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2SK3498
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π - MOSV )
2SK3498
DC-DC转换器,继电器驱动器和电机驱动器
应用
低漏源导通电阻,R
DS ( ON)
= 4.0
(典型值)。
高正向转移导纳:
Y
fs
= 0.6 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
=
100
μA (最大值) (V
DS
= 400 V)
增强模型: V
th
= 2.0 4.0 V(V
DS
=
10
V,I
D
=
1
毫安)
单位:mm
最大额定值
( TC
=
25°C)
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
漏极功耗
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
DC
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
400
400
±30
1
3
20
113
1
2
150
55
to150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲(注1 )
JEDEC
JEITA
东芝
SC-64
2-7B1B
重量:0.58克(典型值)。
热特性
特征
耐热性,信道到外壳
耐热性,信道至环境
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
6.25
125
单位
° C / W
° C / W
注1 :请在使用条件下的设备,该通道温度
低于150 ℃。
注2 : V
DD
=
90 V,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
183毫亨,R
G
=
25
,
I
AR
=
1 A
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
JEDEC
JEITA
东芝
2-7J1B
重量:0.58克(典型值)。
1
2002-02-27
2SK3498
电气特性(TC
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
(栅极 - 源极加上栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
320 V, V
GS
=
10 V,I
D
=
1 A
& LT ;
1%, t
w
=
10
s
=
V
DD
200 V
符号
I
GSS
V
( BR ) GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS
0V
50
I
D
=
0.5 A
V
OUT
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±25
V, V
DS
=
0 V
I
G
= ±10 A,
V
DS
=
0 V
V
DS
=
400 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
0.5 A
V
DS
=
10 V,I
D
=
0.5 A
±30
450
2.0
0.3
典型值。
4.2
0.6
145
35
80
14
56
26
75
5.7
3.0
2.7
最大
±10
100
4.0
5.5
ns
nC
pF
单位
A
V
A
V
V
S
R
L
=
400
源极 - 漏极额定值和特性
( TC
=
25°C)
特征
连续漏反向电流(注1 )
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
(注1 )
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
1 ,V
GS
=
0 V
I
DR
=
1 ,V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
典型值。
650
14.6
最大
1
3
1.7
单位
A
A
V
ns
C
记号
批号
一个月(从字母A启动)
YEAR
(最后公元数)
K3498
TYPE
2
2002-02-27
2SK3498
限制产品使用
000707EAA
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
3
2002-02-27
2SK3498
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π - MOSV )
2SK3498
DC / DC转换器,继电器驱动器和电机驱动器
应用
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 4.0
(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 0.6 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 100
μA
(最大值) (Ⅴ
DS
= 400 V)
增强型: V
th
= 2.0 4.0 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
400
400
±30
1
3
20
113
1
2
150
55
to150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲(注1 )
漏极功耗(TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
SC-64
2-7B1B
重量:0.58克(典型值)。
注意:
在重负载下连续使用(高如应用程序
温度/电流/电压和温度的显著变化,
等)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压,
等)的绝对最大额定值。请设计
经审查东芝半导体适当的可靠性
可靠性手册( “注意事项” /降级的概念和
方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告,
估计的故障率,等)。
热特性
特征
耐热性,信道到外壳
耐热性,信道至环境
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
6.25
125
单位
° C / W
° C / W
注1 :确保通道温度不超过150 ℃。
注2 : V
DD
=
90 V,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
183毫亨,R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
1 A
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
JEDEC
JEITA
东芝
2-7J1B
重量:0.58克(典型值)。
1
2006-11-06
2SK3498
电气特性(Ta
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
(栅极 - 源极加上栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
320 V, V
GS
=
10 V,I
D
=
1 A
& LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
V
DD
200 V
符号
I
GSS
V
( BR ) GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS
0V
50
Ω
I
D
=
0.5 A
V
OUT
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±25
V, V
DS
=
0 V
I
G
= ±10 μA,
V
DS
=
0 V
V
DS
=
400 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
0.5 A
V
DS
=
10 V,I
D
=
0.5 A
±30
450
2.0
0.3
典型值。
4.2
0.6
145
35
80
14
56
26
75
5.7
3.0
2.7
最大
±10
100
4.0
5.5
ns
nC
pF
单位
μA
V
μA
V
V
Ω
S
R
L
=
400
Ω
源极 - 漏极额定值和特性
(大
=
25°C)
特征
连续漏反向电流(注1 )
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
(注1 )
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
1 ,V
GS
=
0 V
I
DR
=
1 ,V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
典型值。
650
14.6
最大
1
3
1.7
单位
A
A
V
ns
μC
记号
K3498
产品型号(或缩写代码)
LOT号
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
2
2006-11-06
2SK3498
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
3
2006-11-06
2SK3498
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π - MOSV )
2SK3498
DC-DC转换器,继电器驱动器和电机驱动器
应用
低漏源导通电阻,R
DS ( ON)
= 4.0
(典型值)。
高正向转移导纳:
Y
fs
= 0.6 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
=
100
μA (最大值) (V
DS
= 400 V)
增强模型: V
th
= 2.0 4.0 V(V
DS
=
10
V,I
D
=
1
毫安)
单位:mm
最大额定值
( TC
=
25°C)
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
漏极功耗
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
DC
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
400
400
±30
1
3
20
113
1
2
150
55
to150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲(注1 )
JEDEC
JEITA
东芝
SC-64
2-7B1B
重量:0.58克(典型值)。
热特性
特征
耐热性,信道到外壳
耐热性,信道至环境
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
6.25
125
单位
° C / W
° C / W
注1 :请在使用条件下的设备,该通道温度
低于150 ℃。
注2 : V
DD
=
90 V,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
183毫亨,R
G
=
25
,
I
AR
=
1 A
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
JEDEC
JEITA
东芝
2-7J1B
重量:0.58克(典型值)。
1
2002-02-27
2SK3498
电气特性(TC
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
(栅极 - 源极加上栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
320 V, V
GS
=
10 V,I
D
=
1 A
& LT ;
1%, t
w
=
10
s
=
V
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200 V
符号
I
GSS
V
( BR ) GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS
0V
50
I
D
=
0.5 A
V
OUT
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±25
V, V
DS
=
0 V
I
G
= ±10 A,
V
DS
=
0 V
V
DS
=
400 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
0.5 A
V
DS
=
10 V,I
D
=
0.5 A
±30
450
2.0
0.3
典型值。
4.2
0.6
145
35
80
14
56
26
75
5.7
3.0
2.7
最大
±10
100
4.0
5.5
ns
nC
pF
单位
A
V
A
V
V
S
R
L
=
400
源极 - 漏极额定值和特性
( TC
=
25°C)
特征
连续漏反向电流(注1 )
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
(注1 )
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
1 ,V
GS
=
0 V
I
DR
=
1 ,V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
典型值。
650
14.6
最大
1
3
1.7
单位
A
A
V
ns
C
记号
批号
一个月(从字母A启动)
YEAR
(最后公元数)
K3498
TYPE
2
2002-02-27
2SK3498
限制产品使用
000707EAA
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK3498
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:800888908 复制
    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    2SK3498
    -
    -
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    -
    终端采购配单精选

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联系人:李先生
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地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
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