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
V
CE
=10V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
V
CC
=600V
I
C
=100A
V
GE
=±15V
R
G
=5.6
V
GE
=0V
I
F
=100A
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
I
F
=100A
T=25°C
T=100°C
T=25/50°C
特征
分钟。
典型值。
–
–
–
–
4.5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
465
3305
6.5
2.10
2.35
1.75
2.00
11
0.36
0.21
0.03
0.37
0.07
1.95
2.05
1.60
1.70
–
3.4
5000
495
3375
单位
马克斯。
1.0
200
8.5
2.45
–
2.10
–
–
1.20
0.60
–
1.00
0.30
2.25
–
1.90
–
0.35
–
–
520
3450
s
m
Κ
mA
nA
V
V
开启时间
C
IES
t
on
t
r
t
r（下ⅰ）
t
关闭
t
f
V
F
（终奌站）
V
F
（片）
t
rr
R导线
R
nF
s
打开-O FF时间
正向电压上
V
B值
B
*
4
：手臂中最大的内部终端电阻。
项
热阻
接触热阻
热敏电阻
反向恢复时间
引线电阻，终端芯片*
4
阻力
热阻特性
符号
RTH （J -C ）
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ） *
5
条件
IGBT
FWD
随着热复合
特征
分钟。
典型值。
–
–
–
–
–
0.05
单位
马克斯。
0.24
0.39
–
° C / W
° C / W
° C / W
*
5
：这是它被定义安装在附加散热片具有热化合物的值。
6MBI100UB-120
特性（代表）
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 25 ° C /片
250
VGE = 20V 15V
12V
集电极电流IC [ A]
250
VGE=20V
IGBT模块
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 125°C /片
200
集电极电流IC [ A]
200
15V
12V
150
10V
150
100
100
10V
50
8V
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
50
8V
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 15V /片
250
T J = 25°C T J = 125°C
10
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压（典型值）。
TJ = 25C /片
200
集电极电流IC [ A]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
8
150
6
100
4
50
2
Ic=200A
Ic=100A
IC = 50A
0
0
1
2
3
4
0
5
10
15
20
25
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
门 - 发射极电压VGE [ V]
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 0V ， F = 100万赫兹， TJ = 25°C
100.0
集电极 - 发射极电压VCE [ 200V / DIV ]
门 - 发射极电压VGE
[ 5V / DIV ]
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 600V ， IC = 100A ， TJ = 25°C
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ nF的]
资本投资者入境计划
10.0
VGE
CRES
1.0
卓越中心
0.1
0
10
20
30
0
0
200
VCE
400
600
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
栅极电荷：的Qg [ NC ]
6MBI100UB-120
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 5.6欧姆， TJ = 25°C
10000
10000
IGBT模块
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 5.6欧姆， TJ = 125°C
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
1000
吨
花花公子
tr
100
tf
1000
花花公子
吨
tr
100
tf
10
0
50
100
150
200
集电极电流IC [ A]
10
0
50
100
150
200
集电极电流IC [ A]
开关时间与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 100A ， VGE = ± 15V ， TJ = 25°C
10000
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
20
开关损耗与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 5.6欧姆
Eoff(125°C)
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
吨
花花公子
1000
Eon(125°C)
15
Eoff(25°C)
10
Eon(25°C)
tr
100
tf
5
Err(125°C)
Err(25°C)
10
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0
0
50
100
150
200
门极电阻： RG [
]
集电极电流IC [ A]
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 100A ， VGE = ± 15V ， TJ = 125°C
100
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
300
反向偏压安全工作区（最大）
+ VGE = 15V ， -VGE < = 15V ， RG > = 5.6欧姆， TJ < = 125°C
宙
集电极电流IC [ A]
1000.0
75
200
50
100
25
EOFF
0
0.1
1.0
10.0
100.0
ERR
0
0
400
800
1200
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
门极电阻： RG [
]
6MBI100UB-120
正向电流与正向电压（典型值）。
芯片
250
T J = 25°C
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
1000
IGBT模块
反向恢复特性（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 5.6欧姆
200
正向电流IF [ A]
150
T J = 125°C
100
100
TRR
TRR
IRR
IRR
(125°C)
(25°C)
(125°C)
(25°C)
50
0
0
1
2
3
4
正向电压： VF [ V]
10
0
50
100
150
200
正向电流IF [ A]
瞬态热阻抗（最大）
1.000
FWD
温度特性（典型值）。
100
热resistanse ： Rth的（J -C ） [℃ / W]
IGBT
0.100
电阻值：R [K欧姆]
0.010
0.100
1.000
10
0.010
1
0.001
0.001
0.1
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
温度[° C]
脉冲宽度：密码[秒]
6MBI100UB-120
IGBT模块U系列
特点
高开关速度
·电压驱动器
·低电感模块结构
1200V / 100A 6在一包
应用
·不间断电源
·逆变器电机驱动器
· AC和DC伺服驱动放大器·工业设备，如焊接机
最大额定值和特性
绝对最大额定值（在Tc = 25 ° C除非另有规定编）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 射极voltaga
集电极电流
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C
p
-I
C
-I
C
脉冲
P
C
T
j
T
英镑
V
ISO
条件
等级
1200
±20
150
100
300
200
100
200
520
+150
-40到+125
2500
3.5
W
°C
VAC
N·m的
单位
V
V
A
连续TC = 25℃
Tc=80°C
1ms
