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2SK3388
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π - MOSV )
2SK3388
开关稳压器, DC- DC转换器应用
电机驱动应用
单位:mm
·
·
·
·
低漏源导通电阻,R
DS ( ON)
= 82毫欧(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 20 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
=
100
μA (V
DS
= 250 V)
增强型: V
th
=
1.5
至3.5 V(V
DS
=
10
V,I
D
=
1
毫安)
最大额定值
(大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20千瓦)
栅源电压
DC
(注1 )
脉冲
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
250
250
±20
20
A
60
125
487
20
12.5
150
-55~150
W
mJ
A
mJ
°C
°C
单位
V
V
V
漏电流
JEDEC
JEITA
东芝
SC-97
2-9F1B
漏极功耗(TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
重量0.74克(典型值)。
电路CON组fi guration
注意:
热特性
特征
耐热性,信道到外壳
符号
R
TH( CH-C )
最大
1.00
单位
° C / W
请使用S1引脚门
输入信号的回报。使
确保主电流
流入S2引脚。
4
注1 :请在使用条件下的设备,该通道温度
低于150 ℃。
注2 : V
DD
=
50 V ,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
2.06 mH的,我
AR
=
20 A,
R
G
=
25
W
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
2
1
3
1
2002-02-06
2SK3388
电气特性
(注4 ) (大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
(栅极 - 源极加上栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
V
GS
10 V
0V
4.7
W
I
D
=
10 A
V
OUT
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
250 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
10 A
V
DS
=
10 V,I
D
=
10 A
250
1.5
10
典型值。
82
20
4000
300
1000
7
20
25
145
100
70
30
最大
±10
100
3.5
105
ns
nC
pF
单位
mA
mA
V
V
mW
S
V
DD
~
125 V
-
& LT ;
1%, t
w
=
10
ms
=
V
DD
~
200 V, V
GS
=
10 V,
-
I
D
=
20 A
注4 :请连接引脚S1和S2针,然后接地连接引脚。
(然而,当切换时间测量,请不要连接并接地。 )
源极 - 漏极额定值和特性
(注5 ) (大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
(注1 ,注5 )
脉冲漏极电流反向
(注1 ,注5 )
连续漏电流反向
(注1 ,注5 )
脉冲漏极电流反向
(注1 ,注5 )
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
1
I
DRP
1
I
DR
2
I
DRP
2
V
DS2F
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR1
=
20 A,V
GS
=
0 V
I
DR
=
20 A,V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / MS
典型值。
300
3.3
最大
20
60
1
4
-2.0
单位
A
A
A
A
V
ns
mC
注5 :排水时, S2端子之间流动的电流值,打开S1引脚
漏,在S1管脚之间流动的电流值,打开S2销
除非另有说明,请连接的S1和S2的引脚,然后研磨的连接引脚。
记号
批号
K3388
TYPE
一个月(从字母A启动)
YEAR
(最后公元数)
R
L
=
12.5W
2
2002-02-06
2SK3388
I
D
– V
DS
20
10
4.5
16
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
4
8
3.8
100
6
4.2
80
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
I
D
– V
DS
8
10
6
5.5
(A)
I
D
12
I
D
漏电流
(A)
60
漏电流
5
40
4.5
20
VGS
=
4 V
0
0
4
VGS
=
3.5 V
0
0
1
2
3
4
5
4
8
12
16
20
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
50
常见的来源
VDS
=
10 V
40
脉冲测试
4
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
3
(A)
I
D
漏源电压
30
漏电流
V
DS
(V)
2
ID
=
20 A
20
100
10
Tc
= -55°C
1
25
10
5
0
0
2
4
6
8
10
0
0
5
10
15
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
– I
D
100
常见的来源
1000
常见的来源
Tc
= -55°C
100
25
Tc
=
25°C
脉冲测试
VDS
=
10 V
脉冲测试
R
DS ( ON)
– I
D
Y
fs
(S)
正向转移导纳
10
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
( mW)的
100
VGS
=
10, 15 V
1
1
10
100
10
1
10
100
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
3
2002-02-06
2SK3388
R
DS ( ON)
TC =
( mW)的
200
常见的来源
VGS
=
10 V
160
脉冲测试
ID
=
20 A
120
10
100
