27C512A
512K （ 64K ×8 ） CMOS EPROM
特点
高速性能
CMOS技术的低功耗
- 25毫安有功电流
- 30
待机电流
工厂编程可用
自动插入兼容的塑料封装
自动识别辅助自动化编程
高速特快规划算法
有组织的64K ×8 ： JEDEC标准引脚
- 28脚双列直插式封装
- 32引脚PLCC封装
- 28引脚SOIC封装
- 磁带和卷轴
数据保留和GT ; 200年
适用于以下温度范围
- 商业：
0 ° C至+ 70°C
- 工业：
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车：
-40°C至+ 125°C
封装类型
A7
A12
A15
NU
VCC
A14
A13
32
31
PLCC
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
O0
5
6
30
4
3
2
1
29
28
8
9
10
11
12
13
14
15
27C512A
7
27
26
25
24
23
22
21
A8
A9
A11
NC
OE / V
PP
A10
CE
O7
O6
16
17
18
19
DIP / SOIC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A14
A13
A8
A9
A11
OE / V
PP
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
描述
Microchip Technology Inc.的27C512A是CMOS
512K位电可编程只读存储器
（EPROM） 。该设备是由组织成64K字
8位（ 64K字节）。访问从单个字节
地址转换或电（芯片使能引脚
要低）来完成在小于90纳秒。这
超高速器件允许的最先进的
微处理器全速，而无需运行
为等待状态。 CMOS的设计和加工
使得能够在系统中使用该部分，其中减少
功耗和高可靠性的要求一
求。
包的一个完整的家庭提供提供
最灵活性的应用。对于表面安装应用程序
阳离子， PLCC和SOIC封装提供。磁带或
卷筒包装也可用于PLCC或SOIC
包。
1998年Microchip的科技公司
这种材料版权归其各自的制造商
27C512A
O1
O2
V
SS
NU
O3
O4
O5
20
DS11173F第1页
27C512A
1.0
1.1
电气特性
最大额定值*
表1-1：
名字
A0-A15
CE
OE / V
PP
O0 - O7
V
CC
V
SS
NC
NU
引脚功能表
功能
地址输入
芯片使能
输出使能/编程电压
数据输出
+ 5V电源
地
无连接;无内部连接
化
未使用;无需外部连接是
允许
V
CC
与输入电压w.r.t. V
SS
........ -0.6V至+ 7.25V
V
PP
电压w.r.t. V
SS
中
编程......................................... -0.6V至+ 14V
在A9 w.r.t.电压V
SS
....................... -0.6V至+ 13.5V
输出电压w.r.t. V
SS
.................- 0.6V至V
CC
+1.0V
储存温度.......................... -65C至+ 150C
环境温度。应用了电源...... -65C至+ 125C
*注：超出上述“绝对最大值”上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力额定
荷兰国际集团的设备仅运行在超过或任何
上述其他条件的操作列表说明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值CON-
ditions长时间可能会影响器件的可靠性。
表1-2：
读操作DC特性
V
CC
= +5V
±
10%
商业：
工业：
扩展的（汽车） ：
环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
环境温度Tamb = -40°C至+ 85°C
环境温度Tamb = -40 ° C至+ 125°C
单位
V
V
A
V
V
A
pF
pF
mA
mA
V
IN
= 0至V
CC
I
OH
= - 400
A
I
OL
= 2.1毫安
V
OUT
= 0V至V
CC
V
IN
= 0V ; TAMB = 25
°
C;
F = 1 MHz的
V
OUT
= 0V ; TAMB = 25
°
C;
F = 1 MHz的
V
CC
= 5.5V
F = 1兆赫;
OE / V
PP
= CE = V
IL
;
I
OUT
= 0 mA时;
V
IL
= -0.1 0.8V ;
V
IH
= 2.0 V
CC
;
注1
条件
参数
输入电压
输入漏
输出电压
输出漏
输入电容
输出电容
电源电流，
活跃
部分*
所有
所有
所有
所有
所有
所有
C
I，E
状态
逻辑"1"
逻辑"0"
符号
V
IH
V
IL
I
LI
民
2.0
-0.5
-10
2.4
最大
V
CC
+1
0.8
10
0.45
逻辑"1"
逻辑"0"
—
—
—
TTL输入
TTL输入
V
OH
V
OL
I
LO
C
IN
C
OUT
I
CC
I
CC
-10
—
—
—
—
10
6
12
25
35
电源电流，
待机
C
I，E
所有
TTL输入
I
CC
(
