6MBI10S-120
IGBT模块（ S系列）
在单一包装1200V / 10A 6
特点
·小型封装
· P.C.board坐骑
低V
CE
（SAT）
IGBT模块
应用
·逆变器电机驱动器
· AC和DC伺服驱动放大器
·不间断电源
·工业机器，如焊接机
最大额定值和特性
绝对最大额定值（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极连续TC = 25℃
当前
1ms
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C
脉冲
-I
C
-I
C
脉冲
P
C
T
j
T
英镑
V
is
安装*
1
等级
1200
±20
15
10
30
20
10
20
75
单位
V
V
A
A
A
A
W
等效电路
13 (P )
1 （G U）
5 （G V）
9 （ G W ）
2 （E U）
16 (U)
6 （E V）
15 (V )
10 （E W）
14 (W )
1ms
马克斯。功耗（ 1个设备）
工作温度
储存温度
隔离电压
螺杆转矩
3 （G X）
7 （G Y）
11 （G Z）
°C
+150
°C
-40到+125
AC 2500 （ 1分）V
N·m的
3.5
4 （ E X ）
17 (N)
8 （ E Y ）
12 （E Z）
*
1 :
推荐值： 2.5 3.5 N·m的（ M5 ）
电气特性（ TJ = 25 ° C除非另有说明）
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
t
on
t
r
t
r（下ⅰ）
t
关闭
t
f
V
F
t
rr
特征
分钟。
–
–
5.5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
–
–
7.2
2.3
2.8
1200
250
220
0.35
0.25
0.1
0.45
0.08
2.5
2.0
–
马克斯。
1.0
0.2
8.5
2.6
–
–
–
–
1.2
0.6
–
1.0
0.3
3.3
–
0.35
条件
V
GE
=0V, V
CE
=1200V
V
CE
=0V, V
GE
=±20V
V
CE
= 20V ，我
C
=10mA
TJ = 25°C V
GE
= 15V ，我
C
=10A
Tj=125°C
V
GE
=0V
V
CE
=10V
f=1MHz
V
CC
=600V
I
C
=10A
V
GE
=±15V
R
G
=120ohm
Tj=25°C
Tj=125°C
I
F
=10A
I
F
= 10A ，V
GE
=0V
V
s
单位
mA
A
V
V
pF
s
打开-O FF时间
二极管的正向电压
反向恢复时间
热阻特性
项
符号
RTH （J -C ）
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ） *
2
特征
分钟。
热阻
–
–
–
典型值。
–
–
0.05
马克斯。
1.67
2.78
–
IGBT
FWD
基座到散热片
° C / W
° C / W
° C / W
条件
单位
*
2
：这是被定义的安装在附加散热片具有热化合物的值
6MBI10S-120
特征
IGBT模块
集电极电流与集电极 - 发射极电压
TJ = 25℃ （典型值）。
25
25
o
集电极电流与集电极 - 发射极电压
TJ = 125℃ （典型值）。
o
VGE = 20V
15V
20
12V
20
VGE = 20V
15V
12V
集电极电流IC [ A]
15
10V
10
集电极电流IC [ A]
15
10V
10
5
5
8V
8V
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
集电极电流与集电极 - 发射极电压
VGE = 15V （典型值）。
25
10
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压
TJ = 25℃ （典型值）。
o
TJ = 25℃
20
o
TJ = 125℃
8
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
o
集电极电流IC [ A]
15
6
10
4
IC = 20A
2
IC = 10A
IC = 5A
5
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
0
5
10
15
20
25
门 - 发射极电压VGE [ V]
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 0V ， F = 1MHz时， TJ = 25
5000
o
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 600V ， IC = 10A ， TJ = 25
1000
o
C
C
25
800
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ pF的]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
20
门 - 发射极电压VGE [ V]
1000
资本投资者入境计划
600
15
500
400
10
200
5
100
卓越中心
CRES
50
0
5
10
15
20
25
30
35
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
0
0
20
40
60
80
栅极电荷：的Qg [ NC ]
0
100
6MBI10S-120
IGBT模块
开关时间与集电极电流（典型值）。
Vcc=600V,V
GE ？
± 15V ， RG = 120Ω ， TJ = 25
o
C
1000
1000
开关时间与集电极电流（典型值）。
Vcc=600V,V
GE ？
± 15V ， RG = 120Ω ， TJ = 125
o
C
花花公子
500
花花公子
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
500
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
吨
吨
tr
tr
tf
100
100
tf
50
0
5
10
集电极电流IC [ A]
15
20
50
0
5
10
集电极电流IC [ A]
15
20
开关时间与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 10A ， VGE = ± 15V ， TJ = 25°C
5000
3
开关损耗与集电极电流（典型值）。
Vcc=600V,V
GE ？
± 15V ， RG = 120Ω ， TJ = 25
o
C
吨
花花公子
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
tr
1000
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
李炎（ 125℃ ）
o
2
李炎（ 25℃ ）
o
500
EOFF （ 125℃ ）
1
EOFF （ 25℃ ）
ERR （ 125℃ ）
o
o
o
100
tf
ERR （ 25℃ ）
o
50
50
100
500
门极电阻： RG [
]
1000
2000
0
0
5
10
集电极电流IC [ A]
15
20
8
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 10A ， VGE = ± 15V ， TJ = 125°C
反向偏置安全工作区
25
+ VGE = 15V ， -VGE<15V ， Rg>120Ω ， Tj<125
o
C
=
=
=
宙
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
6
集电极电流IC [ A]
EOFF
ERR
0
50
100
500
门极电阻： RG [
]
1000
2000
20
15
4
10
2
5
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
6MBI10S-120
IGBT模块
正向电流与正向电压（典型值）。
25
300
反向恢复特性（典型值）。
Vcc=600V,V
GE ？
± 15V ， RG = 120Ω
TJ = 125℃
20
o
TJ = 25℃
100
o
TRR （ 125℃ ）
o
TRR （ 25℃ ）
反向恢复时间： trr的[纳秒]
反向恢复电流： IRR [ A]
50
正向电流IF [ A]
o
15
10
10
内部收益率（ 125℃ ）
o
内部收益率（ 25℃ ）
o
5
0
0
1
2
正向电压： VF [ V]
3
4
1
0
5
10
正向电流IF [ A]
15
20
瞬态热阻
5
FWD
IGBT
热resistanse ： Rth的（J -C ） [C / W]
1
o
0.1
M623
0.01
脉冲宽度：密码[秒]
0.1
1
0.05
0.001
外形图，毫米
107.5
±1
4-6.1
±0.3
2-5.5
±0.3
16.02
17
93
±0.3
15.24
15.24
15.24
15.24
13
69.6
±0.3
27.6
±0.3
32
±0.3
41.91
45
±1
+ 0.5
0
2.5
±0.1
1.5
93
±0.3
A
A
1.15
±0.2
2.1
±0.1
截面A-A
0.4
0.8
±0.2
12
11
1
3.81
3.5
±0.5
1.5
±0.3
16.02
11.43 11.43 11.43 11.43 11.43
1
±0.2
20.5
±1
2.5
±0.3
17
±1
6.5
±0.5
理论显示尺寸
6
QQ：2881677436 复制