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
I
DR
– V
DS
R
DS ( ON)
反向漏电流I
DR
5
(A)
VGS
=
10 V
5
3
1
漏源导通电阻
80
1
0
40
0
-80
-40
0
40
80
120
160
0.1
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
-1.6
壳温度
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
西塞
4
V
th
TC =
常见的来源
栅极阈值电压V
th
(V)
VDS
=
10 V
3
ID
=
1毫安
脉冲测试
(PF )
电容C
1000
科斯
2
100
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
10
0.1
1
10
CRSS
1
0
-80
100
-40
0
40
80
120
160
壳温度
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
P
D
TC =
200
500
动态输入/输出特性
20
常见的来源
ID
=
20 A
(W)
(V)
160
P
D
V
DS
VDD
=
50 V
300
VGS
200
VDS
100
200
8
12
漏极功耗
漏源电压
80
40
100
4
10
0
40
80
120
160
200
0
0
40
80
120
160
0
200
壳温度
(°C)
总栅极电荷Q
g
( NC )
4
2002-02-06
栅源电压
120
V
GS
400锝
=
25°C
脉冲测试
16
(V)
2SK3388
r
th
– t
w
10
归瞬态热阻抗
r
日(T )
/R
TH( CH-C )
1
=
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.00001
PDM
t
T
=
t/T
RTH ( CH-C )
=
1.0°C/W
0.001
0.01
0.1
1
10
单脉冲
0.0001
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
100
ID MAX(脉冲)
*
100
女士*
1毫秒*
ID最多
图10(续)
直流操作
Tc
=
25°C
500
E
AS
– T
ch
(兆焦耳)
雪崩能量EAS
400
(A)
漏电流
ID
300
200
1
*
单一不重复的脉冲
Tc
=
25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
100
0.1
1
VDSS最大
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
10
通道温度(初始)T
ch
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
15 V
-15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
波形
Ε
AS
=
1
B VDSS
÷
×
L
×
I2
×
B
2
-
VDD
÷
è
VDSS
测试电路
R
G
=
25
W
V
DD
=
50 V,L
=
2.06 mH的
5
2002-02-06
2SK3388
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π - MOSV )
2SK3388
开关稳压器和DC- DC转换器应用
电机驱动应用
低漏源导通电阻,R
DS ( ON)
= 82毫欧(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 20 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 100
μA
(V
DS
= 250 V)
增强型: V
th
= 1.5 3.5 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
250
250
±20
20
60
125
487
20
12.5
150
55~150
单位
V
V
V
A
W
脉冲(注1 )
漏极功耗(TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
JEDEC
mJ
A
mJ
°C
°C
SC-97
2-9F1B
JEITA
东芝
重量0.74克(典型值)。
注意:
重负载下连续使用(如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册( “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法)和个人可靠性数据(即可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
热特性
特征
耐热性,信道到外壳
符号
R
TH( CH-C )
最大
1.00
单位
° C / W
电路CON组fi guration
注意:
请使用S1引脚门
输入信号的回报。使
确保主电流
流入到S2的销。
4
注1 :确保通道温度不超过150 ℃。
注2 : V
DD
=
50 V ,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
2.06 mH的,我
AR
=
20 A,R
G
=
25
Ω
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2
3
1
2009-09-29
2SK3388
记号
注4 :根据地段第一个行标识产品的说明
标签。
没有下划线: [铅] /包括> MCV
产品型号(或缩写代码)
下划线: [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
LOT号
注4
K3388
请联系您的东芝销售代表了解详细信息,以
环境问题,如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC
与2003年1月27日,安理会对使用的限制
某些有害物质的电器和电子设备。
电气特性
(注5 ) (大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
(栅极 - 源极加上栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
V
GS
10 V
0V
4.7
Ω
I
D
=
10 A
R
L
=
12.5Ω
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
250 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
10 A
V
DS
=
10 V,I
D
=
10 A
250
1.5
10
V
OUT
典型值。
82
20