S
)
TLL
TTL输入
I
CC
(
S
)
TLL
CMOS输入I
CC
(
S
)
CMOS
—
—
—
1
2
30
mA
mA
A
CE = VCC
±
0.2V
*配件： C =商业级温度范围; I， E =工业级和扩展级温度范围
注1 ：典型有源电流增加每MHz 0.75毫安到工作频率为所有的温度范围内。
DS11173F第2页
这种材料版权归其各自的制造商
1998年Microchip的科技公司
27C512A
表1-3：
读操作交流特性
AC测试波形：
输出负载：
输入上升和下降时间：
环境温度：
V
IH
= 2.4V和V
IL
= .45V;
1 TTL负载+ 100 pF的
10纳秒
商业：
工业：
扩展的（汽车） ：
27C512-12
民
—
—
—
0
0
最大
120
120
50
40
—
V
OH
= 2.0V和V
OL
= 0.8V
环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
环境温度Tamb = -40°C至+ 85°C
环境温度Tamb = -40 ° C至+ 125°C
27C512-15
单位条件
民
—
—
—
0
0
最大
150
150
60
45
—
ns
ns
ns
ns
ns
CE = OE /
V
PP
= V
IL
OE / V
PP
=
V
IL
CE = V
IL
27C512-90*
参数
地址输出
延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
OE为输出高
阻抗
从输出保持
地址， CE或OE /
V
PP
为准
发生网络RST
符号
民
t
加
t
CE
t
OE
t
关闭
t
OH
—
—
—
0
0
最大
90
90
40
35
—
27C512-10*
民
—
—
—
0
0
最大
100
100
40
35
—
* 10分之90 AC测试波形： V
IH
= 3.0V和V
IL
= 0V; V
OH
= 1.5V和V
OL
= 1.5V
输出负载： 1 TTL负载+ 30 pF的
图1-1：
V
IH
地址
V
IL
V
IH
CE
V
IL
读操作波形
地址有效
t
CE(2)
V
IH
OE
V
IL
V
OH
V
OL
t
加
t
OE(2)
高Z
t
OFF(1,3)
t
OH
有效的输出
高Z
输出
O0 - O7
注：（1 ）T
关闭
被指定为OE或CE ，以先到为准
（ 2 ） OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
（3 ）该参数进行采样，不是100％的测试。
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27C512A
表1-4：
编程直流特性
环境温度：环境温度Tamb = 25
°
C
±
5
°
C
V
CC
= 6.5V
±
0.25V ， OE / V
PP
= V
H
= 13.0V
±
0.25V
参数
输入电压
输入漏
输出电压
V
CC
目前，节目&验证
OE / V
PP
目前，项目
A9产品Identi网络阳离子
状态
逻辑“1”的
逻辑“0”的
—
逻辑“1”的
逻辑“0”的
—
—
—
符号
V
IH
V
IL
I
LI
V
OH
V
OL
I
CC2
I
PP2
V
ID
分钟。
2.0
-0.1
-10
2.4
—
—
—
11.5
马克斯。
V
CC
+1
0.8
10
0.45
35
25
12.5
单位
V
V
A
V
V
mA
mA
V
V
IN
= 0V至V
CC
I
OH
= -400
A
I
OL
= 2.1毫安
CE = V
IL
条件（见注1 ）
注1 ： V
CC
必须同时或V前申请
PP
在OE / V的电压
PP
并同时或之后除去
在V
PP
在OE / V的电压
PP
.
表1-5 ：
编程交流特性
AC测试波形： V
IH
= 2.4V和V
IL
=0.45V; V
OH
=2.0V; V
OL
=0.8V
环境温度： 25℃
±5°C
V
CC
= 6.5V
±
0.25V ， OE / V
PP
= V
H
= 13.0V
±
0.25 V
符号
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
DF
t
VCS
t
PW
t
CES
t
OES
t
OEH
t
OR
t
PRT
分钟。
2
2
2
0
0
2
95
2
2
2
2
50
马克斯。
—
—
—
—
130
—
105
—
—
—
—
—
单位
s
s
s
s
ns
s
s
s
s
s
s
ns
100
s
典型
备注
对于方案，方案验证
和编程禁止模式
参数
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
浮动延迟（ 2 ）
V
CC
建立时间
节目脉冲宽度（ 1 ）
CE建立时间
OE建立时间
OE保持时间
OE恢复时间
OE / V
PP
上升时间在编程
注1 ：对于快递的算法，最初的规划宽度公差为100
s ±5%.
2 ：该参数只采样，而不是100 ％ teted 。输出FL燕麦是德网络定义为点数据不
不再被驱动（见时序图） 。
DS11173F第4页
这种材料版权归其各自的制造商
1998年Microchip的科技公司
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