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2SK1772
硅N沟道MOS FET
REJ03G0971-0200
(上一个: ADE- 208-1318 )
Rev.2.00
2005年9月7日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
4 V栅极驱动器可以驱动从5V电源。
适合用于DC-DC转换器,电动机驱动器,电源开关,螺线管驱动
概要
瑞萨封装代码: PLZZ0004CA -A
(包名称: UPAK
R
)
3
2 1
G
4
D
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
注意:
标记是"HY" 。
* UPAK是瑞萨科技公司的商标。
Rev.2.00 2005年9月7日第1页6
2SK1772
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
I
DR
PCH
总胆固醇
*1
评级
30
±20
1
2
1
1
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
*2
储存温度
TSTG
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1 %
2.当使用的氧化铝陶瓷板( 12.5
×
20
×
0.7mm)
°
C
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向
恢复时间
注意:
3.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
30
±20
1.0
0.6
典型值
0.4
0.6
1.0
85
65
20
10
15
40
30
1.2
30
最大
±10
50
2.0
0.6
0.85
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 1 A,V
GS
= 0*
I
F
= 1 A,V
GS
= 0,
3
di
F
/ DT = 50 A / μs的*
3
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安, V
DS
= 10 V
I
D
= 0.5 A ,V
GS
= 10 V*
3
I
D
= 0.5 A ,V
GS
= 4 V*
I
D
= 0.5 A ,V
DS
= 10 V*
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 0.5 A ,V
GS
= 10 V,
3
R
L
= 60
*
3
3
Rev.2.00 2005年9月7日第2 6
2SK1772
主要特点
最大信道功率
耗散曲线
1.6
信道功率耗散P沟道** ( W)
( **在almina陶瓷板)
最高安全工作区
10
在这一领域是
限于由R
DS ( ON)
1.2
I
D
(A)
3
1
PW = 100
s
PW
=
1
D
PW
C
O
pe
ra
=
漏电流
0.8
0.3
0.1
0.03
0.01 TA = 25℃
0.1 0.3
1
10
m
s
m
s
TIO
n
0.4
0
50
100
150
200
3
10
30
100
环境温度
的Ta (℃)
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
2.0
10 V
4V
3.5 V
1.0
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
1.6
I
D
(A)
漏电流
5V
脉冲测试
3.0 V
0.8
1.2
0.6
75°C
0.4
TC = 25°C
–25°C
漏电流
0.8
2.5 V
0.4
V
GS
= 2 V
0
1
2
3
4
5
0.2
0
1
2
3
4
5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压V
DS ( ON)
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
()
2.0
脉冲测试
10
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
脉冲测试
5
1.6
1.2
2A
1A
I
D
= 0.5 A
0
2
4
6
8
10
2
1
V
GS
= 4 V
0.5
10 V
0.2
0.1
0.05 0.1
0.2
0.5
1
2
5
0.8
0.4
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页6
2SK1772
静态漏源导通状态
电阻与温度
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
()
2.0
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | ( S)
5.0
2.0
TC = 25°C
1.0
0.5
75°C
–25°C
脉冲测试
1.6
1.2
2A
V
GS
= 4 V
1A
0.5 A
2A
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.5 A, 1 A
80
120
160
0.8
0.2
0.1
0.05
0.02
0.05 0.1
0.2
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.5
1.0
2.0
0.4
0
–40
0
40
外壳温度
T
C
(°C)
漏电流
I
D
(A)
体漏二极管的反向
恢复时间
反向恢复时间trr ( NS )
500
1000
的di / dt = 50A / μs的
V
GS
= 0
TA = 25°C
200
100
50
典型的电容与漏极至
源极电压
(PF )
电容
C
100
西塞
科斯
CRSS
20
10
5
0.02
0.05 0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
10
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
20
30
40
50
1
0
反向漏电流
I
DR
(A)
漏源极电压
V
DS
(V)
动态输入特性
V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
50
开关特性
20
500
V
GS
= 10 V
V
DD
= 30 V
PW = 2
s
1 %
tf
TD (关闭)
I
D
= 1 A
V
GS
T( NS )
开关时间
40
V
DD
= 5 V
16
200
100
50
漏源极电压
30
10 V
20 V
12
20
V
DS
8
20
10
5
0.02
0.05 0.1
10
V
DD
= 5 V
0.8
1.6
4
0
4.0
tr
TD (上)
0
10 V
20 V
2.4
3.2
0.2
0.5
1.0
2.0
栅极电荷
Qg
( NC )
漏电流
I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 6
2SK1772
反向漏电流 -
源极到漏极电压
2.0
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
V
GS
= 10 V
1.6
1.2
0.8
0, –5 V
0.4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压V
SD
(V)
Rev.2.00 2005年9月7日第5 6
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