4000
300
1000
7
20
25
145
100
70
30
最大
±10
100
3.5
105
ns
nC
pF
单位
μA
μA
V
V
S
V
DD
125 V
& LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
V
DD
200 V, V
GS
=
10 V,
I
D
=
20 A
注5 :连接S1和S2引脚连接在一起,并且接地他们除了切换时间的测量过程中。
源极 - 漏极额定值和特性
(注6 ) (大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
(注1 ,注6 )
脉冲漏极电流反向
(注1 ,注6 )
连续漏电流反向
(注1 ,注6 )
脉冲漏极电流反向
(注1 ,注6 )
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
1
I
DRP
1
I
DR
2
I
DRP
2
V
DS2F
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR1
=
20 A,V
GS
=
0 V
I
DR
=
20 A,V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
典型值。
300
3.3
最大
20
60
1
4
2.0
单位
A
A
A
A
V
ns
μC
注6 :我
DR
1, I
DRP
1 :电流在漏极和S2的销之间流动。确保S1引脚悬空。
I
DR
2, I
DRP
2:电流在漏极和S1的管脚之间流动。确保S2引脚悬空。
除非另有说明,连接S1和S2引脚连接在一起,并研磨它们。
2
2009-09-29
2SK3388
I
D
– V
DS
20
10
4.5
16
100
6
4.2
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
4
8
3.8
80
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
I
D
– V
DS
8
10
6
5.5
漏电流I
D
(A)
12
漏电流I
D
(A)
60
5
40
4.5
20
VGS
=
4 V
0
0
4
VGS
=
3.5 V
0
0
1
2
3
4
5
4
8
12
16
20
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
50
常见的来源
4
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
3
40
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏源电压
30
V
DS
(V)
VDS
=
10 V
2
ID
=
20 A
20
100
10
Tc
= 55°C
1
25
10
5
0
0
2
4
6
8
10
0
0
5
10
15
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
– I
D
100
常见的来源
1000
常见的来源
Tc
= 55°C
100
25
Tc
=
25°C
脉冲测试
VDS
=
10 V
脉冲测试
R
DS ( ON)
– I
D
正向转移导纳
Y
fs
(S)
10
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
100
VGS
=
10, 15 V
1
1
10
100
10
1
10
100
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
3
2009-09-29
2SK3388
R
DS ( ON)
TC =
(mΩ)
200
常见的来源
160
VGS
=
10 V
脉冲测试
ID
=
20 A
120
5
10
100
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
I
DR
– V
DS
漏源电阻R
DS ( ON)
反向漏电流I
DR
(A)
VGS
=
10 V
5
3
1
80
1
0
40
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
壳温度( ° C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
西塞
4
V
th
TC =
常见的来源
V
th
(V)
VDS
=
10 V
3
ID
=
1毫安
脉冲测试
(PF )
栅极阈值电压
1000
科斯
电容C
2
100
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
10
0.1
1
10
CRSS
1
0
80
100
40
0
40
80
120
160
壳温度( ° C)
漏源电压
V
DS
(V)
P
D
TC =
200
500
动态输入/输出特性
20
常见的来源
ID
=
20 A
400锝
=
25°C
脉冲测试
VDD
=
50 V
300
VGS
200
VDS
100
200
8
12
16
漏极功耗P
D
(W)
V
DS
(V)
160
漏源电压
80
40
100
4
10
0
40
80
120
160
200
0
0
40
80
120
160
0
200
壳温度( ° C)
总栅极电荷Q
g
( NC )
4
2009-09-29
栅源电压
120
V
GS
(V)
2SK3388
r
th
– t
w
10
归瞬态热阻抗
r
日(T )
/R
TH( CH-C )
1
=
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.00001
PDM
t
T
=
t/T
RTH ( CH-C )
=
1.0°C/W
0.001
0.01
0.1
1
10
单脉冲
0.0001
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
100
ID MAX(脉冲)
*
100
μs*
1毫秒*
ID最多
图10(续)
直流操作
Tc
=
25°C
500
E
AS
– T
ch
雪崩能量EAS (兆焦耳)
400
(A)
漏极电流ID
300
200
1
*
单一不重复的脉冲
Tc
=
25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
100
0.1
1
VDSS最大
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
10
通道温度(初始)T
ch
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
15 V
15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
波形
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
