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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2073
描述
·采用TO- 220封装
·补键入2SA940
应用
·功率放大器应用
·垂直输出应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
=25
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
25
150
-55~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
150
150
5
1.5
0.5
1.5
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 0.5A我
B
= 50米一
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
V
CB
=120V;I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
40
民
2SC2073
符号
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
典型值。
最大
1.5
0.85
10
10
140
单位
V
V
A
A
35
4
pF
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2073
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2073
4
A
A
A
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC2073
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
:V
（ BR ） CEO
= 150V （最小值）
ùWide
安全工作区
.Complement
到类型2SA940
应用
“权力
放大器应用。
垂直
输出的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
价值
150
150
5
1.5
0.5
1.5
单位
V
V
V
A
A
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
T
J
T
英镑
结温
存储温度范围
25
150
-55~150
W
℃
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SC2073
典型值。
最大
单位
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
1.5
V
V
BE
（上）
基射极电压上
I
C
= 500毫安; V
CE
= 10V
0.85
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 120V ;我
E
= 0
10
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
10
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 500毫安; V
CE
= 10V
40
140
C
OB
输出电容
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1MHz的
35
pF
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 500毫安; V
CE
= 10V
4
兆赫
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC2073
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
:V
（ BR ） CEO
= 150V （最小值）
ùWide
安全工作区
.Complement
到类型2SA940
应用
“权力
放大器应用。
垂直
输出的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
150
单位
V
150
5
V
V
1.5
A
0.5
1.5
W
25
150
-55~150
℃
℃
A
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
T
J
T
英镑
结温
存储温度范围
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SC2073
典型值。
最大
单位
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
1.5
V
V
BE
（上）
基射极电压上
I
C
= 500毫安; V
CE
= 10V
0.85
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 120V ;我
E
= 0
10
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
10
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 500毫安; V
CE
= 10V
40
140
C
OB
输出电容
f
T
电流增益带宽积
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1MHz的
I
C
= 500毫安; V
CE
= 10V
35
pF
4
兆赫
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
TRANSYS
电子
L I M I T E
TO- 220塑料封装晶体管
2SC2073
特点
功耗
P
CM
:
1.5
W（环境温度Tamb = 25℃）
晶体管（ NPN ）
TO-220
1.基地
2.收集
3.辐射源
集电极电流
1.5
A
I
CM
:
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
150
V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
123
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
V
CE （ SAT ）
V
BE
除非另有规定编）
TEST
条件
民
典型值
最大
单位
V
V
V
IC 。
100
μA ，我
E
=0
IC 。
1
妈，我
B
=0
I
E
=
100
μA ，我
C
=0
V
CB
=
120
V，I
E
=0
V
EB
=
5
V，I
C
=0
V
CE
=
10
V，I
C
=
500
mA
I
C
=
500
妈，我
B
=
50
mA
V
CE
=
10
V，I
C
=
500
mA
V
CE
=
10
V，I
C
=
500
mA
V
CB
=
10
V，I
E
=0, f=
1
兆赫
150
150
5
10
10
40
140
1.5
0.65
A
A
V
V
兆赫
pF
0.85
4
35
f
T
C
ob
RoHS指令
2SC2073
2SC2073
特点
功耗
P
CM
:
晶体管（ NPN ）
TO-220
1.基地
2.收集
1.5
W（环境温度Tamb = 25℃）
3.辐射源
集电极电流
1.5
A
I
CM
:
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
150
V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
除非另有规定编）
TEST
条件
民
典型值
最大
单位
V
V
V
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
W
J
E
E
C
E
L
R
T
O
N
C
I
C
150
150
5
123
O
L
,
.
