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2SC5200 / FJL4315 - NPN外延硅晶体管
2008年3月
2SC5200/FJL4315
NPN外延硅晶体管
应用
高保真音频输出放大器
通用功率放大器
特点
高电流能力:我
C
= 15A.
高功率耗散: 150瓦特。
高频率: 30MHz的。
高电压: V
首席执行官
=230V
宽S.O.A进行可靠操作。
出色的增益线性度低THD 。
补充2SA1943 / FJL4215 。
热和电Spice模型可供选择。
同样的晶体管也可用于:
- TO3P封装, 2SC5242 / FJA4313 : 130瓦特
- TO220封装, FJP5200 : 80瓦特
- TO220F封装, FJPF5200 : 50瓦特
1
TO-264
1.Base 2.Collector 3.Emitter
绝对最大额定值*
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流(DC)的
基极电流
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
评级
230
230
5
15
1.5
150
1.04
- 50 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
W / ℃,
°C
器件总功耗(T
C
=25°C)
减免上述25℃
结温和存储温度
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性*
符号
R
θJC
*设备安装在最小焊盘尺寸
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
热阻,结到外壳
马克斯。
0.83
单位
° C / W
h
FE
分类
分类
h
FE1
R
55 ~ 110
O
80 ~ 160
2008飞兆半导体公司
2SC5200 / FJL4315牧师A2
1
www.fairchildsemi.com
2SC5200 / FJL4315 - NPN外延硅晶体管
电气特性*
中T = 25 ° C除非另有说明
a
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
(SAT)
V
BE
(上)
f
T
C
ob
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
测试条件
I
C
= 5毫安,我
E
=0
I
C
= 10毫安,R
BE
=∞
I
E
= 5毫安,我
C
=0
V
CB
= 230V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=1A
V
CE
= 5V ,我
C
=7A
I
C
= 8A ,我
B
=0.8A
V
CE
= 5V ,我
C
=7A
V
CE
= 5V ,我
C
=1A
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
分钟。
230
230
5
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
5.0
5.0
55
35
60
0.4
1.0
30
200
3.0
1.5
160
A
A
V
V
兆赫
pF
*脉冲测试:脉冲宽度= 20μs的,责任Cycle≤2 %
订购信息
产品型号
2SC5200RTU
2SC5200OTU
FJL4315RTU
FJL4315OTU
记号
C5200R
C5200O
J4315R
J4315O
TO-264
TO-264
TO-264
TO-264
包装方法
备注
hFE1 - [R级
hFE1 级
hFE1 - [R级
hFE1 级
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2
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2SC5200 / FJL4315 - NPN外延硅晶体管
典型特征
16
I
B
=200mA
14
I
C
[A] ,集电极电流
h
FE
,直流电流增益
12
10
8
I
B
= 180毫安
I
B
= 160毫安
I
B
= 140毫安
I
B
= 120毫安
I
B
= 100毫安
I
B
= 80毫安
I
B
= 60毫安
TJ = 125℃
o
TJ = 25℃
o
Vce=5V
100
TJ = -25℃
o
6
I
B
= 40毫安
4
2
10
I
B
= 0
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
1
10
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
IC [ A] ,集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
10000
10000
VBE (星期六) [毫伏] ,饱和电压
VCE (SAT) [毫伏] ,饱和电压
Ic=10Ib
Ic=10Ib
1000
TJ = -25℃
1000
o
TJ = 25℃
o
Tj=25?
100
Tj=125?
TJ = 125℃
o
Tj=-25?
10
100
0.1
1
10
1
0.1
1
10
IC [ A] ,集电极电流
IC [ A] ,集电极电流
图3.基射极饱和电压
图4.集电极 - 发射极饱和电压
V
CE
= 5V
10
瞬态热阻,R
thJC
[C / W]
12
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
I
C
[A] ,集电极电流
8
6
4
2
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
o
V
BE
[ V]时,基极发射极电压
脉冲持续时间[秒]
图5.基射极电压上
图6.热阻
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2SC5200 / FJL4315 - NPN外延硅晶体管
典型特征
100
160
I
C
MAX 。 (脉冲* )
I
C
[A] ,集电极电流
140
10ms*
10
P
C
[W] ,功率耗散
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
o
I
C
MAX 。 (DC)的
100ms*
DC
1
0.1
*单不重复
脉冲吨
C
=25[ C]
0.01
1
10
100
o
75
100
125
150
175
T
C
[C] ,外壳温度
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
图7.功率降额
图8.安全工作区
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2SC5200 / FJL4315 - NPN外延硅晶体管
包装尺寸
TO-264
6.00
±0.20
20.00
±0.20
(4.00)
(8.30)
(8.30)
(2.00)
(1.00)
(9.00)
(9.00)
(11.00)
(0.50)
20.00
±0.20
2.50
±0.10
1.50
±0.20
(7.00)
(7.00)
4.90
±0.20
(1.50)
2.50
±0.20
(1.50)
3.00
±0.20
1.00
–0.10
+0.25
(2.00)
(R1
.00
20.00
±0.50
2
(R
.00
)
0
3.3
0
±
0.2
)
(1.50)
5.45TYP
[5.45
±0.30
]
5.45TYP
[5.45
±0.30
]
0.60
–0.10
+0.25
2.80
±0.30
5.00
±0.20
3.50
±0.20
(0.15)
(1.50)
(2.80)
单位:毫米
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    2SC5200RTU
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    -
    -
    -
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联系人:郑小姐
地址:深圳市龙华新区民治丰泽湖山庄15栋
2SC5200RTU
FAIRCHILD
20+
7400
TO-3PL
全新原装正品,详询18503085056/VX同号
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电话:15914072177
联系人:林先生
地址:深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
2SC5200RTU
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32883
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联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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onsemi
24+
10000
TO-264-3
原厂一级代理,原装现货
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联系人:朱
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2SC5200RTU
FSC;ONS
24+
8420
TO-264AA
全新原装现货,原厂代理。
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联系人:销售部
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22000
NA
原装正品假一赔百!
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现货,原厂原装假一罚十!
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