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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第290页 > 2SC4672
2SC4672
公司Bauelemente
符合RoHS产品
NPN硅
外延硅晶体管
SOT-89
描述
该2SC4672是专为低
频放大器的应用。
特点
*优异的直流电流增益特性
*低饱和电压,通常V
CE ( SAT )
=0.1V
在我
C
/I
B
=1A/50mA
REF 。
A
B
C
D
E
F
o
毫米
分钟。
马克斯。
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 Q TYP 。
0.70 REF 。
在T绝对最大额定值
A
=25 C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
总功耗
结温和存储温度
o
参数
价值
60
50
6
2
5
2
-55~+150
单位
V
V
V
A
W
O
I
C
P
D
T
J,
T
英镑
C
电气特性环境温度Tamb = 25
C
除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
集电极饱和电压
直流电流增益
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE
(SAT)
60
50
6
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.1
-
最大
-
-
-
100
100
0.35
单位
V
V
V
nA
nA
V
测试条件
I
C
=50A,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=50A,I
C
=0
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
I
C
=1A,I
B
=50mA
V
CE
= 2 V,I
C
± 500毫安
V
CE
= 2 V,I
C
=500mA,f=100MHz
V
CB
= 10V , F = 1MHz时,我
E
=0
*h
FE
120
400
-
增益带宽积
fT
-
210
-
输出电容
-
C
ob
25
*脉冲条件下测得的。脉冲宽度
380
S,占空比
2%
MH
pF
分类的hFE的
范围
A
120~240
B
200~400
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页2
2SC4672
公司Bauelemente
NPN硅
外延硅晶体管
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第2页2
2SC4672
晶体管( NPN )
特点
低饱和电压
优秀
FE
特征
补充2SA1797
最大额定值(T
a
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
60
50
6
2
500
250
150
-55~+150
SOT-89-3L
1.基地
2.收集
3.辐射源
单位
V
V
V
A
mW
℃/W
电气特性(T
a
= 25 ℃除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
TEST
条件
60
50
6
0.1
0.1
82
210
25
390
0.35
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
I
C
=50A,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=50A,I
C
=0
V
CB
=60V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
=500mA
I
C
=1A,I
B
=50mA
V
CE
=2V,I
C
= 0.5A , F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分类
h
FE
范围
记号
P
82–180
DKP
Q
120–270
DKQ
R
180–390
DKR
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
2SC4672
静态特性
1.0
300
h
FE
—— I
C
共发射极
V
CE
=2V
共发射极
T
a
=25
(A)
0.8
4.0mA
3.6mA
h
FE
3.2mA
200
T
a
=100
I
C
集电极电流
2.8mA
2.4mA
0.4
2.0mA
1.6mA
直流电流增益
0.6
T
a
=25
100
0.2
1.2mA
0.8mA
I
B
=0.4mA
0.0
0
1
2
3
4
0
0.1
0.3
1
2
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极电流
I
C
(A)
0.5
V
CESAT
β=20
—— I
C
V
BESAT
1.2
—— I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CESAT
(V)
0.4
1.0
基射极饱和
电压V
BESAT
(V)
T
a
=25
0.8
0.3
0.2
T
a
=100
T
a
=100
0.6
0.1
T
a
=25
0.4
β=20
0.0
0.1
0.3
1
2
0.2
0.1
0.3
1
2
集电极电流
I
C
(A)
集电极电流
I
C
(A)
I
C
2
—— V
BE
1000
C
ob
/ C
ib
—— V
CB
/ V
EB
f=1MHz
I
E
=0/I
C
=0
C
ib
T
a
=25
共发射极
V
CE
=2V
(A)
1
(PF )
C
100
集电极电流
I
C
T
a
=25
0.3
电容
T
a
=100
C
ob
10
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
0.1
0.3
1
3
10
20
BASE- EMMITER电压V
BE
(V)
反向电压
V
(V)
600
P
C
——
T
a
500
集电极耗散功率
P
C
( mW)的
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度
T
a
(
)
2SC4672
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
500毫瓦, 60 V
NPN塑封装晶体管
SOT-89
特点
低饱和电压,通常V
CE ( SAT )
=我在0.1V
C
/I
B
=1A/50mA.
