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2SK3147(L),2SK3147(S)
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-731 （ Z）
1日。版
1999年2月
特点
低导通电阻
R
DS
= 0.1
典型值。
高速开关
4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动
概要
DPAK–2
4
4
D
2
1 2
G
1
3
3
S
1 2
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
2SK3147(L),2SK3147(S)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
注3 AP
E
AR注3
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
100
±20
5
20
5
5
2.5
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
1. PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号最小值
100
±20
—
—
1.0
—
—
3.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.1
0.13
6
420
185
100
10
35
110
60
0.85
85
最大
—
—
±10
10
2.5
0.13
0.18
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 5 A，V
GS
= 0
I
F
= 5 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 50 A /
s
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 3 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 3 A，V
GS
= 4 V
Note4
I
D
= 3 A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 3 A，V
GS
= 10 V
R
L
= 10
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
栅极至源极击穿电压V
（ BR ） GSS
门源漏电流
零门voltege漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注意：
4.脉冲测试
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
2
2SK3147(L),2SK3147(S)
主要特点
功率与温度降额
40
P沟（W）的
I
D
(A)
50
20
10
5
最高安全工作区
10
s
30
10
0
PW
C
D
s
1
m
s
=1
0
散热通道
漏电流
m
ra
pe
O
20
2
s
(1
10
1在操作
这个区域是
0.5限制由R
DS （ ON）
0.2
0.1
TA = 25℃
1
sh
n
TIO
ot
(T
c
=
)
)
°C
25
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
外壳温度
10 20 50 100 200 500
漏极至源极电压V
DS
(V)
2
5
典型的输出特性
10
10 V
10
脉冲测试
(A)
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
8
6V
6
4V
3.5 V
8
I
D
6
漏电流
4
3V
漏电流
4
TC = 75℃
–25°C
25°C
2
V
GS
=2.5 V
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
2
0
1
2
3
栅极至源极电压
4
5
V
GS
(V)
3
2SK3147(L),2SK3147(S)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
0.5
脉冲测试
0.2
0.1
10 V
V
GS
= 4 V
漏极至源极饱和电压
V
DS （上
) (V)
脉冲测试
2.0
1.5
1.0
I
D
=5A
2A
0
12
4
8
栅极至源极电压
1A
16
20
V
GS
(V)
0.5
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
)
2.5
0.05
0.02
0.01
0.1 0.2
0.5 1 2
5 10 20
漏电流I
D
(A)
50
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(
)
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.50
脉冲测试
0.40
1, 2 A
0.30
5A
0.20
V
GS
= 4 V
正向转移导纳主场迎战
漏电流
50
20
TC = -25°C
10
5
75 °C
2
1
0.5
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.3
1
3
10
30
漏电流I
D
(A)
100
25 °C
0.10
10 V
0
–40
5A
1, 2 A
0
40
80
120
160
案例温度T
c
(°C)
4
2SK3147(L),2SK3147(S)
体漏二极管的反向
恢复时间
1000
5000
的di / dt = 50A / μs的
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
2000
1000
500
200
100
50
20
10
0.3
1
3
10
30
100
反向漏电流I
DR
(A)
0
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
20
30
40
50
科斯
CRSS
西塞
典型的电容比。
漏源极电压
反向恢复时间trr （ NS ）
200
100
50
20
10
0.1
电容C （PF ）
500
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
V
DS
(V)
I
D
=5A
V
DD
= 100 V
50 V
25 V
V
GS
V
GS
(V)
200
20
500
300
开关时间t（ NS ）
160
16
吨D（关闭）
100
tf
30
10
吨D（上）
3
1
0.1
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 5微秒，占空比< 1 ％
0.3
3
1
漏电流
10
I
D
(A)
30 100
tr
漏源极电压
120
12
80
8
40
V
DD
= 100 V
50 V
25 V
4
V
DS
0
40
0
8
16
24
32
栅极电荷Qg （ NC ）
栅极至源极电压
5
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295S820F253C11
2SD1238S
24LC640-EP
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