【双晶体管的TO- 78为例PD @ TA = 25oC =总的600mW （模都平等权）型号描述IC】,IC型号2N2919,2N2919 PDF资料,2N2919经销商,ic,电子元器件-51电子网

双晶体管

的TO- 78为例

PD @ TA = 25

o

C =总的600mW （模都平等权）

型号

描述

IC

（MA ）

最大

2N2060

2N2060A

2N2223

2N2223A

2N2453

2N2453A

2N2480

2N2480A

2N2639

2N2640

2N2641

2N2642

2N2643

2N2644

2N2652

2N2652A

2N2722

2N2903

2N2903A

2N2913

2N2914

2N2915

2N2915A

2N2916

2N2916A

2N2917

2N2918

2N2919

2N2919A

2N2920

2N2920A

2N3726

2N3727

2N3806

2N3807

2N3808

2N3809

2N3810

2N3810A

2N3811

2N3811A

2N4015

2N4016

2N5794

2N5796

MD708

MD708A

MD708B

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

PNP低噪声

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN SAT SWITCH

500

50

500

30

500

40

50

30

300

50

300

600

200

VCBO

(V)

民

100

60

80

75

80

45

100

45

60

45

60

45

60

75

60

40

VCEO

(V)

民

60

30

50

35

40

45

60

45

30

45

60

45

60

40

60

15

的hFE

(V)

民

50

150

30

50

100

50

125

60

150

60

150

60

150

60

150

135

150

300

150

300

150

300

135

100

40

最大

150

200

600

350

200

300

200

250

625

240

600

240

600

240

600

240

600

350

450

900

450

900

450

900

350

300

200

10

1.0

0.01

1.0

0.001

1.0

0.01

1.0

150

10

@ IC

（MA ）

@ VCE

(V)

最大

5.0

10

1.0

1.2

0.6

1.2

1.0

1.3

1.2

1.0

1.2

1.0

0.35

0.25

0.2

0.25

0.3

0.4

0.5

50

5.0

50

10

50

10

5.0

1.0

50

0.1

50

150

100

VCE （ SAT ）

(V)