优良的直流电流增益特性。
补充2SA1797
B
F
G
H
K
J
L
4
1
A
E
2
3
C
集热器
D
BASE
辐射源
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.60
3.94
4.25
1.40
1.60
2.30
2.60
1.50
1.70
0.89
1.20
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.40
0.58
1.50 TYP
3.00 (典型值)
0.32
0.52
0.35
0.44
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流
集电极耗散功率
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
等级
60
50
6
2
500
150, -55~150
单位
V
V
V
A
mW
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
60
50
6
-
-
82
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
210
25
最大
-
-
-
0.1
0.1
270
0.35
-
-
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 50μA ,我
E
= 0
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
I
E
= 50μA ,我
C
= 0
V
CB
= 60 V,I
E
= 0
V
EB
= 5 V,I
C
= 0
V
CE
= 2V ,我
C
=0.5A
I
C
= 1A ,我
B
=50mA
V
CE
= 2V ,我
C
= 500毫安, F = 100 MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分类h及
FE
范围
记号
P
82~180
DKP
Q
120~270
DKQ
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
09 -MAR - 2010版本B
第1页2
2SC4672
公司Bauelemente
500毫瓦, 60 V
NPN塑封装晶体管
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
09 -MAR - 2010版本B
第2页2
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
2SC4672
低频晶体管
(50V,2A)
描述
在UTC
2SC4672
是一个低频率晶体管。卓越的DC
电流增益特性。
NPN硅晶体管
特点
*低饱和电压,通常V
CE ( SAT )
=我在0.1V
C
/ I
B
= 1A / 50毫安
*优异的直流电流增益特性
订购信息
正常
2SC4672-x-AB3-R
订购数量
无铅电镀
2SC4672L-x-AB3-R
无卤
2SC4672G-x-AB3-R
SOT-89
引脚分配
1
2
3
B
C
E
填料
带盘
记号
www.unisonic.com.tw
2010 Unisonic技术有限公司
1 2
QW-R208-004.D
2SC4672
ABSOLUATE最大信号额定值
( TA = 25°C )
NPN硅晶体管
参数
符号
评级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
60
V
集电极到发射极电压
V
首席执行官
50
V
发射器基极电压
V
EBO
6
V
集电极电流
I
C
2
A
集电极电流(脉冲) (注1 )
I
CP
5
A
集电极耗散
P
C
500
mW
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-40 ~ +150
°C
注: 1.单脉冲,P
W
=10ms
2.Absolute最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
符号
测试条件
集电极 - 基极击穿电压
BV
CBO
I
C
=50μA
集电极 - 发射极击穿电压
BV
首席执行官
I
C
=1mA
发射极 - 基极击穿电压
BV
EBO
I
E
=50μA
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
V
CB
=60V
发射Cuto FF电流
I
EBO
V
EB
=5V
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
I
C
/I
B
= 1A / 50毫安(注)
直流电流传输比
h
FE
V
CE
= 2V ,我
C
= 0.5A (注)
跃迁频率
f
T
V
CE
= 2V ,我
E
= -0.5A , F = 100MHz的
输出电容
C
OB
V
CB
= 10V ,我
E
=0A,f=1MHz
注意:使用脉冲电流测量。
60
50
6
典型值
最大
0.1
120
210
25
0.1
0.1
0.35
400
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
pF
分类h及
FE
范围
A
120 ~ 240
B
200 ~ 400
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW-R208-004.D
2SC4672
典型特征
NPN硅晶体管
S.O.A
IC MAX 。 (脉冲)
IC MAX (C
ontinuous )
IC ,集电极电流( A)
DC
集电极 - 发射极电压,V
CE
(V)
140
120
100
80
60
40
20
0
0.001
0.01
0.1
集电极电流,I
C
(A)
1
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
直流电流增益,H
FE
S
1m
mS
10
3 4
QW-R208-004.D
2SC4672
NPN硅晶体管
ü TC assum ES的设备,用品与耳鼻喉科的故障而导致的产品使用在V alues任何责任
前CEED , EV EN米OM entarily ,额定V alues (如米斧头IM嗯等级,工作环境范围,或
其他参数ETERS )在任何产品的规格和所有UT 产品上市的描述或包含
在本文中。 UT 产品并非设计用于生命支持设备,开发冰或系统s其中使用
这些产品的米alfunction可合理预期会导致人身伤害。 eproduction在
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。吨他告诉ATION
在这docum耳鼻喉科并不构成任何报价或合同的一部分提出,是believ ED是准确的
可靠和M唉,恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
4 4
QW-R208-004.D
2SC4672
NPN外延平面晶体管
P B
铅(Pb ) - 免费
1.基地
2.收集
3.辐射源
1
2
3
产品特点:
*低饱和电压,通常为
V
CE
(SAT) = 0.35V ,在我
C
/I
B
=1A/50mA.
