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数据表
NPN硅晶体管RF
2SC5745
NPN硅射频晶体管
HIGH-高频低噪声
扁平引脚3引脚薄型超超Minimold
特点
低电压工作，低相位失真
适用于OSC应用
扁平引线3针薄型超超minimold包
订购信息
产品型号
2SC5745
2SC5745-T1
QUANTITY
50个（非卷轴）
3千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚3（集电极）面对带的穿孔侧
备注
如需订购样品评价，咨询公司销售代表。
样本股数量为50个。
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
评级
15
5.5
1.5
100
200
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
2
记
安装在1.08厘米
×
1.0毫米（t）的玻璃环氧基板
由于这款产品采用高频技术，避免过多的静电，等等。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件P15439EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2001年5月NS CP （ K）
日本印刷
2001
2SC5745
电气特性（T
A
= +25°C)
°
参数
DC特性
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
射频特性
增益带宽积
插入功率增益
噪声系数
反向传输电容
f
T
S
21e
2
NF
C
re
注2
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
V
CB
= 5 V，I
E
= 0毫安
V
BE
= 1 V，I
C
= 0毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 10毫安
–
–
100
–
–
–
100
100
145
nA
nA
–
V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
选择
V
CB
= 0.5 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
4.0
3.0
–
0.7
5.5
4.5
2.0
0.8
–
–
3.0
0.9
GHz的
dB
dB
pF
注意事项1 。
脉搏测量： PW
≤
350
S，占空比
≤
2%
2.
集电极基极电容，当发射器接地
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
价值
FB
TY
100 145
2
数据表P15439EJ1V0DS
2SC5745
典型特征（除另有规定外，T
A
= +25°C)
°
总功耗
- 环境温度
总功耗P
合计
（ mW）的
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容C
re
（PF ）
300
250
200
150
100
50
安装在玻璃环氧树脂板
（ 1.08厘米
2
×
1.0毫米（ t））的
1.0
F = 1 MHz的
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
环境温度T
A
(C)
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 1 V
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 2 V
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
40
35
集电极电流I
C
（MA ）
200
A
180
A
160
A
140
A
120
A
100
A
120
A
80
60
A
40
A
I
B
= 20
A
5
6
7
30
25
20
15
10
5
0
1
2
3
4
集电极到发射极电压V
CE
(V)
数据表P15439EJ1V0DS
3
2SC5745
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 1 V
1 000
V
CE
= 2 V
直流电流增益主场迎战
集电极电流
直流电流增益
FE
100
直流电流增益
FE
1
10
100
100
10
0.1
10
0.1
1
10
100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
4
数据表P15439EJ1V0DS
2SC5745
增益带宽积
与集电极电流
10
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
增益带宽积
与集电极电流
10
V
CE
= 2 V
F = 2 GHz的
8
V
CE
= 1 V
F = 2 GHz的
8
6
6
4
4
2
2
0
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
0
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
插入功率增益与频率
35
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
插入功率增益与频率
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
频率f（ GHz）的
10
V
CE
= 2 V
I
C
= 10毫安
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
频率f（ GHz）的
V
CE
= 1 V
I
C
= 10毫安
10
数据表P15439EJ1V0DS
5
数据表
NPN硅晶体管RF
2SC5745
NPN硅射频晶体管
HIGH-高频低噪声
扁平引脚3引脚薄型超超Minimold
特点
低电压工作，低相位失真
适用于OSC应用
扁平引线3针薄型超超minimold包
订购信息
产品型号
2SC5745
2SC5745-T1
QUANTITY
50个（非卷轴）
3千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚3（集电极）面对带的穿孔侧
备注
如需订购样品评价，咨询公司销售代表。
样本股数量为50个。
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
评级
15
5.5
1.5
100
200
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
2
记
安装在1.08厘米
×
1.0毫米（t）的玻璃环氧基板
由于这款产品采用高频技术，避免过多的静电，等等。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件P15439EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2001年5月NS CP （ K）
日本印刷
2001
2SC5745
电气特性（T
A
= +25°C)
°
参数
DC特性
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
射频特性
增益带宽积
插入功率增益
噪声系数
反向传输电容
f
T
S
21e
2
NF
C
re
注2
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
V
CB
= 5 V，I
E
= 0毫安
V
BE
= 1 V，I
C
= 0毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 10毫安
–
–
100
–
–
–
100
100
145
nA
nA
–
V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
选择
V
CB
= 0.5 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
4.0
3.0
–
0.7
5.5
4.5
2.0
0.8
–
–
3.0
0.9
GHz的
dB
dB
pF
注意事项1 。
脉搏测量： PW
≤
350
S，占空比
≤
2%
2.
集电极基极电容，当发射器接地
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
价值
FB
TY
100 145
2
数据表P15439EJ1V0DS
2SC5745
典型特征（除另有规定外，T
A
= +25°C)
°
总功耗
- 环境温度
总功耗P
合计
（ mW）的
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容C
re
（PF ）
300
250
200
150
100
50
安装在玻璃环氧树脂板
（ 1.08厘米
2
×
1.0毫米（ t））的
1.0
F = 1 MHz的
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
环境温度T
A
(C)
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 1 V
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 2 V
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
40
35
集电极电流I
C
（MA ）
200
A
180
A
160
A
140
A
120
A
100
A
120
A
80
60
A
40
A
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B
= 20
A
5
6
7
30
25
20
15
10
5
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1
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集电极到发射极电压V
CE
(V)
数据表P15439EJ1V0DS
3
2SC5745
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 1 V
1 000
V
CE
= 2 V
直流电流增益主场迎战
集电极电流
直流电流增益
FE
100
直流电流增益
FE
1
10
100
100
10
0.1
10
0.1
1
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集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
4
数据表P15439EJ1V0DS
2SC5745
增益带宽积
与集电极电流
10
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
增益带宽积
与集电极电流
10
V
CE
= 2 V
F = 2 GHz的
8
V
CE
= 1 V
F = 2 GHz的
8
6
6
4
4
2
2
0
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
0
1
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集电极电流I
C
（MA ）
100
插入功率增益与频率
35
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
插入功率增益与频率
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
频率f（ GHz）的
10
V
CE
= 2 V
I
C
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30
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0.1
1
频率f（ GHz）的
V
CE
= 1 V
I
C
= 10毫安
10
数据表P15439EJ1V0DS
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2SK3147L
2-1437561-5
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2N1235
2690RT15
2N2192B
25X35X7
2SD2170
21PT10
27C128-17/TS
202D568X0020B4
22-28-5155
2SC3332T
2IO8
2N3419JANTX
2SC3871
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC5745
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SC5745
RENESAS/瑞萨
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一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市毅创腾电子科技有限公司
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电话：755-83210909 / 83616256
联系人：夏先生
地址：深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室（亚太地区XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿特拉）专业分销商！)
2SC5745
NEC主营品牌
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33000
SOT-523
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北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SC5745
NEC
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86000
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全新原装正品/质量有保证
德国显周集团有限公司
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
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√ 欧美㊣品
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9662
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