@ IC

（MA ）

fT

（兆赫）

* TYP

民

60

50

60

50

40

60

100

60

200

100

200

250

200

300

%

10

20

10

20

10

20

--

10

20

--

15

10

20

10

--

10

20

10

--

20

10

5.0

10

5.0

10

--

10

20

（毫伏）

5.0

3.0

15

5.0

3.0

10

5.0

10

--

5.0

10

--

3.0

5.0

10

5.0

--

3.0

1.5

3.0

1.5

5.0

3.0

1.5

3.0

1.5

5.0

2.5

--

5.0

3.0

1.5

3.0

1.5

5.0

2.5

--

5.0

10

匹配

的hFE

VBE

70

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

2N2919

硅NPN晶体管

数据表

描述

Semicoa半导体提供：

筛选和处理符合MIL -PRF- 19500

附录E

JAN级（ 2N2919J ）

JANTX级别（ 2N2919JX ）

JANTXV级（ 2N2919JV ）

JANS级（ 2N2919JS ）

QCI适用的级别

每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查

2072年的JANTXV和JANS

辐射测试（总剂量）要求

应用

通用

匹配双晶体管

NPN硅晶体管

特点

密封TO- 78金属罐

在芯片配置也可

芯片几何尺寸0307

参考文献：

MIL-PRF-19500/355

好处

请联系Semicoa的特殊配置

www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900

绝对最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流，连续

功耗，T

A

= 25°C

线性降额25°C以上

功耗，T

C

= 25°C

线性降额25°C以上

工作结温

储存温度

牧师

资质等级： JAN ， JANTX ，

JANTXV和JANS

辐射测试可用

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

T

等级

60

70

5

50

300一个部分

600两节

1.71one节

3.43两部分

750一个部分

1.5两节

4.286一款

7.14两部分

-65到+200

单位

伏

mA

mW

毫瓦/°C的

MW

W

毫瓦/°C的

°C

P

T

J

T

英镑

Semicoa半导体公司

麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541

第1页2

www.SEMICOA.com

2N2919

硅NPN晶体管

数据表

电气特性

在T规定的特性

A

= 25°C

开关特性

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极截止电流

集电极 - 发射极截止电流

发射基截止电流

基本特征

参数

符号

h

FE1

h

FE2

h

FE3

h

FE4

h

FE2-1

/h

FE2-2

|V

BE1

-V

BE2

|

1

|V

BE1

-V

BE2

|

2

|V

BE1

-V

BE2

|

3

|V

BE1

-V

BE2

|

1

|V

BE1

-V

BE2

|

2

V

BEsat1

V

CEsat1

测试条件

I

C

= 10

A,

V

CE

= 5伏

I

C

= 100

A,

V

CE

= 5伏

I

C

= 1毫安， V

CE

= 5伏

I

C

= 10

A,

V

CE

= 5伏

T

A

= -55°C

I

C

= 100

A,

V

CE

= 5伏

V

CE

= 5伏，我

C

= 10

A

V

CE

= 5伏，我

C

= 100

A

V

CE

= 5伏，我

C

= 1毫安

V

CE

= 5伏，我

C

= 100

A

T

A

= 25

°C

和-55°C

T

A

= 25

°C

和+ 125°C

I

C

= 1毫安，我

B

= 100

A

I

C

= 1毫安，我

B

= 100

A

符号

V

（ BR ） CEO

I

CBO1

I

CBO2

I

CBO3

I

首席执行官

I

EBO1

I

EBO2

测试条件

I

C

= 10毫安

V

CB

= 70伏

V

CB

= 45伏

V

CB

= 45伏，T

A

= 150°C

V

CE

= 5伏

V

EB

= 6伏

V

EB

= 5伏

民

60

10

2

2.5

2

10

2

民

60

100

150

20

0.9

典型值

最大

240

325

600

1.0

5

3

5

0.8

1

1.0

0.3

典型值

最大

单位

伏

A

nA

A

nA

A

nA

单位

脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比

≤

2.0%

直流电流增益

基射极电压差分

在温度

基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和

电压

动态特性

mVolts

伏

0.5

参数

震级 - 共发射极，短

电路正向电流传输比

小信号短路正向

电流传输比

开路输出电容

符号

|h

FE1

|

h

FE

C

敖包

噪声系数

短路输入阻抗

开路输出导纳

开路反向电压传输

比

牧师

NF

1

NF

2

NF

3

h

ie

h

oe

h

re

测试条件

V

CE

= 5伏，我

C

= 500

A,

F = 20MHz的

V

CE

= 10伏，我

C

= 1毫安，

F = 1千赫

V

CB

= 5伏，我

E

= 0 mA时，

100千赫< F < 1兆赫

V

CE

= 5伏，我

C

= 10

A,

R

g

= 10 k

F = 100赫兹

F = 1千赫

F = 10千赫

V

CB

= 5V ，我

C

= 1mA时， F = 1kHz时

V

CB

= 5V ，我

C

= 1mA时， F = 1kHz时

V

CB

= 5V ，我

C

= 100μA ， F = 1kHz时

民

3

150

典型值

最大

20

600

5

单位

pF

3

5

3

30

60

1x10

-3

dB

k

μmhos

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第2页2

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技术数据表

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戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰

