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晶体管
2SD0637
(2SD637)
NPN硅外延平面型
对于低功耗一般放大
6.9±0.1
2.5±0.1
1.0
1.0
2.4±0.2 2.0±0.2 3.5±0.1
单位:mm
I
G
G
G
1.5
特点
高盼着电流传输比H
FE
.
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
.
M型封装可以方便的自动和手动插入的
以及独立固定到印刷电路板上。
1.5 R0.9
R0.9
0.4
1.0±0.1
R
0.
0.85
(Ta=25C)
评级
60
50
7
200
100
400
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
2.5
2.5
3
2
1
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
EIAJ : SC- 71
M型模具包
I
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 20V ,我
E
= 0
V
CE
= 20V ,我
B
= 0
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 2毫安,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CE
= 10V ,我
C
= 2毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
V
CB
= 10V ,我
E
= -2mA , F = 200MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
60
50
7
160
0.3
150
3.5
460
0.5
V
兆赫
pF
典型值
最大
1
1
单位
A
A
V
V
V
*
h
FE
等级分类
Q
160 ~ 260
R
210 ~ 340
S
290 ~ 460
h
FE
注)括号中的部分数字显示传统的零件编号。
1.25±0.05
I
绝对最大额定值
0.55±0.1
0.45±0.05
4.1±0.2
4.5±0.1
7
1
晶体管
P
C
- TA
500
60
Ta=25C
I
B
=160A
50
1000
2SD0637
I
C
— V
CE
1200
V
CE
=10V
Ta=25C
I
B
— V
BE
集电极耗散功率P
C
( mW)的
集电极电流I
C
(MA )
400
40
基极电流I
B
(
A
)
140A
120A
100A
30
80A
20
60A
40A
10
20A
800
300
600
200
400
100
200
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
2
4
6
8
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
I
C
— V
BE
200
V
CE
=10V
200
240
V
CE
=10V
Ta=25C
I
C
— I
B
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
V
CE ( SAT )
— I
C
I
C
/I
B
=10
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
160
160
120
25C
Ta=75C
80
–25C
120
80
25C
Ta=75C
–25C
40
40
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
200
400
600
800
1000
0.3
1
3
10
30
100
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极电流I
B
(
A
)
集电极电流I
C
(MA )
h
FE
— I
C
600
V
CE
=10V
300
f
T
— I
E
12
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
(PF )
V
CB
=10V
Ta=25C
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
500
过渡频率f
T
(兆赫)
240
10
400
Ta=75C
25C
8
180
300
–25C
6
120
200
4
100
60
2
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
– 0.1 – 0.3
0
–1
–3
–10
–30
–100
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
(MA )
发射极电流I
E
(MA )
集电极基极电压V
CB
(V)
2
晶体管
NV - 我
C
240
V
CE
=10V
Ta=25C
功能= FLAT
100
2SD0637
-h参数 - 我
C
V
CE
=5V
f=270Hz
200
30
噪声电压NV (MV )
120
R
g
=100k
-h参数
160
10
h
fe
(100)
3
80
22k
40
4.7k
1
h
oe
(10
–1
S)
h
re
(10
–4
)
0.3
h
ie
(10k)
0
10
30
100
300
1000
0.1
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(
A
)
集电极电流I
C
(MA )
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
& QUOT ;外汇及外国贸易法& QUOT ;要导出或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-
istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得
物业,给予相对权利,或者给予任何许可。
(3)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-
ERAL电子设备(如办公设备,通讯设备,测量IN-
struments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 4 )在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段,采购
荷兰国际集团,或使用的产品,因此,事先要求的最先进的最新产品标准
确保最新的技术规格满足您的要求。
( 5 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,多余的设计建议,
所以,这样的设备可能没有违反,因为功能的有关法律,法规我们
产品。
( 6 )使用了该干的包装要求的产品,观察条件(包括保质期
及后拆包待机时间)约定,当规格表被单独更换。
( 7 )本资料的任何部分,未经书面许可,不得转载或复制任何手段
从我们公司。
使用数据表之前,请仔细阅读下面的注意事项
A.这些材料的目的是作为参考,以帮助客户松下的选择
半导体产品最适合他们的应用程序。
由于变形或其他原因,本资料中的任何信息,如可用的
产品类型,技术参数等,如有更改,恕不另行通知。
建议客户联系我们的半导体销售办事处,并获得最新信息
在开始之前,精确的技术研究和/或采购活动。
B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性,但
总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此,
松下将不承担任何错误等,可能AP-而引起的任何损失承担任何责任
梨在这种材料。
C.这些材料仅适用于客户的个人使用。
因此,如果没有松下的事先书面同意,任何其他用途,如再现,
销售或分发该材料给第三方,通过互联网或以任何其他方式,是禁止的。
2001年MAR
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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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√ 欧美㊣品
▲10/11+
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