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2SD1133 ， 2SD1134

硅NPN三重扩散

ADE - 208-905 （ Z）

1日。版

2000年9月

应用

低频功率放大器互补对与2SB857和2SB858

概要

TO-220AB

2 3

1.基地

2.收集

（法兰）

3.辐射源

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

评级

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

注意：

1.价值在T

= 25°C.

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（峰值）

TSTG

2SD1133

150

-45至+150

2SD1134

150

-45至+150

单位

°C

2SD1133 ， 2SD1134

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SD1133

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

民

—

典型值

—

最大

—

320

—

2SD1134

民

—

典型值

—

最大

—

320

—

兆赫

单位

测试条件

= 10

= 0

= 50毫安，R

∞

= 10

= 0

= 50 V，I

= 0

= 4V我

= 1 A*

= 0.1 A*

= 2 A，I

= 0.2 A*

= 4 V，I

= 1 A*

= 4 V，I

= 0.5 A*

直流电流传输比H

FE1

FE2

集电极到发射极

饱和电压

基地发射极电压

增益带宽积

CE （ SAT ）

注：1. 2SD1133和2SD1134都用h分组

FE1

如下。

2.脉冲测试。

60至120

100至200

160到320

最大集电极耗散

曲线

集电极耗散功率P

(W)

安全工作区

（ 10 V ， 4 A）

CMAX

（连续）

（ 20 V ， 2 A）

ERA

TIO

1.0

= 25°C)

0.5

（ 50 V ， 0.24 A）

（ 60 V ， 0.15 A）

2SD1133

0.05

2SD1134

集电极电流I

(A)

0.2

0.1

100

案例温度T

(°C)

150

50 100

集电极到发射极电压V

(V)

2SD1133 ， 2SD1134

典型的输出特性

= 25°C

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

典型的传输特性

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

10毫安

= 0

集电极到发射极电压V

(V)

0.01

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

基极至发射极电压V

(V)

1,000

= 4 V

直流电流传输比H

500

200

100

0.01 0.02

= 75°C

–25

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

直流电流传输比

与集电极电流

集电极到发射极饱和电压

与集电极电流

1.4

1.2

= 10 I

1.0

0.8

0.6

= 75°C

0.4

0.2

0.01 0.02

–25

0.5 1.0

0.05 0.1 0.2

集电极电流I

(A)

0.05 0.1 0.2

0.5 1.0

集电极电流I

(A)

= 75

–25

°C

1.0

= 4 V

2SD1133 ， 2SD1134

包装尺寸

单位：mm

11.5 MAX

2.79

0.2

10.16

0.2

9.5

8.0

3.6

-0.08

+0.1

4.44

0.2

1.26

0.15

6.4

+0.2

–0.1

18.5

0.5

15.0

0.3

1.27

2.7 MAX

14.0

0.5

1.5 MAX

7.8

0.5

0.76

0.1

2.54

0.5

2.54

0.5

0.1

日立代码

JEDEC

EIAJ

质谱（参考值）

TO-220AB

符合

1.8 g

2SD1133 ， 2SD1134

注意事项

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收到最终的设计，购买或使用前的最新产品标准或规范。

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使用该产品，要求特别高的应用程序之前，请联系日立的销售办事处

质量和可靠性或者它的失效或故障可能直接威胁人的生命或造成危险

人身伤害，如航天，航空，核电，燃烧控制，运输，

交通，安全设备，或用于生命支持医疗器械。

4.设计你的应用程序，使产品由日立公司保证范围内使用特别

对于最大额定值，工作电源电压范围，热辐射等特性，安装

条件和其他特征。日立负有故障或损坏不承担任何责任使用时

超越了保障范围。即使在保障范围内，考虑通常预期

失败率或半导体器件的失效模式，并采用系统性的措施，如故障 -

保险柜，使结合日立产品的设备不会造成人身伤害，火灾或其它

间接损失是由于日立产品的操作。

5，本产品不设计成抗辐射。

6.没有一种是允许复制或重复的，任何形式的，该文献的全部或部分，而不

书面批准日立。

7.联系方式日立的销售办事处对本文档或Hitachi半导体任何问题

产品。

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半导体&集成电路。

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网址

北美洲

欧洲

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日本

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http://sicapac.hitachi-asia.com

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日立亚洲有限公司

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16哥烈码头＃ 20-00 ，

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电传： 23222 HAS -TP

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第三组（电子元器件）

7 / F。，北塔，

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海港城，广东道

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版权

后记2.0