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首字符2的型号第193页
> 2SD2255
功率晶体管
2SD2255
硅NPN三重扩散平面型达林顿
进行功率放大
补充2SB1493
15.0±0.5
单位:mm
4.5±0.2
4.0±0.1
s
特点
q
q
q
4.0±0.1
13.0±0.5
10.5±0.5
2.0±0.1
15.0±0.2
最佳的60W高保真输出
高盼着电流传输比H
FE
: 5000到30000
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
:其中2.5V
20.0±0.3
19.0±0.3
φ3.2±0.1
16.2±0.5
3.5
12.5
s
浸焊
2.0±0.2
1.1±0.1
1.4±0.3
绝对最大额定值
(T
C
=25C)
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
160
140
5
12
7
70
2.5
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
C
C
5.45±0.3
10.9±0.5
1
2
3
0.6±0.2
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
EIAJ :SC- 65 (一)
TOP- 3封装(一)
内部连接
C
B
E
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2*
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= 160V ,我
E
= 0
V
CE
= 140V ,我
B
= 0
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
I
C
= 30mA时我
B
= 0
V
CE
= 5V ,我
C
= 1A
V
CE
= 5V ,我
C
= 6A
I
C
= 6A ,我
B
= 6毫安
I
C
= 6A ,我
B
= 6毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.5A , F = 1MHz的
I
C
= 6A ,我
B1
= 6毫安,我
B2
= -6mA ,
V
CC
= 50V
20
2.5
5.0
2.5
140
2000
5000
30000
2.5
3.0
V
V
兆赫
s
s
s
民
典型值
最大
100
100
100
单位
A
A
A
V
FE2
等级分类
Q
P
秩
h
FE2
5000 8000 15000 30000
1
功率晶体管
P
C
- TA
80
2SD2255
I
C
— V
CE
12
T
C
=25C
10
I
B
=5mA
100
V
BE ( SAT )
— I
C
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=1000
集电极耗散功率P
C
(W)
70
60
50
40
30
20
(1)
集电极电流I
C
(A)
(1) T
C
= TA
(2)在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
( 3 )不带散热片
(P
C
=2.5W)
30
8
1mA
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
0.2mA
10
6
3
T
C
=–25C
1
25C
0.3
100C
4
(2)
10
(3)
0
0
20
40
60
80 100 12 140 160
2
0.1mA
0
0
2
4
6
8
10
12
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/I
B
=1000
100000
h
FE
— I
C
1000
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
(PF )
V
CE
=5V
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
正向电流传输比H
FE
30000
30
300
10000
10
T
C
=100C
3
25C
–25C
1
100
3000 T
C
=100C
1000
25C
300
100
30
10
0.01 0.03
–25C
30
10
0.3
3
0.1
0.1
1
0.1
0.3
1
3
10
1
3
10
30
100
0.3
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极基极电压V
CB
(V)
t
on
, t
英镑
, t
f
— I
C
100
30
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 %
I
C
/I
B
=1000 (I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=50V
T
C
=25C
安全操作区( ASO )
100
30
非重复脉冲
T
C
=25C
I
CP
10
I
C
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
DC
10ms
t=1ms
开关时间t
on
,t
英镑
,t
f
(
s
)
10
3
t
on
t
f
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0
4
8
12
16
集电极电流I
C
(A)
t
英镑
1
3
10
30
100
300
1000
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
功率晶体管
R
日(T )
— t
1000
注释:R
th
测量在Ta = 25℃,在自然对流。
(1) P
T
=10V
×
0.2A ( 2W )和不带散热片
(2) P
T
=10V
×
1.0A ( 10W )中,用一个100
×
100
×
2毫米铝散热片
100
(1)
2SD2255
热阻R
th
(吨)( C / W)
10
(2)
1
0.1
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t (S )
3
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2SD2255
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2SC4663
222286114159
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235.200
234-506
22-02-3053
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