2
VDD
VDSS
测试电路
R
G
=
25
Ω
V
DD
=
50 V,L
=
2.06 mH的
5
2009-09-29
2SK3388
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π - MOSV )
2SK3388
开关稳压器和DC- DC转换器应用
电机驱动应用
低漏源导通电阻,R
DS ( ON)
= 82毫欧(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 20 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 100
μA
(V
DS
= 250 V)
增强型: V
th
= 1.5 3.5 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
250
250
±20
20
60
125
487
20
12.5
150
55~150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲(注1 )
漏极功耗(TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
SC-97
2-9F1B
重量0.74克(典型值)。
注意:
重负载下连续使用(如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册( “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法)和个人可靠性数据(即可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
热特性
特征
耐热性,信道到外壳
符号
R
TH( CH-C )
最大
1.00
单位
° C / W
电路CON组fi guration
注意:
请使用S1引脚门
输入信号的回报。使
确保主电流
流入到S2的销。
4
注1 :确保通道温度不超过150 ℃。
注2 : V
DD
=
50 V ,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
2.06 mH的,我
AR
=
20 A,R
G
=
25
Ω
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2
3
1
2006-11-21
2SK3388
记号
产品型号(或缩写代码)
K3388
LOT号
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
电气特性
(注4 ) (大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
(栅极 - 源极加上栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
V
GS
10 V
0V
4.7
Ω
I
D
=
10 A
R
L
=
12.5Ω
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
250 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
10 A
V
DS
=
10 V,I
D
=
10 A
250
1.5
10
V
OUT
典型值。
82
20
4000
300
1000
7
20
25
145
100
70
30
最大
±10
100
3.5
105
ns
nC
pF
单位
μA
μA
V
V
S
V
DD
125 V
& LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
V
DD
200 V, V
GS
=
10 V,
I
D
=
20 A
注4 :将S1和S2引脚连接在一起,并且接地他们除了切换时间的测量过程中。
源极 - 漏极额定值和特性
(注5 ) (大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
(注1 ,注5 )
脉冲漏极电流反向
(注1 ,注5 )
连续漏电流反向
(注1 ,注5 )
脉冲漏极电流反向
(注1 ,注5 )
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
1
I
DRP
1
I
DR
2
I
DRP
2
V
DS2F
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR1
=
20 A,V
GS
=
0 V
I
DR
=
20 A,V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
典型值。
300
3.3
最大
20
60
1
4
2.0
单位
A
A
A
A
V
ns
μC
注5 :我
DR
1, I
DRP
1 :电流在漏极和S2的销之间流动。确保S1引脚悬空。
I
DR
2, I
DRP
2:电流在漏极和S1的管脚之间流动。确保S2引脚悬空。
除非另有说明,连接S1和S2引脚连接在一起,并研磨它们。
2
2006-11-21
2SK3388
I
D
– V
DS
20
10
4.5
16
100
6
4.2
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
4
8
3.8
80
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
I
D
– V
DS
8
10
6
5.5
漏电流I
D
(A)
12
漏电流I
D
(A)
60
5
40
4.5
20
VGS
=
4 V
0
0
4
VGS
=
3.5 V
0
0
1
2
3
4
5
4
8
12
16
20
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
50
常见的来源
4
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
3
40
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏源电压
30
V
DS
(V)
VDS
=
10 V
2
ID
=
20 A
20
100
10
Tc
= 55°C
1
25
10
5
0
0
2
4
6
8
10
0
0
5
10
15
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
– I
D
100
常见的来源
1000
常见的来源
Tc
= 55°C
100
25
Tc
=
25°C
脉冲测试
VDS
=
10 V
脉冲测试
R
DS ( ON)
– I
D
正向转移导纳
Y
fs
(S)
10
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
100
VGS
=
10, 15 V
1
