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数据表

MOS场效应

2SJ355

P沟道MOS场效应管

高开关

该2SJ355是一个P沟道垂直型的MOS场效应管和是

这可以通过一个输出直接驱动开关元件

IC工作在5 V.

本产品具有低导通电阻和高超的切换

特点，是理想的驱动执行器和DC / DC

转换器。

包装尺寸（单位：mm ）

4.5 ±0.1

1.6 ±0.2

1.5 ±0.1

特点

可通过5 -V IC直接驱动

低导通电阻

DS （ ON）

= 0.60

MAX 。 @V

= -4 V，I

= –1.0 A

DS （ ON）

= 0.35

MAX 。 @V

= -10 V，I

= –1.0 A

0.8分钟。

0.42

±0.06

1.5

0.47

±0.06

3.0

0.42

±0.06

4.0 ±0.25

0.41

+0.03

–0.05

等效电路

漏极（四）

引脚连接

S：源

内部D ：漏

二极管

G：门

栅极（G ）

门

保护

二极管

源极（S ）

2.5 ±0.1

标记： PQ

绝对最大额定值（T

= 25 C)

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

符号

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲）

≤

10毫秒

占空比

≤

1 %

总功耗

通道温度

储存温度

英镑

16厘米

0.7mm时，所使用的陶瓷基片

2.0

150

-55到+150

= 0

测试条件

等级

–30

–20/+10

±2.0

±4.0

单位

连接的这种产品的栅极和源极之间的内部二极管，以保护产品免受静电

电力。如果产品被用在电路中的产品的额定电压可以超过，连接

一个保护电路。

采取防静电足够的预防措施处理该产品时。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。

一号文件D11217EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期1996年P月

日本印刷

1996

2SJ355

电气特性（T

= 25 C)

参数

排水截止电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

门输入充电

门源费

栅漏电荷

内部二极管的反向恢复时间

内部二极管的反向恢复电荷

符号

DSS

GSS

GS （ OFF ）

DS(on)1

DS(on)2

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

= –24 V,

= –10 V,

= -1.8 A，I

= -2毫安

= 2.0 A,

的di / dt = 50A /

= -25 V，I

= –1.0 A

GS （ ON）

= –10 V

= 10

= 25

测试条件

= –30 V, V

= 0

= –16/+10 V, V

= 0

= -10 V，I

= -1毫安

= -10 V，I

= –1.0 A

= -4 V，I

= –1.0 A

= -10 V，I

= –1.0 A

= –10 V, V

= 0,

F = 1.0 MHz的

–1.0

1.0

0.50

0.26

300

245

120

5.5

110

130

12.2

1.2

4.6

0.60

0.35

–1.5

分钟。

典型值。

马克斯。

–10

±10

–2.0

单位

典型特征（T

= 25 C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

100

–10

–5

正向偏置安全工作区

的dT - 降额因子 - ％

- 漏电流 - 一个

–2

–1

–0.5

–0.2

–0.1

–0.05

–0.5

单脉冲

100

125

- 环境温度 - C

150

–1

–2

–5 –10 –20

–50 –100

- 漏极至源极电压 - V

2SJ355

漏电流与

漏源极电压

–5

脉冲

–4

–1

传输特性

–10

= –10 V

脉冲

–1

- 漏电流 - 一个

= 150 C

= –25 C

= 0 C

= 25 C

= 75 C

- 漏电流 - 一个

–4

–4.0 V

–0.1

–0.01

–0.001

–3

–3.5 V

–2

–3.0 V

–1

–2.5 V

= –2.0 V

–1

–2

–3

–4

- 漏极至源极电压 - V

–5

–0.0001

–0.00001

–1

–2

–3

–4

- 栅极至源极电压 - V

| - 正向转移导纳 - S

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

正向转移导纳主场迎战

漏电流

= –10 V

脉冲

漏极至源极导通电阻与

漏电流

= –4 V

脉冲

0.8

= 150 C

0.6

= 75 C

= 25 C

= –25 C

0.1

= 0 C

= 25 C

= 75 C

= 150 C

0.01

0.4

= 0 C

0.2

= –25 C

0.001

–0.0001

–0.001

–0.01

–0.1

- 漏电流 - 一个

–1

–0.001

–0.01

–0.1

–1

- 漏电流 - 一个

–10

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

0.6

= –10 V

脉冲

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

漏极至源极导通电阻与

漏电流

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

脉冲

0.8

0.4

= 150 C

= 75 C

= 25 C

0.6

= 2.0 A

0.4

0.2

= 0 C

= –25 C

0.2

= 1.0 A

–0.001

–0.01

–0.1

–1

- 漏电流 - 一个

–10

–2

–4 –6 –8 –10 –12 –14 –16 –18 –20

- 栅极至源极电压 - V

2SJ355

源极到漏极二极管

正向电压

–10

- 二极管正向电流 - 一个

电容与

漏源极电压

10 000

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

= 0

脉冲

–1

1 000

国际空间站

OSS

100

RSS

= 0

F = 1 MHz的

–10

- 漏极至源极电压 - V

–100

–0.1

–0.01

–0.001

–0.0001

–0.2

–0.4

–0.6

–0.8

–1.0

- 源极到漏极电压 - V

–1.2

–1

开关特性

1 000

D（上）

, t

D（关闭）

, t

- 开关时间-ns

反向恢复时间对比

二极管的正向电流

1 000

- 反向恢复时间 - NS

= 25 V

GS （ ON）

= –10 V

= 0

的di / dt = 50A /

100

D（关闭）

100

D（上）

–0.1

–1

- 漏极电流-A

–10

–0.1

–0.5

–1

–5

- 二极管正向电流 - 一个

–10

瞬态热阻与脉冲宽度

号（j -a）的

- 瞬态热阻 - C / W

1 000

单脉冲

采用陶瓷板

为7.5cm

0.7 mm

100

10 m

100 m

PW - 脉冲宽度-s

100

2SJ355

参考

文件名称

NEC半导体设备可靠性/质量控制系统

质量等级NEC半导体设备

半导体设备安装技术手册

先导，以质量为保证半导体器件

半导体选择指南

文档编号

TEI-1202

IEI-1209

C10535E

MEI-1202

X10679E

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8000000

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25+

4500

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7800

原装正品现货，可开增值税专用发票

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NEC

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SOT-89

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2407+

30098

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