D
T
IC 。
100
μA ，我
E
=0
IC 。
1
妈，我
B
=0
I
E
=
100
μA ，我
C
=0
V
CB
=
120
V，I
E
=0
V
EB
=
5
V，I
C
=0
10
10
40
140
1.5
0.65
A
A
h
FE(1)
V
CE
=
10
V，I
C
=
500
mA
I
C
=
500
妈，我
B
=
50
mA
V
CE
=
10
V，I
C
=
500
mA
V
CE
=
10
V，I
C
=
500
mA
V
CB
=
10
V，I
E
=0, f=
1
兆赫
V
CE （ SAT ）
V
BE
V
V
兆赫
pF
0.85
4
35
f
T
C
ob
永而佳电子有限公司。
HTTP ： // www.wej.cn
电子信箱： wej@yongerjia.com
2SA940
2SA940
无铅电镀产品
Pb
PNP硅外延功率晶体管
特点
补充2SC2073 。
9.90
±0.20
φ3
0
±
.6
0.
20
4.50
±0.20
1.30
±0.20
15.70
±0.20
13.08
±0.20
集热器
2
BASE
1
9.19
±0.20
垂直输出应用。
2.80
±0.20
功率放大器的应用。
6.50
±0.20
应用
3
辐射源
1.基地
2.收集
3.辐射源
1
23
0.80
±0.20
2.54typ
2.54typ
0.50
±0.20
单位：毫米
TO-220C
包装尺寸为
最大额定值
操作温度范围内适用，除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j,
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散
T
a
=25℃
T
c
=25℃
价值
-150
-150
-5
-1.5
-0.5
1.5
25
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
结温和存储温度
3.02
±0.20
1.27
±0.20
1.52
±0.20
2.40
±0.20
第1/3页
2006 Thinki半导体有限公司。
http://www.thinkisemi.com/
2SA940
电气特性
在25 ℃评分
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
ob
环境温度，除非另有规定。
测试条件
I
C
=-100μA,I
E
=0
I
C
=-1mA,I
B
=0
I
E
=-100μA,I
C
=0
V
CB
=-120V,I
E
=0
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
=-10V,I
C
=-500mA
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA
V
CE
=-10V,I
B
=-500mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-0.5A
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
民
-150
-150
-5
典型值
最大
单位
V
V
V
-10
-10
40
140
-1.5
-0.65
-0.75
4
55
-0.85
μA
μA
V
V
兆赫
pF
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典型特征
除非另有规定@ TA = 25 ℃
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2SC2073
无铅电镀产品
Pb
NPN硅外延功率晶体管
9.90
±0.20
φ3
20
特点
补充2SA940 。
0
±
.6
0.
4.50
±0.20
1.30
±0.20
15.70
±0.20
快速开关速度。
广ASO 。
2.80
±0.20
13.08
±0.20
集热器
2
BASE
1
9.19
±0.20
6.50
±0.20
广泛的安全Operationg区。
3
辐射源
1.基地
2.收集
3.辐射源
3
12
0.80
±0.20
2.54typ
2.54typ
0.50
±0.20
单位：毫米
TO-220C
包装尺寸为
最大额定值
操作温度范围内适用，除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j,
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基地Crrent
集电极耗散
T
a
=25℃
T
c
=25℃
价值
150
150
5
1.5
0.5
1.5
25
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
结温和存储温度
3.02
±0.20
1.27
±0.20
1.52
±0.20
2.40
±0.20
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电气特性
在25 ℃评分
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
ob
环境温度，除非另有规定。
测试条件
I
C
=100μA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=100μA,I
C
=0
V
CB
=120V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
=10V,I
C
=0.5A
I
C
= 0.5A ，我
B
=50mA
V
CE
= 10V ，我
C
=0.5A
V
CE
= 10V ，我
C
=0.5A
V
CB
=10V,I
E
=0,
f=1MHz
民
150
150
5
典型值
最大
单位
V
V
V
10
10
40
75
140
1.5
0.65
4
35
0.85
μA
μA
V
V
兆赫
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典型特征
除非另有规定@ TA = 25 ℃
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2SB943Q
24IML10-12-12-3
2SA1069AL
200USP3T1A1M6RE
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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SC2073
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21+
18600
TO-220
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