联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298

NPN硅晶体管双

每个合格的MIL -PRF-三百五十五分之一万九千五百

器件

水平

2N2919

2N2920

2N2919L

2N2920L

2N2919U

2N2920U

JAN

JANTX

JANTV

JANS

绝对最大额定值

(T

C

= + 25 ° C除非另有说明）

参数/测试条件

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

一

部分

1

总功耗

@ T

A

= +25°C

P

T

J

, T

英镑

200

价值

60

70

6.0

30

两

节

2

350

mW

°C

TO-78

单位

VDC

MADC

操作&存储结温范围

-65到+200

注意事项：

1.减免线性1.143mW /°C，对于T

A

> + 25 ° C（ 1节）

2.减免线性2.000mW /°C，对于T

A

> + 25 ° C（两节）

电气特性

(T

A

= + 25℃ ，除非另有说明）

参数/测试条件

关CHARACTERTICS

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10mAdc ;脉冲

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 45VDC

V

CB

= 70VDC

发射基截止电流

V

EB

= 5.0VDC

V

EB

= 6.0VDC

符号

分钟。

马克斯。

单位

V

（ BR ） CEO

60

VDC

ü - 包

μAdc

I

CBO

2.0

10

2.0

10

I

EBO

T4 - LDS - 0202修订版1（ 110638 ）

第1页4

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

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电气特性（续）

参数/测试条件

ON CHARACTERTICS

正向电流传输比

I

C

= 10μAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 1.0mAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 10μAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 1.0mAdc ，V

CE

= 5.0VDC

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 1.0mAdc ，我

B

= 100μAdc

基射极饱和电压

I

C

= 1.0mAdc ，我

B

= 100μAdc

符号

分钟。

马克斯。

单位

2N2919 ， 2N2919L ， 2N2919U

h

FE

60

100

150

175

235

300

240

325

600

800

1000

2N2920 ， 2N2920L ， 2N2920U

h

FE

V

CE （ SAT ）

0.3

VDC

V

BE （ SAT ）

0.5

1.0

VDC

动态特性

参数/测试条件

正向电流传输比，震级

I

C

= 0.5mAdc ，V

CE

= 5.0VDC ， F = 20MHz的

小信号短路输入阻抗

I

C

= 1.0mAdc ，V

CE

= 5V直流， F = 1.0kHz

小信号短路输出导纳

I

C

= 1.0mAdc ，V

CE

= 5V直流， F = 1.0kHz

输出电容

V

CB

= 5.0VDC ，我

E

= 0时，在100kHz

≤

f

≤

1.0MHz

噪声系数

I

C

= 10μAdc ，V

CE

= 5V直流， F = 100Hz的，R

G

= 10kΩ

I

C

= 10μAdc ，V

CE

= 5V直流， F = 1.0kHz ，R

G

= 10kΩ

I

C

= 10μAdc ，V

CE

= 5V直流， F = 10kHz时，R

G

= 10kΩ

F

1

F

2

F

3

5.0

3.0

dB

符号

|h

fe

|

分钟。

3.0

马克斯。

20

单位

h

je

3.0

30

kΩ

h

oe

C

敖包

60

5.0

μmhos

pF

T4 - LDS - 0202修订版1（ 110638 ）

第2页4

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真：（ 978 ） 689-0803

网址： http://www.microsemi.com

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联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298

