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INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4663

描述

·带

的ITO -220封装

切换

功率晶体管

ULOW

集电极饱和电压

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ ITO - 220 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

条件

发射极开路

固电

IN

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

ES

昂

CH

T

C

=25℃

导½

半

开基

集电极开路

ON

MIC

E

OR

DUT

250

200

7

5

10

2

4

25

150

-55~150

价值

单位

V

A

W

℃

基极电流峰值

总功耗

结温

储存温度

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结案件

最大

5.0

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4663

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

t

on

t

s

t

f

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

额定volatge

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

额定volatge

I

C

= 2.5A ; V

CE

=2V

I

C

= 1毫安; V

CE

=2V

10

0.1

25

mA

0.1

mA

条件

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

I

C

= 2.5A ;我

B

=0.5A

I

C

= 2.5A ;我

B

=0.5A

民

200

1.0

1.5

典型值。

最大

单位

V

固电

IN

下降时间

跃迁频率

开启时间

贮存时间

ES

昂

CH

导½

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V

ON

MIC

E

10

OR

DUT

13

0.3

1.0

0.1

兆赫

μs

I

C

=2.5A;I

B1

=0.5A

I

B2

= 1A ，R

L

=60Ω

V

BB2

=4V

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC4663

固电

IN

ES

昂

CH

导½

半

ON

MIC

E

OR

DUT

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.20 MM）

3

新电元

开关功率晶体管

FS系列

2SC4663

(TP5V20FS)

5A NPN

外形尺寸

案例： ITO -220

单位：mm

评级

.Absolute最大额定值

项

储存温度

结温

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流DC

集电极电流峰值

基极电流DC

基极电流峰值

总晶体管耗散

介电强度

安装力矩

符号

TSTG

Tj

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CP

I

B

I

BP

P

T

VDIS

器

条件

TC = 25 ？

终端的情况下， AC 1分钟

(Recommended torque : 0.3N½m)

评级

-55150

150

250

200

7

5

10

2

4

25

2

0.5

评级

200分钟

最大0.1

1025

*1

10个

最大1.0

最大1.5

最大5.0

TYP 13

最大0.3

最大1.0

最大0.1

单位

℃

V

A

W

kV

N½m

●电气特性（ TC = 25 ℃ ）

项

符号

集电极到发射极耐受电压

V

首席执行官

（ SUS）的

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

I

首席执行官

发射Cuto FF电流

I

EBO

直流电流增益

h

FE

h

FEL

集电极到发射极饱和电压

V

CE

（SAT）

基地发射极饱和电压

V

BE

（SAT）

热阻

θJC

跃迁频率

f

T

启动时间

吨

贮存时间

ts

下降时间

tf

条件

I

C

= 0.1A

在额定电压

V

CE

= 2V ，我

C

= 2.5A

V

CE

= 2V ，我

C

= 1毫安

I

C

= 2.5A

I

B

= 0.5A

结到外壳

V

CE

= 10V ，我

C

= 0.5A

I

C

= 2.5A

I

B1

= 0.5A ，我

B2

= 1A

R

L

= 60Ω, V

BB2

= 4V

单位

V

mA

V

℃/W

兆赫

μs

2SC4663

h

FE

- I

C

V

CE

= 2V

100

TC = 150℃

25°C

100°C

50°C

0°C

25°C

直流电流增益

FE

10

55°C

1

0.001

0.01

0.1

1

10

集电极电流I

C

[A]

2SC4663

饱和电压

3

1A

2.5A

5A

10A

2.5

3

I

C

= 0.5A

2.5

2

1.5

10A

5A

1A

2.5A

1.5

1

集电极 - 发射极电压V

CE

[V]

0.5

TC = 25°C

0

0.1

1

4

0

0.01

基极电流I

B

[A]

基极 - 发射极电压V

BE

[V]

I

C

= 0.5A

2SC4663

切换时间 - 我

C

1

t

s

开关时间t

SW

[s]

t

on

0.1

t

f

I

B1

= 0.2I

C

I

B2

= 0.4I

C

V

BB2

= 4V

V

CC

= 150V

TC = 25°C

0.01

0

1

2

3

4

5

集电极电流I

C

[A]

2SC4663

切换时间 - 锝

1

t

s

开关时间t

SW

[s]

t

on

0.1

t

f

I

C

= 2.5A

I

B1

= 0.5A

I

B2

= 1A

V

BB2

= 4V

R

L

= 60

0.01

0

50

100

150

壳温度[ ° C]

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4663

描述

·带

的ITO -220封装

切换

功率晶体管

ULOW

集电极饱和电压

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ ITO - 220 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

基极电流峰值

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

250

200

7

5

10

2

4

25

150

-55~150

单位

V

A

W

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结案件

最大

5.0

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4663

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

t

on

t

s

t

f

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

额定volatge

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

=2.5A;I

B1

=0.5A

I

B2

= 1A ，R

L

=60Ω

V

BB2

=4V

额定volatge

I

C

= 2.5A ; V

CE

=2V

I

C

= 1毫安; V

CE

=2V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V

10

13

0.3

1.0

0.1

兆赫

μs

0.1

25

mA

0.1

mA

条件

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

I

C

= 2.5A ;我

B

=0.5A

I

C

= 2.5A ;我

B

=0.5A

民

200

1.0

1.5

典型值。

最大

单位

V

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC4663

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.20 MM）

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4663

描述

·随着ITO -220封装

·开关功率晶体管

·低集电极饱和电压

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ ITO - 220 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

基极电流峰值

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

250

200

7

5

10

2

4

25

150

-55~150

单位

V

A

W

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结案件

最大

5.0

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4663

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

额定volatge

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

t

on

t

s

t

f

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

=2.5A;I

B1

=0.5A

I

B2

= 1A ，R

L

=60B

V

BB2

=4V

额定volatge

I

C

= 2.5A ; V

CE

=2V

I

C

= 1毫安; V

CE

=2V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V

10

13

0.3

1.0

0.1

兆赫

s

0.1

25

mA

0.1

mA

条件

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

I

C

= 2.5A ;我

B

=0.5A

I

C

= 2.5A ;我

B

=0.5A

民

200

1.0

1.5

典型值。

最大

单位

V

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

2

SavantIC半导体

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硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC4663

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.20 MM）

3

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硅NPN功率晶体管

2SC4663

描述

·带

的ITO -220封装

切换

功率晶体管

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ ITO - 220 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

基极电流峰值

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

250

200

7

5

10

2

4

25

150

-55~150

单位

V

A

W

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结案件

最大

5.0

单位

℃/W

JMnic

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www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

2SC4663

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

集电极截止电流

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

t

on

t

s

t

f

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

=2.5A;I

B1

=0.5A

I

B2

= 1A ，R

L

=60Ω

V

BB2

=4V

额定volatge

I

C

= 2.5A ; V

CE

=2V

I

C

= 1毫安; V

CE

=2V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V

10

13

0.3

1.0

0.1

兆赫

μs

额定volatge

0.1

25

mA

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

发射极基极饱和电压

条件

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

I

C

= 2.5A ;我

B

=0.5A

I

C

= 2.5A ;我

B

=0.5A

民

200

1.0

1.5

0.1

典型值。

最大

单位

V

mA

JMnic

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硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC4663

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.20 MM）

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