6MBI150U2B-060
IGBT模块（ U系列）
600V / 150A
IGBT模块
特点
低V
CE
（SAT）
·小型封装
· P.C。板载模块
应用
·逆变器Motoe驱动器
· AC和DC伺服驱动放大器
·不间断电源
最大额定值和特性
绝对最大额定值（TC = 25 ° C除非另有说明）
I
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
-I
C
-I
C
脉冲
P
C
T
j
T
英镑
V
ISO
条件
等级
600
±20
连续
1ms
150
300
150
300
500
+150
-40到+125
AC ：11分钟
AC 2500
AC 2500
3.5 *
1
单位
V
V
A
收藏家功率disspation
工作结温
储存温度
终端与铜基之间的隔离* 2
热敏电阻和其他人之间的电压值* 3
安装螺丝扭矩
* 1值得推荐值： 2.5 3.5 N·m的（ M5 ）
1设备
W
°C
°C
V
V
N·m的
* 2所有接线端子应连接在一起时，隔离测试将完成。
* 3的两个热敏电阻器端子应连接在一起，彼此终端应
连接在一起，并以短底板时，隔离测试将完成。
IGBT模块
特性（代表）
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 25 ° C /片
400
400
6MBI150U2B-060
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 125°C /片
VGE = 20V 15V 12V
集电极电流IC [ A]
集电极电流IC [ A]
300
10V
200
300
VGE=20V15V
12V
10V
200
100
8V
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
100
8V
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 15V /片
400
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压（典型值）。
TJ = 25C /片
10
集电极电流IC [ A]
300
TJ = 25°C环境温度为125°C
8
6
200
4
Ic=300A
Ic=150A
IC = 75A
100
2
0
0
1
2
3
4
0
5
10
15
20
25
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
门 - 发射极电压VGE [ V]
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 0V ， F = 1MHz时， TJ = 25°C
100.0
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ nF的]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
500
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 300V ， IC = 150A ， TJ = 25°C
25
[V]
400
20
门 - 发射极电压VGE
300
VGE
200
10
15
100
VCE
5
0
0
0
200
400
600
800
栅极电荷：的Qg [ NC ]
资本投资者入境计划
10.0
CRES
1.0
卓越中心
0.1
0
10
20
30
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
IGBT模块
6MBI150U2B-060
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 300V ， VGE = ± 15V ， RG = 24Ω ， TJ = 25°C
10000
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
10000
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 300V ， VGE = ± 15V ， RG = 24Ω ， TJ = 125°C
1000
吨
花花公子
tr
100
1000
花花公子
吨
tr
tf
100
tf
10
0
50
100
150
200
250
300
集电极电流IC [ A]
10
0
50
100
150
200
250
300
集电极电流IC [ A]
开关时间与栅极电阻（典型值）。
VCC = 300V ， IC = 150A ， VGE = ± 15V ， TJ = 25°C
10000
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
15
开关损耗与集电极电流（典型值）。
VCC = 300V ， VGE = ± 15V ， RG = 24Ω
Eoff(125°C)
Eon(125°C)
10
Eoff(25°C)
Eon(25°C)
1000
吨
花花公子
100
tf
tr
5
Err(125°C)
Err(25°C)
0
0
100
200
300
10
1
10
门极电阻： RG [
]
100
集电极电流IC [ A]
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
VCC = 300V ， IC = 150A ， VGE = ± 15V ， TJ = 125°C
20
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
400
反向偏压安全工作区（最大）
+ VGE = 15V ， -VGE < = 15V ， RG > = 24Ω ， TJ < = 125°C
10
集电极电流IC [ A]
10
100
15
300
200
EOFF
5
宙
ERR
0
1
门极电阻： RG [
]
100
0
0
200
400
600
800
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
IGBT模块
6MBI150U2B-060
正向电流与正向电压（典型值）。
芯片
400
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
1000
反向恢复特性（典型值）。
VCC = 300V ， VGE = ± 15V ， RG = 24Ω
正向电流IF [ A]
300
Tj=25°C
Tj=125°C
200
TRR （ 125°C ）
100
TRR （ 25 ° C）
内部收益率（ 125°C ）
内部收益率（ 25 ° C）
100
0
0
1
2
3
正向电压： VF [ V]
10
0
100
200
300
正向电流IF [ A]
瞬态热阻抗（最大）
10.00
热resistanse ： Rth的（J -C ） [℃ / W]
100
温度特性（典型值）。
电阻值：R [ kΩ的]
1.000
1.00
FWD
IGBT
10
0.10
1
0.01
0.001
0.1
0.010
0.100
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
脉冲宽度：密码[秒]
温度[° C]
QQ：2881677436 复制
