订购数量： EN2019B
2SB1124/2SD1624
双极晶体管
（ - ） 50V ，（ - ） 3A，低VCE （饱和），（ PNP）的NPN单PCP
应用
http://onsemi.com
电压调节器，继电器驱动器，灯驱动器，电气设备
特点
采用FBET的， MBIT流程
开关速度快
低集电极 - 发射极饱和电压
大电流容量，广ASO
特定网络阳离子
（）： 2SB1124
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
条件
评级
(-
-)60
(--)50
(-
-)6
(--)3
(-
-)6
单位
V
V
V
A
A
接下页。
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7007B-004
顶视图
4.5
1.6
1.5
产品&包装信息
包
： PCP
JEITA ， JEDEC
： SC - 62 ， SOT- 89 ， TO- 243
最小包装数量： 1000个/卷。
2SB1124S-TD-E
2SB1124S-TD-H
2SB1124T-TD-E
2SB1124T-TD-H
2SD1624S-TD-E
2SD1624S-TD-H
2SD1624T-TD-E
2SD1624T-TD-H
包装类型： TD
2.5
1.0
4.0
TD
1
0.4
0.5
1.5
3.0
2
3
0.4
记号
LOT号
秩
DG
2SD1624
2
1
3
2SD1624
BG
秩
0.75
2SB1124
电气连接
2
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
底部视图
1
PCP
3
2SB1124
半导体元件工业有限责任公司， 2013
九月， 2013
80812 TKIM / O1003TN （ KOTO ） / 92098HA （ KT ） / 3307AT ， TS No.2019-1 / 7
LOT号
2SB1124 / 2SD1624
从接下页。
参数
集电极耗散
结温
储存温度
符号
PC
Tj
TSTG
条件
当安装在陶瓷基体（ 250毫米
×0.8mm)
2
评级
500
1.5
150
-
-55到+150
单位
mW
W
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。推荐工作上面的功能操作
条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
VCB = （ - ） 40V， IE = 0A
VEB = （ - ） 4V ， IC = 0A
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ - ） 100毫安
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ - ） 3A
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 50毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
IC = （ - ） 2A ， IB = （ - ）百毫安
VCE = （ - ） 2A， IC = （ - ） 100毫安
IC = （ - ） 10μA ， IE = 0A
IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
IE = （ - ） 10μA ， IC = 0A
请参阅特定网络版测试电路。
(-
-)60
(--)50
(--)6
(70)70
(450)650
(35)35
100*
35
150
(39)25
(--0.35)0.19
(--)0.94
(--0.7)0.5
(--)1.2
兆赫
pF
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
评级
民
典型值
最大
(-
-)1
(--)1
560*
单位
μA
μA
* ;该2SB1124 / 2SD1624的分类网络版由100毫安hFE参数如下：
秩
的hFE
R
100至200
S
140至280
T
200至400
U
280 560
开关时间测试电路
PW=20μs
D.C.≤1%
输入
IB1
RB
IB2
产量
VR
50Ω
25Ω
+
100μF
--5V
+
470μF
25V
IC = 10IB1 = --10IB2 = 1A
对于PNP ，极性是相反的。
订购信息
设备
2SB1124S-TD-E
2SB1124S-TD-H
2SB1124T-TD-E
2SB1124T-TD-H
2SD1624S-TD-E
2SD1624S-TD-H
2SD1624T-TD-E
2SD1624T-TD-H
包
PCP
PCP
PCP
PCP
PCP
PCP
PCP
PCP
航运
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
备忘录
无铅
无铅和无卤素
无铅
无铅和无卤素
无铅
无铅和无卤素
无铅
无铅和无卤素
No.2019-2/7
2SB1124 / 2SD1624
袋装特定网络阳离子
2SB1124S - TD -E ， 2SB1124S - TD -H ， 2SB1124T - TD -E ， 2SB1124T - TD -H ， 2SD1624S - TD -E ， 2SD1624S - TD -H ，
2SD1624T - TD -E ， 2SD1624T - TD -H