Tc=25°C
Tc=80°C
集电极耗散功率
结温
储存温度
终端和铜底座之间的隔离电压* 1
螺杆转矩
*热敏电阻和其他人之间的2
安装* 3
1设备
AC： 1分钟。
*
1 :
所有终端应连接在一起时，隔离测试将完成。
*
2 :
两个热敏电阻器端子应连接在一起，彼此端子应连接在一起，并短路
以底板时隔离测试将完成。
*
3
：值得推荐值： 2.5 3.5 N·m的（ M5 ）
电气特性（在TJ = 25 ° C除非另有说明）
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
（终奌站）
V
CE （ SAT ）
（片）
输入电容
逆变器
条件
V
GE
=0V, V
CE
=1200V
V
CE
=0V, V
GE
=±20V
V
CE
= 20V ，我
C
=100mA
V
GE
= 15V ，我
C
= 100A TJ = 25℃
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
V
CE
=10V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
V
CC
=600V
I
C
=100A
V
GE
=±15V
R
G
=5.6
V
GE
=0V
I
F
=100A
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
I
F
=100A
T=25°C
T=100°C
T=25/50°C
特征
分钟。
典型值。
–
–
–
–
4.5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
465
3305
6.5
2.10
2.35
1.75
2.00
11
0.36
0.21
0.03
0.37
0.07
1.95
2.05
1.60
1.70
–
3.4
5000
495
3375
单位
马克斯。
1.0
200
8.5
2.45
–
2.10
–
–
1.20
0.60
–
1.00
0.30
2.25
–
1.90
–
0.35
–
–
520
3450
s
m
Κ
mA
nA
V
V
开启时间
C
IES
t
on
t
r
t
r（下ⅰ）
t
关闭
t
f
V
F
（终奌站）
V
F
（片）
t
rr
R导线
R
nF
s
打开-O FF时间
正向电压上
V
B值
B
*
4
：手臂中最大的内部终端电阻。
项
热阻
接触热阻
热敏电阻
反向恢复时间
引线电阻，终端芯片*
4
阻力
热阻特性
符号
RTH （J -C ）
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ） *
5
条件
IGBT
FWD
随着热复合
特征
分钟。
典型值。
–
–
–
–
–
0.05
单位
马克斯。
0.24
0.39
–
° C / W
° C / W
° C / W
*
5
：这是它被定义安装在附加散热片具有热化合物的值。
6MBI100UB-120
特性（代表）
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 25 ° C /片
250
VGE = 20V 15V
12V
集电极电流IC [ A]
250
VGE=20V
IGBT模块
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 125°C /片
200
集电极电流IC [ A]
200
15V
12V
150
10V
150
100
100
10V
50
8V
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
50
8V
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 15V /片
250
T J = 25°C T J = 125°C
10
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压（典型值）。
TJ = 25C /片
200
集电极电流IC [ A]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
8
150
6
100
4
50
2
Ic=200A
Ic=100A
IC = 50A
0
0
1
2
3
4
0
5
10
15
20
25
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
门 - 发射极电压VGE [ V]
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 0V ， F = 100万赫兹， TJ = 25°C
100.0
集电极 - 发射极电压VCE [ 200V / DIV ]
门 - 发射极电压VGE
[ 5V / DIV ]
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 600V ， IC = 100A ， TJ = 25°C
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ nF的]
资本投资者入境计划
10.0
VGE
CRES
1.0
卓越中心
0.1
0
10
20
30
0
0
200
VCE
400
600
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
栅极电荷：的Qg [ NC ]
6MBI100UB-120
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 5.6欧姆， TJ = 25°C
10000
10000
IGBT模块
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 5.6欧姆， TJ = 125°C
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
1000
吨
花花公子
tr
100
tf
1000
花花公子
吨
tr
100
tf
10
0
50
100
150
200
集电极电流IC [ A]
10
0
50
100
150
200
集电极电流IC [ A]
开关时间与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 100A ， VGE = ± 15V ， TJ = 25°C
10000
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
20
开关损耗与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 5.6欧姆
Eoff(125°C)
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
吨
花花公子
1000
Eon(125°C)
15
Eoff(25°C)
10
Eon(25°C)
tr
100
tf
5
Err(125°C)
Err(25°C)
10
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0
0
50
100
150
200
门极电阻： RG [
]
集电极电流IC [ A]
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 100A ， VGE = ± 15V ， TJ = 125°C
100
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
300
反向偏压安全工作区（最大）
+ VGE = 15V ， -VGE < = 15V ， RG > = 5.6欧姆， TJ < = 125°C
宙
集电极电流IC [ A]
1000.0
75
200
50
100
25
EOFF
0
0.1
1.0
10.0
100.0
ERR
0
0
400
800
1200
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
门极电阻： RG [
]
6MBI100UB-120
正向电流与正向电压（典型值）。
芯片
250
T J = 25°C
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
1000
IGBT模块
反向恢复特性（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 5.6欧姆
200
正向电流IF [ A]
150
T J = 125°C
100
100
TRR
TRR
IRR
IRR
(125°C)
(25°C)
(125°C)
(25°C)
50
0
0
1
2
3
4
正向电压： VF [ V]
10
0
50
100
150
200
正向电流IF [ A]
瞬态热阻抗（最大）
1.000
FWD
温度特性（典型值）。
100
热resistanse ： Rth的（J -C ） [℃ / W]
IGBT
0.100
电阻值：R [K欧姆]
0.010
0.100
1.000
10
0.010
1
0.001
0.001
0.1
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
温度[° C]
脉冲宽度：密码[秒]
QQ：2880707522 复制