包装尺寸

符号

CD

CD1

CH

HT

LC

LC1

LD

LL

LU

L1

L2

P

Q

TL

TW

r

α

尺寸

英寸

MILLIMETERS

民

最大

民

最大

.335

.370

8.51

9.40

.305

.335

7.75

8.51

.140

.260

3.56

6.60

.009

.041

0.23

1.04

.140

.160

3.56

4.06

0.200 TP

5.08 TP

.016

.021

.041

0.53

见注释10 ，第11和12

.016

.019

.041

0.48

.050

1.27

.250

6.35

.100

2.54

.050

1.27

.029

.045

0.74

1.14

.028

.034

0.71

0.86

.010

0.25

45°TP

笔记

9

10

8

7

5, 6

4, 5

9

注意事项：

1

尺寸为英寸。

2

毫米给出的只是一般信息。

3

选项卡中显示省略。

4

引线号4和8中省略此变异。

5

除了最大， TW依法追究至0.21英寸的最小长度（ 5.33毫米）

6

TL应从最大CD进行测量。

7

大纲在这个区域的细节是可选的。

8

CD1变化应不大于0.010英寸（0.25毫米）的区域P.此区域的控制进行自动处理。

9

导致在计平面0.054 - 0.055英寸 - 低于飞机座位（ 1.37 1.40毫米）应在0.007英寸（0.18 MM）的半径

实际位置（TP ）在最大的物质条件（ MMC）相对于选项卡MMC 。该装置可以通过被测量

直接方法或由该量规和量规描述测量程序的绘制的GS-1 。

10 ，LU应用于L1和L2之间。 LD适用于L2和LL最小值之间。直径不受控制的L1和超越LL

最低限度。

11晶体管类型2N2919和2N2920 ， LL为0.500英寸（ 12.70毫米）最小和0.750英寸（ 19.05毫米）最大。

12晶体管类型2N2919L和2N2920L ， LL是1.500英寸（ 38.10毫米）最小和1.750英寸（ 44.45毫米）

最大。

13根据ASME Y14.5M ，直径相当于

φx

符号。

图1 。

物理尺寸2N2919 ， 2N2919L ， 2N2920和2N2920L （ TO- 78 ）。

T4 - LDS - 0202修订版1（ 110638 ）

第3页4

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真：（ 978 ） 689-0803

网址： http://www.microsemi.com

戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰

联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298

符号

BL

BL2

BW

BW2

CH

LH

LL1

LL2

LS1

LS2

LW

尺寸

英寸

MILLIMETERS

民

最大

民

最大

.240

.250

6.10

6.35

.250

6.35

.165

.175

4.19

4.44

.175

4.44

.044

.080

1.12

2.03

.026

.039

0.66

0.99

.060

.070

1.52

1.78

.082

.098

2.08

2.49

.095

.105

2.41

2.67

.045

.055

1.14

1.39

.022

.028

0.56

0.71

PIN号

1

2

3

4

5

6

晶体管

收藏家没有。 1

基地没有。 1

基地没有。 2

收藏家没有。 2

发射器没有。 2

发射器没有。 1

注意事项：

1尺寸为英寸。

2毫米给出的只是一般信息。

3根据AMSE Y14.5M ，直径相当于

φx

符号。

图2中。

外形尺寸（ 2N2919U和2N2920U ）表面贴装。

T4 - LDS - 0202修订版1（ 110638 ）

第4页4

双晶体管

的TO- 78为例

PD @ TA = 25

o

C =总的600mW （模都平等权）

型号

描述

IC

（MA ）

最大

2N2060

2N2060A

2N2223

2N2223A

2N2453

2N2453A

2N2480

2N2480A

2N2639

2N2640

2N2641

2N2642

2N2643

2N2644

2N2652

2N2652A

2N2722

2N2903

2N2903A

2N2913

2N2914

2N2915

2N2915A

2N2916

2N2916A

2N2917

2N2918

2N2919

2N2919A

2N2920

2N2920A

2N3726

2N3727

2N3806

2N3807

2N3808

2N3809

2N3810

2N3810A

2N3811

2N3811A

2N4015

2N4016

2N5794

2N5796

MD708

MD708A

MD708B

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

PNP低噪声

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN SAT SWITCH

500

50

500

30

500

40

50

30

300

50

300

600

200

VCBO

(V)

民

100

60

80

75

80

45

100

45

60

45

60

45

60

75

60

40

VCEO

(V)

民

60

30

50

35

40

45

60

45

30

45

60

45

60

40

60

15

的hFE

(V)

民

50

150

30

50

100

50

125

60

150

60

150

60

150

60

150

135

150

300

150

300

150

300

135

100

40

最大

150

200

600

350

200

300

200

250

625

240

600

240

600

240

600

240

600

350

450

900

450

900

450

900

350

300

200

10

1.0

0.01

1.0

0.001

1.0

0.01

1.0

150

10

@ IC

（MA ）

@ VCE

(V)

最大

5.0

10

1.0

1.2

0.6

1.2

1.0

1.3

1.2

1.0

1.2

1.0

0.35

0.25

0.2

0.25

0.3

0.4

0.5

50

5.0

50

10

50

10

5.0

1.0

50

0.1

50

150

100

VCE （ SAT ）

(V)

@ IC

（MA ）

fT

（兆赫）

* TYP

民

60

50

60

50

40

60

100

60

200

100

200

250

200

300

%

10

20

10

20

10

20

--

10

20

--

15

10

20

10

--

10

20

10

--

20

10

5.0

10

5.0

10

--

10

20

（毫伏）

5.0

3.0

15

5.0

3.0

10

5.0

10

--

5.0

10

--

3.0

5.0

10

5.0

--

3.0

1.5

3.0

1.5

5.0

3.0

1.5

3.0

1.5

5.0

2.5

--

5.0

3.0

1.5

3.0

1.5

5.0

2.5

--

5.0

10

匹配

的hFE

VBE

70

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

LAB

机械数据

尺寸mm （英寸）

8.51 (0.335)