1
10
100
10
1
10
100
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
3
2006-11-21
2SK3388
R
DS ( ON)
TC =
(mΩ)
200
常见的来源
160
VGS
=
10 V
脉冲测试
ID
=
20 A
120
5
10
100
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
I
DR
– V
DS
漏源电阻R
DS ( ON)
反向漏电流I
DR
(A)
VGS
=
10 V
5
3
1
80
1
0
40
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
壳温度( ° C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
西塞
4
V
th
TC =
常见的来源
V
th
(V)
VDS
=
10 V
3
ID
=
1毫安
脉冲测试
(PF )
栅极阈值电压
1000
科斯
电容C
2
100
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
10
0.1
1
10
CRSS
1
0
80
100
40
0
40
80
120
160
壳温度( ° C)
漏源电压
V
DS
(V)
P
D
TC =
200
500
动态输入/输出特性
20
常见的来源
ID
=
20 A
400锝
=
25°C
脉冲测试
VDD
=
50 V
300
VGS
200
VDS
100
200
8
12
16
漏极功耗P
D
(W)
V
DS
(V)
160
漏源电压
80
40
100
4
10
0
40
80
120
160
200
0
0
40
80
120
160
0
200
壳温度( ° C)
总栅极电荷Q
g
( NC )
4
2006-11-21
栅源电压
120
V
GS
(V)
2SK3388
r
th
– t
w
10
归瞬态热阻抗
r
日(T )
/R
TH( CH-C )
1
=
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.00001
PDM
t
T
=
t/T
RTH ( CH-C )
=
1.0°C/W
0.001
0.01
0.1
1
10
单脉冲
0.0001
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
100
ID MAX(脉冲)
*
100
μs*
1毫秒*
ID最多
图10(续)
直流操作
Tc
=
25°C
500
E
AS
– T
ch
雪崩能量EAS (兆焦耳)
400
(A)
漏极电流ID
300
200
1
*
单一不重复的脉冲
Tc
=
25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
100
0.1
1
VDSS最大
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
10
通道温度(初始)T
ch
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
15 V
15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
波形
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
2
VDD
VDSS
测试电路
R
G
=
25
Ω
V
DD
=
50 V,L
=
2.06 mH的
5
2006-11-21
2SK3388
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π - MOSV )
2SK3388
开关稳压器, DC- DC转换器应用
电机驱动应用
单位:mm
·
·
·
·
低漏源导通电阻,R
DS ( ON)
= 82毫欧(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 20 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
=
100
μA (V
DS
= 250 V)
增强型: V
th
=
1.5
至3.5 V(V
DS
=
10
V,I
D
=
1
毫安)
最大额定值
(大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20千瓦)
栅源电压
DC
(注1 )
脉冲
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
250
250
±20
20
A
60
125
487
20
12.5
150
-55~150
W
mJ
A
mJ
°C
°C
单位
V
V
V
漏电流
JEDEC
JEITA
东芝
SC-97
2-9F1B
漏极功耗(TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
重量0.74克(典型值)。
电路CON组fi guration
注意:
热特性
特征
耐热性,信道到外壳
符号
R
TH( CH-C )
最大
1.00
单位
° C / W
请使用S1引脚门
输入信号的回报。使
确保主电流
流入S2引脚。
4
注1 :请在使用条件下的设备,该通道温度
低于150 ℃。
注2 : V
DD
=
50 V ,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
2.06 mH的,我
AR
=
20 A,
R
G
=
25
W
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
2
1
3
1
2002-02-06
2SK3388
电气特性
(注4 ) (大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
(栅极 - 源极加上栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
V
GS
10 V
0V
4.7
W
I
D
=
10 A
V
OUT
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
250 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
10 A
V
DS
=
10 V,I
D
=
10 A
250
1.5
10
典型值。
82
20
4000
300
1000
7
20
25
145
100
70
30
最大
±10
100
3.5
105
ns
nC
pF
单位
mA
mA
V
V
mW
S
V
DD
~
125 V
-
& LT ;
1%, t
w
=
10
ms
=
V
DD
~
200 V, V
GS
=
10 V,
-
I
D
=
20 A
注4 :请连接引脚S1和S2针,然后接地连接引脚。