*优异的直流电流增益特性。
SOT-89
机械数据:
*案例:模压塑料
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流( DC )
设备总Disspation牛逼
A
=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
Tj
TSTG
价值
60
50
6
2.0
2
+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
W
C
C
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
1/3
02-Apr-07
2SC4672
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 50μA ,我
E
=0
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1mA时,我
B
=0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 50μA ,我
C
=0
集电极截止-O FF电流
V
CB
= 60V ,我
E
=0
射极切-O FF电流
V
EB
= 5V ,我
C
=0
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
60
50
6.0
-
-
典型值
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.1
0.1
单位
V
V
V
A
A
基本特征
*
直流电流增益
V
CE
= 2V ,我
C
=500mA
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1A ,我
B
=50mA
*脉冲测试:时脉宽度≤ 380μs ,占空比≤ 2 % 。
h
FE
V
CE ( SAT )
82
-
-
-
270
0.35
-
V
动态特性
跃迁频率
V
CE
= 2V ,我
E
= 500毫安中,f = 100MHz的
输出电容
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
f
T
C
ob
-
-
210
25
-
-
兆赫
pF
分类h及
FE
范围
记号
P
82-180
DKP
Q
120-270
DKQ
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/3
02-Apr-07
2SC4672
SOT- 89外形尺寸
单位:mm
E
G
暗淡
A
SOT-89
J
C
H
K
L
B
D
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
最大
1.400
1.600
0.320
0.520
0.360
0.560
0.350
0.440
4.400
4.600
1.400
1.800
2.300
2.600
3.940
4.250
1.500TYP
2.900
3.100
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
3/3
02-Apr-07
SMD型
低频晶体管
2SC4672
晶体管
特点
低饱和电压,通常V
CE (SAT)
=我在0.1V
C
/I
B
= 1A / 50毫安。
优良的直流电流增益特性。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
(脉冲) *
1
P
C
P
C
*
2
T
j
T
英镑
等级
60
50
6
3
6
0.5
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
集电极耗散功率
结温
储存温度
* 1 。单脉冲, PW = 10毫秒
*2. 40X40X
t
0.7毫米陶瓷板
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输出电容
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
I
C
=50ìA
I
C
=1mA
I
E
=50ìA
V
CB
=60V
V
EB
=5V
V
CE
=2V,I
C
=0.5A
V
CE
=2V,I
C
=1.5A
V
CE ( SAT )
I
C
=1A,I
B
=50mA
C
ob
f
T
V
CB
= 10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
V
CE
= 2V ,我
E
= -0.5A , F = 100MHz的
82
45
0.13
25
210
0.35
V
pF
兆赫
Testconditons
60
50
6
0.1
0.1
390
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
h
FE
分类
记号
h
FE
DKP
P
82 180
DKQ
Q
120 270
DKR
R
180 390
www.kexin.com.cn
1
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ,
2SC4672
低频
晶体管( 50V , 2A )
描述
NPN外延硅晶体管
1
在UTC 2SC4672是一种低频率的晶体管。卓越的DC
电流增益特性。
特点
*低饱和电压,通常为VCE (SAT) = 0.1V时
I
C
/ I
B
= 1A / 50毫安
*优异的直流电流增益特性
SOT-89
记号
*无铅电镀产品编号: 2SC4672L
XX
DK
引脚配置
PIN号
1
2
3
引脚名称
辐射源
集热器
BASE
订购信息
订单号
正常
无铅
2SC4672 - AB3 -R 2SC4672L - AB3 -R
SOT-89
填料
带盘
www.unisonic.com.tw
2005 Unisonic技术有限公司
1
QW-R208-004.B
2SC4672
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲) (注1 )
集电极耗散
结温
储存温度
注1 :单脉冲,P
W
=10ms
NPN外延硅晶体管
ABSOLUATE最大信号额定值
( TA = 25℃ )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
J
T
英镑
评级
60
50
6
2
5
500
+150
-40 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25 ℃ ,除非另有规定)
参数
符号
测试条件
集电极 - 基极击穿电压
BV
CBO
I
C
=50A
集电极 - 发射极击穿电压
BV
首席执行官
I
C
=1mA
发射极 - 基极击穿电压
BV
EBO
I
E
=50A
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
V
CB