9.40 (0.370)

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

6.10 (0.240)

6.60 (0.260)

SEME

2N2919

双NPN

平面晶体管

TO77封装

1.02

(0.040)

马克斯。

12.7 (0.500)

分钟。

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

5.08

(0.200)

2.54

(0.100)

2.54

(0.100)

3

2

4

5

6

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

1

45

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

TO- 77封装

引脚1 - 集电极1

2脚 - 基本1

PIN 3 - 发射极1

PIN 4 - 发射器2

PIN 5 - 基地2

PIN 6 - 集电极2

绝对最大额定值

(T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

D

P

D

T

英镑

T

L

笔记

1.基 - 射极二极管开路。

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压1

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

器件总功耗

T

AMB

= 25°C

减免上述25℃

T

C

= 25°C

减免上述25℃

存储温度范围

引线温度（焊接， 10秒）

每侧

设备总

60V

6V

30

300mW

500mW

1.72mW /°C的

2.86W /°C的

750mW

1.5W

4.3mW /°C的

8.6mW /°C的

-65 ℃200℃

300°C

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

预赛。 9/95

LAB

电气特性

（环境温度Tamb = 25° C除非另有说明）

参数

测试条件

1

I

E

= 0

I

B

= 0

I

C

= 0

I

E

= 0

T

A

= 150°C

V

CE

= 5V

V

EB

= 5V

V

CE

= 5V

h

FE

直流电流增益

V

CE

= 5V

V

CE

= 5V

V

BE

V

CE （ SAT ）

h

ib

h

ob

|h

fe

|

C

敖包

基地 - 发射极电压

集电极 - 发射极饱和电压

小信号共 - 基地

输入阻抗

小信号共 - 基地

输出导纳

小信号共 - 基地

电流增益

通用 - 基本开路

输出电容

*脉冲测试：吨

p

= 300

m

s ,

d

1%.

参数

测试条件

I

C

= 100

m

A

I

C

= 100

m

A

I

C

= 100

m

A

I

C

= 100

m

A

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

I

B

= 100

m

A

V

CB

= 5V

F = 1kHz时

V

CB

= 5V

F = 1kHz时

V

CE

= 5V

F = 20MHz的

V

CB

= 5V

I

E

= 0

F = 140kHz至1MHz

I

C

= 500

m

A

3

6

I

C

= 1毫安

V

CE

= 5V

I

B

= 0

I

C

= 10

m

A

T

A

= –55°C

I

C

= 100

m

A

I

C

= 1毫安

I

C

= 1毫安

I

C

= 1毫安

25

I

C

= 100

m

A

I

C

= 0

60

15

100

150

0.70

0.35

32

1

V

分钟。

60

6

2

10

2

240

—

nA

V

典型值。

马克斯。

单位

SEME

2N2919

个人晶体管特性

I

C

= 10

m

A

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿电压

V

（ BR ） CEO *

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

集电极 - 发射极击穿电压I

C

= 10毫安

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

I

E

= 10

m

A

V

CB

= 45V

m

A

nA

W

m

姆欧

—

pF

晶体管的匹配特性

静态正向电流增益

h

FE1

V

CE

= 5V

h

FE2

资产负债率

见注释2 。

V

CE

= 5V

V

CE

= 5V

V

CE

= 5V

T

A1

= 25°C

V

CE

= 5V

T

A1

= 25°C

笔记

0.9

1

3

5

0.8

—

|V

BE1

– V

BE2

|基地 - 发射极电压差

|

D

(V

BE1

– V

BE2

)

D

T

A

|

基地 - 发射极电压差

随温度的变化

I

C

= 10

m

一至1mA

T

A2

= –55°C

T

A2

= 125°C

mV

1

1 ）不属于测试终端打开的所有测试条件下短路。

2）两个读数的下被取为h

FE1

.

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

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网址：

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预赛。 9/95