(然而,当切换时间测量,请不要连接并接地。 )
源极 - 漏极额定值和特性
(注5 ) (大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
(注1 ,注5 )
脉冲漏极电流反向
(注1 ,注5 )
连续漏电流反向
(注1 ,注5 )
脉冲漏极电流反向
(注1 ,注5 )
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
1
I
DRP
1
I
DR
2
I
DRP
2
V
DS2F
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR1
=
20 A,V
GS
=
0 V
I
DR
=
20 A,V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / MS
典型值。
300
3.3
最大
20
60
1
4
-2.0
单位
A
A
A
A
V
ns
mC
注5 :排水时, S2端子之间流动的电流值,打开S1引脚
漏,在S1管脚之间流动的电流值,打开S2销
除非另有说明,请连接的S1和S2的引脚,然后研磨的连接引脚。
记号
批号
K3388
TYPE
一个月(从字母A启动)
YEAR
(最后公元数)
R
L
=
12.5W
2
2002-02-06
2SK3388
I
D
– V
DS
20
10
4.5
16
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
4
8
3.8
100
6
4.2
80
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
I
D
– V
DS
8
10
6
5.5
(A)
I
D
12
I
D
漏电流
(A)
60
漏电流
5
40
4.5
20
VGS
=
4 V
0
0
4
VGS
=
3.5 V
0
0
1
2
3
4
5
4
8
12
16
20
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
50
常见的来源
VDS
=
10 V
40
脉冲测试
4
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
3
(A)
I
D
漏源电压
30
漏电流
V
DS
(V)
2
ID
=
20 A
20
100
10
Tc
= -55°C
1
25
10
5
0
0
2
4
6
8
10
0
0
5
10
15
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
– I
D
100
常见的来源
1000
常见的来源
Tc
= -55°C
100
25
Tc
=
25°C
脉冲测试
VDS
=
10 V
脉冲测试
R
DS ( ON)
– I
D
Y
fs
(S)
正向转移导纳
10
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
( mW)的
100
VGS
=
10, 15 V
1
1
10
100
10
1
10
100
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
3
2002-02-06
2SK3388
R
DS ( ON)
TC =
( mW)的
200
常见的来源
VGS
=
10 V
160
脉冲测试
ID
=
20 A
120
10
100
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
I
DR
– V
DS
R
DS ( ON)
反向漏电流I
DR
5
(A)
VGS
=
10 V
5
3
1
漏源导通电阻
80
1
0
40
0
-80
-40
0
40
80
120
160
0.1
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
-1.6
壳温度
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
西塞
4
V
th
TC =
常见的来源
栅极阈值电压V
th
(V)
VDS
=
10 V
3
ID
=
1毫安
脉冲测试
(PF )
电容C
1000
科斯
2
100
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
10
0.1
1
10
CRSS
1
0
-80
100
-40
0
40
80
120
160
壳温度
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
P
D
TC =
200
500
动态输入/输出特性
20
常见的来源
ID
=
20 A
(W)
(V)
160
P
D
V
DS
VDD
=
50 V
300
VGS
200
VDS
100
200
8
12
漏极功耗
漏源电压
80
40
100
4
10
0
40
80
120
160
200
0
0
40
80
120
160
0
200
壳温度
(°C)
总栅极电荷Q
g
( NC )
4
2002-02-06
栅源电压
120
V
GS
400锝
=
25°C
脉冲测试
16
(V)
2SK3388
r
th
– t
w
10
归瞬态热阻抗
r
日(T )
/R
TH( CH-C )
1
=
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.00001
PDM
t
T
=
t/T
RTH ( CH-C )
=
1.0°C/W
0.001
0.01
0.1
1
10
单脉冲
0.0001
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
100
ID MAX(脉冲)
*
100
女士*
1毫秒*
ID最多
图10(续)
直流操作
Tc
=
25°C
500
E
AS
– T
ch
(兆焦耳)
雪崩能量EAS
400
(A)
漏电流
ID
300
200
1
*
单一不重复的脉冲
Tc
=
25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
100
0.1
1
VDSS最大
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
10
通道温度(初始)T
ch
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
15 V
-15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
波形
Ε
AS
=
1
B VDSS
÷
×
L
×
I2
×
B
2
-
VDD
÷
è
VDSS
测试电路
R
G
=
25
W
V
DD
=
50 V,L
=
2.06 mH的
5
2002-02-06
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