=60V
发射Cuto FF电流
I
EBO
V
EB
=5V
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
I
C
/I
B
= 1A / 50毫安(注1)
直流电流传输比
h
FE
V
CE
= 2V ,我
C
= 0.5A (注1)
跃迁频率
f
T
V
CE
= 2V ,我
E
= -0.5A , F = 100MHz的
输出电容
COB
V
CB
= 10V ,我
E
=0A,f=1MHz
注1 :使用脉冲电流测量。
60
50
6
典型值
最大
0.1
120
210
25
0.1
0.1
0.35
400
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
分类的hFE的
范围
A
120 ~ 240
B
200 ~ 400
ü TC assum ES的设备,用品与耳鼻喉科的故障而导致的产品使用在V alues任何责任
前CEED , EV EN米OM entarily ,额定V alues (如米斧头IM嗯等级,工作环境范围,或
其他参数ETERS )在任何产品的规格和所有UT 产品上市的描述或包含
在本文中。 UT 产品并非设计用于生命支持设备,开发冰或系统s其中使用
这些产品的米alfunction可合理预期会导致人身伤害。 eproduction在
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。吨他告诉ATION
在这docum耳鼻喉科并不构成任何报价或合同的一部分提出,是believ ED是准确的
可靠和M唉,恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2
QW-R208-004.B
2SC4672
晶体管
低频晶体管( 50V , 3A )
2SC4672
特点
1 )低饱和电压,通常V
CE (SAT)
=我在0.1V
C
/I
B
= 1A / 50毫安。
2 )出色的直流电流增益特性。
3 )补充了2SA1797 。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
1
单脉冲, PW = 10毫秒
2
40
×
40
×
t
0.7毫米陶瓷板
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
6
3
6
0.5
2
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A( DC )
A(脉冲)
1
2
W
°C
°C
包装规格和h
FE
TYPE
h
FE
记号
2SC4672
MPT3
PQ
DK
CODE
基本订购单位(件)
指H
FE
T100
1000
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
1
h
FE
2
f
T
COB
分钟。
60
50
6
82
45
典型值。
0.13
210
25
马克斯。
0.1
0.1
0.35
270
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=60V
V
EB
=5V
I
C
/I
B
=1A/50mA
V
CE
=2V,
I
C
=0.5A
V
CE
=2V,
I
C
=1.5A
V
CE
=2V,
I
E
=0.5A,
f=100MHz
条件
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
*实测
利用脉冲电流。
Rev.A的
1/2
2SC4672
晶体管
电气特性曲线
10
5
5000
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
V
CE
=
2V
Ta=25°C
直流电流增益:H
FE
2000
1000
500
200
100
50
20
10
5
1m 2m 5m 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1
V
CE
=2V
1
I
C
/I
B
=20
0.5
集电极电流:我
C
(A)
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
5m
2m
1m
0
0.2
Ta=100°C
Ta=25°C
0.2
0.1
0.05
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
Ta=100°C
TA
40°C
TA
40°C
0.02
0.01
1m 2m
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
2
5
10
5m 0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5 1
2
5 10
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图1发射极接地传播
特征
图2直流电流增益与集电极电流
图3集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
10
5
集电极电流:我
C
(A)
IC最大。 (脉冲
)
Pw=1ms
Pw=10ms
Pw=100ms
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
Ta=25°C
单身
2m
不重复
1m
0.1 0.2
脉冲
DC
0.5 1
2
5 10
20 50 100 200 500 1000
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
图4安全工作区
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
2SC4672
晶体管
低频晶体管( 50V , 3A )
2SC4672
特点
1 )低饱和电压,通常V
CE (SAT)
=我在0.1V
C
/I
B
= 1A / 50毫安。
2 )出色的直流电流增益特性。
3 )补充了2SA1797 。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
1
单脉冲, PW = 10毫秒
2
40
×
40
×
t
0.7毫米陶瓷板
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
6
3
6
0.5
2
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A( DC )
A(脉冲)
1
2
W
°C
°C
包装规格和h
FE
TYPE
h
FE
记号
2SC4672
MPT3
PQ
DK
CODE
基本订购单位(件)
指H
FE
T100
1000
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
1
h
FE
2
f
T
COB
分钟。
60
50
6
82
45
典型值。
0.13
210
