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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第193页 > 2SK3511-ZJ
数据表
MOS场效应
2SK3511
开关
N沟道功率MOS FET
描述
的2SK3511是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于高电流的开关应用。
订购信息
产品型号
2SK3511
2SK3511-S
包
TO-220AB
TO-262
TO-263
TO-220SMD
记
特点
超低导通电阻：
R
DS （ ON）
= 12.5 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 42 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 5900 pF的典型。
内置栅极保护二极管
2SK3511-ZJ
2SK3511-Z
记
TO- 220SMD包仅产
在日本。
(TO-220AB)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
75
±20
±83
±260
100
1.5
150
-55到+150
52
250
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
(TO-262)
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 35 V ，R
G
= 25
,
V
GS
= 20
→
0 V
（ TO- 263 ， TO- 220SMD ）
热阻
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
R
TH（ CH-C ）
R
TH（ CH -A
)
1.25
83.3
° C / W
° C / W
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
D15617EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2002年5月NS CP （ K）
日本印刷
2001
2SK3511
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 60 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 83 A
I
F
= 83 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 83 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
测试条件
V
DS
= 75 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 42 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 42 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 38 V，I
D
= 42 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
2.0
21
3.0
45
9.5
5900
810
400
30
21
72
12
100
24
35
1.1
70
200
12.5
分钟。
典型值。
马克斯。
10
±10
4.0
单位
A
A
V
S
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
= 20
→
0 V
50
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
V
GS
R
L
V
DD
V
DS
90%
90%
10%
10%
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
R
L
V
DD
2
数据表D15617EJ1V0DS
2SK3511
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
120
总功耗对比
外壳温度
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 -
°C
正向偏置安全工作区
P
T
- 总功耗 - W
T
C
- 外壳温度 -
°C
1000
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
=1
0
10
s
0
s
1m
s
10
m
s
I
D
- 漏电流 - 一个
100
资讯科技教育
林0 V
n)
1
S（O
R
D
GS
=
V
at
PW
DC
10
功耗有限公司
1
T
C
= 25C
单脉冲
10
1
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
100
0.1
0.1
瞬态热阻与脉冲宽度
100
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
10
R
第（章-a）的
= 83.3C / W
1
R
TH（ CH-C ）
= 1.25C / W
0.1
0.01
10
单脉冲
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D15617EJ1V0DS
3
2SK3511
漏电流与
漏源极电压
正向传递特性
300
脉冲
250
V
GS
= 10 V
I
D
- 漏电流 - 一个
1000
V
S
= 10 V
100
I
D
- 漏电流 - 一个
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
10
T
A
= 150°C
75°C
25°C
55°C
1
2
3
4
5
6
7
1
0.1
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
正向转移导纳主场迎战
漏电流
4.0
V
GS （ OFF ）
- 栅极截止电压 - V
100
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-75
-25
25
75
125
175
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V
脉冲
10
1
T
A
= 150°C
75°C
25°C
55°C
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
100
T
ch
- 通道温度 -
°C
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.1
1
10
100
1000
V
GS
= 10 V
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
脉冲
I
D
= 42 A
I
D
- 漏电流 - 一个
4
数据表D15617EJ1V0DS
2SK3511
漏极至源极导通电阻与
通道温度
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
电容与
漏源极电压
25
脉冲
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
10000
西塞
20
1000
15
科斯
CRSS
10
100
5
V
GS
= 10 V
I
D
= 42 A
0
-100
-50
0
50
100
150
200
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
10
0.1
1
10
100
T
ch
- 通道温度 -
°C
开关特性
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
动态输入/输出特性
1000
t
f
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
100
80
60
100
t
D（关闭）
t
D（上）
t
r
6
V
GS
4
V
DS
I
D
= 83 A
2
0
120
40
20
0
0
20
40
60
80
100
10
V
DD
= 38 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
1
10
100
1
0.1
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
源极到漏极二极管
正向电压
1000
反向恢复时间与漏极电流
脉冲
100
100
10
V
GS
= 10 V
1
0V
0.1
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
0.01
V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
10
0.1
1
10
100
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
2
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
I
F
- 漏电流 - 一个
数据表D15617EJ1V0DS
5
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
DD
= 60 V
38 V
15 V
10
8
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推荐型号
2SD761
235.200
234-506
22-02-3053
2SK2492
20LR450
2SD2255
2SJ188
253A104B45NA
263357
2SA1300
2SB772O
2SB772-O
2SB779Q
262.5
23L1612-90
233008-06
2-796634-1
2403-6232TB
225750
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    2SK3511-ZJ
    -
    -
    -
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