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数据表
MOS场效应
2SK1958
N沟道MOS FET，用于高速开关
的2SK1958是N沟道纵型MOS场效应管。因为
它可以由一个电压低至1.5V的驱动，它是不
既要考虑驱动电流，这种场效应管是理想的
致动器的低电流的便携式系统，例如头戴耳机
音响和摄像机。
包装尺寸（单位：mm ）
2.1 ±0.1
1.25 ±0.1
2.0 ±0.2
+0.1
0.3
–0
0.65 0.65
特点
门可以通过1.5 V驱动
由于其高输入阻抗有没有必要
考虑驱动电流
所需的部件可以降低
由于偏置电阻可以省略，数
G
S
+0.1
+0.1
0.3
记号
0.15
–0.05
0.9 ±0.1
0-0.1
标记： G21
等效CURCUIT
漏极（四）
栅极（G ）
门
保护
二极管
源极（S ）
国内
二极管
引脚连接
S：源
D：漏
G：门
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
T
ch
T
英镑
PW
≤
10毫秒，占空比
≤
50 %
V
GS
= 0
V
DS
= 0
测试条件
等级
16
±7.0
±0.1
±0.2
150
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
mW
C
C
一号文件D11221EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1996年P月
日本印刷
0.3
–0
D
1996
2SK1958
电气特性（T
A
= 25 C)
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
漏极至源极导通电阻
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
|y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 3 V，I
D
= 10 mA时， V
GS （ ON）
= 3 V,
R
G
= 10
,
R
L
= 300
测试条件
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±7.0
V, V
DS
= 0
V
DS
= 3 V，I
D
= 10
A
V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安
V
GS
= 1.5 V，I
D
= 1毫安
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 10毫安
V
GS
= 4.0 V，I
D
= 10毫安
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0中，f = 1.0兆赫
0.5
20
20
7
5
10
13
3
15
70
100
110
50
15
12
0.8
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
±3.0
1.1
单位
A
A
V
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
2
2SK1958
典型特征（T
A
= 25 C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
100
50
2.0 V
80
I
D
- 漏电流 - 毫安
漏电流与
漏源极电压
DT-降额因子 - ％
40
1.8 V
60
30
40
20
1.6 V
20
10
1.4 V
V
GS
= 1.2 V
0
60
90
120
30
T
A
- 环境温度 - C
150
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
5
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
正向转移导纳主场迎战
漏电流
500
|y
fs
| - 正向转移导纳 - 质谱
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
200
T
A
= –25 C
100
50
V
GS
= 1.5 V
20
10
2.5 V
5
0.5
1
2
5
4.0 V
10
20
50 100 200
500
V
DS
= 3 V
200
100
T
A
= –25 C
25 C
75 C
50
20
10
5
10
20
50
100
I
D
- 漏电流 - 毫安
200
I
D
- 漏电流 - 毫安
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
200
T
A
= 25 C
100
50
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
200
T
A
= 75 C
100
50
V
GS
= 1.5 V
20
10
V
GS
= 1.5 V
20
10
5
2.5 V
4.0 V
2.5 V
5
0.5
1
2
5
4V
10
20
50 100 200
500
0.5
1
2
5
10
20
50 100 200
500
I
D
- 漏电流 - 毫安
I
D
- 漏电流 - 毫安
3
2SK1958
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
排水TOSOURCE通态电阻与
栅极至源极电压
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
30
T
A
= – 25C
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
30
T
A
= 25 C
20
I
D
= 10毫安
1毫安
20
I
D
= 10毫安
1毫安
10
10
0
1
5
6
2
3
4
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
7
0
5
6
2
3
4
1
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
7
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
SOURCE转发漏二极管
电压
200
30
T
A
= 75 C
I
SD
- 二极管正向电流 - 毫安
100
50
20
10
5
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
1.0
20
I
D
= 10毫安
1毫安
10
0
5
6
2
3
4
1
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
7
电容与
漏源极电压
50
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
C
国际空间站
, C
RSS
, C
OSS
- 电容 - pF的
开关特性
500
V
DD
= 3 V
V
GS （ ON）
= 3 V
t
r
200
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
20
10
5
C
国际空间站
C
OSS
100
50
t
f
t
D（上）
20
t
D（关闭）
2
1
C
RSS
0.5
20
1
2
5
10
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
50
10
20
50
100
200
I
D
- 漏电流 - 毫安
500
4
2SK1958
参考
文件名称
NEC半导体设备可靠性/质量控制系统
质量等级NEC半导体设备
半导体设备安装技术手册
先导，以质量为保证半导体器件
半导体选择指南
文档编号
TEI-1202
IEI-1209
C10535E
MEI-1202
X10679E
5
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推荐型号
250R18Y474ZV4E
210-930-22-38
27C512TRPDB-20
2643101902
2944666654
235FN11-120
2SD1453
26-03-4052
2N1596
272003B
2SK1772HYTR-E
200MDP1T1B1M1QEH
2031-42T-SM
2SC5755
2STN2540-A
2SC3044
2SJ355
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28C256-15I/J
207496-7
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    2SK1958
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2SK1958
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联系人：销售部
地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
2SK1958
HAMOS/汉姆
24+
22000
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联系人：陈佳隆
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2SK1958
RENESAS/瑞萨
24+
21000
SSPSC-70
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