25
马克斯。
0.1
0.1
0.35
270
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=60V
V
EB
=5V
I
C
/I
B
=1A/50mA
V
CE
=2V,
I
C
=0.5A
V
CE
=2V,
I
C
=1.5A
V
CE
=2V,
I
E
=0.5A,
f=100MHz
条件
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
*实测
利用脉冲电流。
Rev.A的
1/2
2SC4672
晶体管
电气特性曲线
10
5
5000
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
V
CE
=
2V
Ta=25°C
直流电流增益:H
FE
2000
1000
500
200
100
50
20
10
5
1m 2m 5m 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1
V
CE
=2V
1
I
C
/I
B
=20
0.5
集电极电流:我
C
(A)
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
5m
2m
1m
0
0.2
Ta=100°C
Ta=25°C
0.2
0.1
0.05
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
Ta=100°C
TA
40°C
TA
40°C
0.02
0.01
1m 2m
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
2
5
10
5m 0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5 1
2
5 10
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图1发射极接地传播
特征
图2直流电流增益与集电极电流
图3集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
10
5
集电极电流:我
C
(A)
IC最大。 (脉冲
)
Pw=1ms
Pw=10ms
Pw=100ms
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
Ta=25°C
单身
2m
不重复
1m
0.1 0.2
脉冲
DC
0.5 1
2
5 10
20 50 100 200 500 1000
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
图4安全工作区
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
2SC4672
晶体管
低频晶体管( 50V , 3A )
2SC4672
特点
1 )低饱和电压,通常V
CE (SAT)
=我在0.1V
C
/I
B
= 1A / 50毫安。
2 )出色的直流电流增益特性。
3 )补充了2SA1797 。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
1
单脉冲, PW = 10毫秒
2
40
×
40
×
t
0.7毫米陶瓷板
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
6
3
6
0.5
2
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A( DC )
A(脉冲)
1
2
W
°C
°C
包装规格和h
FE
TYPE
h
FE
记号
2SC4672
MPT3
PQ
DK
CODE
基本订购单位(件)
指H
FE
T100
1000
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
1
h
FE
2
f
T
COB
分钟。
60
50
6
82
45
典型值。
0.13
210
25
马克斯。
0.1
0.1
0.35
270
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=60V
V
EB
=5V
I
C
/I
B
=1A/50mA
V
CE
=2V,
I
C
=0.5A
V
CE
=2V,
I
C
=1.5A
V
CE
=2V,
I
E
=0.5A,
f=100MHz
条件
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
*实测
利用脉冲电流。
Rev.A的
1/2
2SC4672
晶体管
电气特性曲线
10
5
5000
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
V
CE
=
2V
Ta=25°C
直流电流增益:H
FE
2000
1000
500
200
100
50
20
10
5
1m 2m 5m 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1
V
CE
=2V
1
I
C
/I
B
=20
0.5
集电极电流:我
C
(A)
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
5m
2m
1m
0
0.2
Ta=100°C
Ta=25°C
0.2
0.1
0.05
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
Ta=100°C
TA
40°C
TA
40°C
0.02
0.01
1m 2m
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
2
5
10
5m 0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5 1
2
5 10
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图1发射极接地传播
特征
图2直流电流增益与集电极电流
图3集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
10
5
集电极电流:我
C
(A)
IC最大。 (脉冲
)
Pw=1ms
Pw=10ms
Pw=100ms
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
Ta=25°C
单身
2m
不重复
1m
0.1 0.2
脉冲
DC
0.5 1
2
5 10
20 50 100 200 500 1000
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
图4安全工作区
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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