【晶体管2SC3936NPN硅外延平面型用于高频放大单位：mm2.1±0.1s特点qq0.4251.2】,IC型号2SC3936C,2SC3936C PDF资料,2SC3936C经销商,ic,电子元器件-51电子网

晶体管

2SC3936

NPN硅外延平面型

用于高频放大

单位：mm

2.1±0.1

特点

0.425

1.25±0.1

0.425

最适用于射频放大，振荡，搅拌，和中频的FM /

AM收音机。

S-迷你型封装，设备，允许小型化，

通过带包装盒自动插入

包装。

0.65

2.0±0.2

1.3±0.1

0.65

0.9±0.1

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

评级

150

–55 ~ +150

单位

0.7±0.1

0-0.1

0.2±0.1

1 ：基本

2 ：发射器

3 ：收藏家

EIAJ ： SC- 70

S-迷你型包装

标记符号：

电气特性

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

正向电流传输比

跃迁频率

共发射极反向传输电容

(Ta=25C)

符号

CBO

首席执行官

EBO

FE *

条件

= 10μA ，我

= 0

= 2毫安，我

= 0

= 10μA ，我

= 0

= 10V ，我

= 1毫安

= 10V ，我

= -1mA ， F = 200MHz的

= 10V ，我

= 1mA时， F = 10.7MHz的

民

150

230

1.3

250

兆赫

典型值

最大

单位

等级分类

秩

标记符号

70 ~ 160

110 ~ 250

0.15

–0.05

+0.1

绝对最大额定值

(Ta=25C)

0.2

0.3

–0

+0.1

晶体管

- TA

240

Ta=25C

200

=100A

80A

60A

40A

2SC3936

— V

=10V

Ta=25C

— I

集电极耗散功率P

（ mW）的

集电极电流I

（MA ）

160

集电极电流I

（MA ）

120

20A

80 100 120 140 160

120

180

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

(V)

基极电流I

(

)

— V

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

=10V

100

0.3

CE （ SAT ）

— I

=10

300

— I

=10V

正向电流传输比H

250

Ta=75C

200

25C

150

–25C

100

集电极电流I

（MA ）

25C

Ta=75C

–25C

Ta=75C

25C

0.1

–25C

0.03

0.01

0.1

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0.3

100

0.1

0.3

100

基极至发射极电压V

(V)

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

— I

600

Ta=25C

— I

共发射极反向传输电容C

（PF ）

2.4

— V

f=2MHz

Ta=25C

=1mA

f=10.7MHz

Ta=25C

反向传输阻抗Z

(

)

过渡频率f

（兆赫）

– 0.1

=6V

10V

500

2.0

400

=10V

200

1.6

300

1.2

0.8

100

0.4

– 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

–30

–100

– 0.3

–1

–3

–10

0.1

0.3

100

发射极电流I

（MA ）

发射极电流I

（MA ）

集电极到发射极电压V

(V)

晶体管

— V

1.6

+ JB

=10V

2SC3936

— g

反向传输纳B

（女士）

+ JB

=10V

f=0.45MHz

10.7

集电极输出电容C

（PF ）

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

f=1MHz

Ta=25C

输入纳B

（女士）

100

– 0.5

–1.0

= 0.4毫安

–1.5

–1mA

–2mA

–2.0

–4mA

–2.5

10.7

= - 0.1毫安

–1mA

–2mA

–4mA

–7mA

f=0.45MHz

100

=–7mA

100

–3.0

– 0.5

– 0.4

– 0.3

– 0.2

– 0.1

集电极基极电压V

(V)

输入电导G

（女士）

反向传输电导G

（女士）

— g

1.2

f=0.45MHz

10.7

向前转移纳B

（女士）

= 0.4毫安

= 0.1毫安

0.45

10.7

25 -1mA

100

–2mA

–20

输出纳B

（女士）

100

1.0

–7mA

–4mA

–2mA

–1mA

= 0.4毫安

0.4

10.7

0.2

f=0.45MHz

0.2

0.4

0.6

+ JB

=10V

0.8

1.0

= - 0.1毫安

100

–4mA

10.7

–40

100

0.8

0.6

–60

=–7mA

–80

–100

+ JB

=10V

–120

100

正向传输导

（女士）

输出电导G

（女士）

请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息

并在此材料中描述的半导体

（ 1）出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的

换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术

＆ QUOT ;外汇及外国贸易法＆ QUOT ;要导出或带出日本。

（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-

istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得

物业，给予相对权利，或者给予任何许可。

（3）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-

ERAL电子设备（如办公设备，通讯设备，测量IN-

struments和家用电器）。

提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：

特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，

燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和

可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或

对人体的危害。

任何应用程序比预期的标准应用程序等。

（ 4 ）在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不

通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段，采购

荷兰国际集团，或使用的产品，因此，事先要求的最先进的最新产品标准

确保最新的技术规格满足您的要求。

（ 5 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -

妈妈等级，操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -

明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。

即使产品的保证值范围内使用，多余的设计建议，

所以，这样的设备可能没有违反，因为功能的有关法律，法规我们

产品。

（ 6 ）使用了该干的包装要求的产品，观察条件（包括保质期

及后拆包待机时间）约定，当规格表被单独更换。

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从我们公司。

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半导体产品最适合他们的应用程序。

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产品类型，技术参数等，如有更改，恕不另行通知。

建议客户联系我们的半导体销售办事处，并获得最新信息

在开始之前，精确的技术研究和/或采购活动。

B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性，但

总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此，

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梨在这种材料。

C.这些材料仅适用于客户的个人使用。

因此，如果没有松下的事先书面同意，任何其他用途，如再现，

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2001年MAR