No.2019-5/7
订购数量： EN2019B
2SB1124/2SD1624
三洋半导体
数据表
2SB1124/2SD1624
应用
PNP / NPN外延平面硅晶体管
大电流开关
应用
电压调节器，继电器驱动器，灯驱动器，电气设备
特点
采用FBET的， MBIT流程
开关速度快
低集电极 - 发射极饱和电压
大电流容量，广ASO
特定网络阳离子
（）： 2SB1124
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
条件
评级
(-
-)60
(--)50
(-
-)6
(--)3
(-
-)6
单位
V
V
V
A
A
接下页。
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7007B-004
顶视图
4.5
1.6
1.5
产品&包装信息
包
： PCP
JEITA ， JEDEC
： SC - 62 ， SOT- 89 ， TO- 243
最小包装数量： 1000个/卷。
2SB1124S-TD-E
2SB1124S-TD-H
2SB1124T-TD-E
2SB1124T-TD-H
2SD1624S-TD-E
2SD1624S-TD-H
2SD1624T-TD-E
2SD1624T-TD-H
包装类型： TD
2.5
1.0
4.0
TD
1
0.4
0.5
1.5
3.0
2
3
0.4
记号
LOT号
秩
DG
2SD1624
2
1
3
2SD1624
BG
秩
0.75
2SB1124
电气连接
2
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
底部视图
1
三洋： PCP
3
2SB1124
http://www.sanyosemi.com/en/network/
80812 TKIM / O1003TN （ KOTO ） / 92098HA （ KT ） / 3307AT ， TS No.2019-1 / 7
LOT号
2SB1124/2SD1624
从接下页。
参数
集电极耗散
结温
储存温度
符号
PC
Tj
TSTG
条件
当安装在陶瓷基体（ 250毫米
×0.8mm)
2
评级
500
1.5
150
-
-55到+150
单位
mW
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
VCB = （ - ） 40V， IE = 0A
VEB = （ - ） 4V ， IC = 0A
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ - ） 100毫安
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ - ） 3A
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 50毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
IC = （ - ） 2A ， IB = （ - ）百毫安
VCE = （ - ） 2A， IC = （ - ） 100毫安
IC = （ - ） 10μA ， IE = 0A
IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
IE = （ - ） 10μA ， IC = 0A
请参阅特定网络版测试电路。
(-
-)60
(--)50
(--)6
(70)70
(450)650
(35)35
100*
35
150
(39)25
(--0.35)0.19
(--)0.94
(--0.7)0.5
(--)1.2
兆赫
pF
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
评级
民
典型值
最大
(-
-)1
(--)1
560*
单位
μA
μA
* ;该2SB1124 / 2SD1624的分类网络版由100毫安hFE参数如下：
秩
的hFE
R
100至200
S
140至280
T
200至400
U
280 560
开关时间测试电路
PW=20μs
D.C.≤1%
输入
IB1
RB
IB2
产量
VR
50Ω
25Ω
+
100μF
--5V
+
470μF
25V
IC = 10IB1 = --10IB2 = 1A
对于PNP ，极性是相反的。
订购信息
设备
2SB1124S-TD-E
2SB1124S-TD-H
2SB1124T-TD-E
2SB1124T-TD-H
2SD1624S-TD-E
2SD1624S-TD-H
2SD1624T-TD-E
2SD1624T-TD-H
包
PCP
PCP
PCP
PCP
PCP
PCP
PCP
PCP
航运
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
1,00pcs./reel
备忘录
无铅
无铅和无卤素
无铅
无铅和无卤素
无铅
无铅和无卤素
无铅
无铅和无卤素
No.2019-2/7
2SB1124/2SD1624
袋装特定网络阳离子
2SB1124S - TD -E ， 2SB1124S - TD -H ， 2SB1124T - TD -E ， 2SB1124T - TD -H ， 2SD1624S - TD -E ， 2SD1624S - TD -H ，
2SD1624T - TD -E ， 2SD1624T - TD -H
No.2019-5/7
QQ：2881677436 复制
