不建议用于新设计 -
请使用25AA040A或25LC040A 。
25AA040/25LC040/25C040
4K SPI总线串行EEPROM
器件选型表
部分
数
25AA040
25LC040
25C040
V
CC
范围
1.8-5.5V
2.5-5.5V
4.5-5.5V
马克斯。时钟
频率
1兆赫
2兆赫
3兆赫
温度。
范围
I
I
I，E
通信设备可以通过暂停
HOLD引脚（ HOLD ） 。当设备被暂停，跃迁
在其输入上系统蒸发散将被忽略，除
片选，允许主机优先级更高
中断。而且，写入操作的装置，可
通过将写保护引脚（WP ）禁用。
封装类型
PDIP
CS
SO
1
8
V
CC
HOLD
SCK
SI
2
3
4
25XX040
产品特点：
低功耗CMOS技术：
- 写电流：3 mA，典型值
- 读电流： 500
μA,
典型
- 待机电流： 500 nA的典型
512 ×8位的组织
16字节页
写周期时间： 5 ms以下。
自定时擦除和写入周期
块写保护：
- 无保护， 1/4，1/2或所有阵列
内置写保护：
- 电源开/关数据保护电路
- 写使能锁存器
- 写保护引脚
连续读
高可靠性：
- 耐力： 100万次
- 数据保存： > 200年
- ESD保护： > 4000V
8引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装
温度范围内支持：
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车（ E） （ 25C040 ） ：
-40°C至+ 125°C
7
6
5
WP
V
SS
SOIC
CS
SO
WP
V
SS
1
8
V
CC
HOLD
SCK
SI
2
3
4
25XX040
1
2
3
4
7
6
5
TSSOP
25XX040
HOLD
V
CC
CS
SO
8
7
6
5
SCK
SI
V
SS
WP
框图
状态
注册
高压发生器
I / O控制
逻辑
描述：
Microchip Technology Inc.的25AA040 / 25LC040 /
25C040 （ 25xx040
*
）是4千位串行电
可擦除PROM 。该存储器是通过一个简单的访问
串行外设接口（SPI ）兼容的串行总线。
所需的总线信号的时钟输入（SCK）加
在（SI）的单独的数据输入和数据输出（ SO）线。访问
该装置是通过在芯片的控制选择（CS）的
输入。
* 25XX040使用本文档中作为一个通用的零件号
为25AA040 / 25LC040 / 25C040设备。
内存
控制
逻辑
EEPROM
ARRAY
XDEC
页面
锁存器
SI
SO
CS
SCK
HOLD
WP
V
CC
V
SS
Y译码
感测放大器。
R / W控制
2006年Microchip的科技公司
DS21204E第1页
25AA040/25LC040/25C040
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
.......................................................................................................... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度.................................................................................................................................-65°C至150℃下
在偏置环境温度...............................................................................................................-65°C至125℃的
所有引脚的ESD保护......................................................................................................................................... 4 KV
注意：
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏
装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在极限条件下的
时间会影响器件的可靠性长时间
表1-1：
DC特性
工业级（I ） ：
T
A
= -40 ° C至+ 85°C V
CC
= 1.8V至5.5V
汽车（ E） ：T已
A
= -40 ° C至+ 125°C V
CC
= 4.5V至5.5V （ 25C040只）
分钟。
2.0
0.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
—
V
CC
-0.5
—
—
—
马克斯。
V
CC
+1
V
CC
+1
0.8
0.3 V
CC
0.4
0.2
—
±1
±1
7
单位
V
V
V
V
V
V
V
μA
μA
pF
测试条件
V
CC
≥
2.7V
（注）
V
CC
＆ LT ; 2.7V
（注）
V
CC
≥
2.7V
（注）
V
CC
＆ LT ; 2.7V
（注）
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 1.0毫安， V
CC
＆ LT ; 2.5V
I
OH
=-400
μA
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS TO
V
CC
CS = V
CC
, V
OUT
= V
SS TO
V
CC
T
A
= 25°C ， CLK = 1.0 MHz时，
V
CC
= 5.0V
（注）
V
CC
= 5.5V ; F
CLK
= 3.0 MHz的; SO =打开
V
CC
= 2.5V ; F
CLK
= 2.0 MHz的; SO =打开
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 2.5V
CS = V
CC
= 5.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
CS = V
CC
= 2.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
DC特性
参数。
号
D001
D002
D003
D004
D005
D006
D007
D008
D009
D010
符号。
V
IH1
V
IH2
V
IL1
V
IL2
V
OL
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
C
INT
特征
高级别输入
电压
低电平输入
电压
低电平输出
电压
高电平的输出
电压
输入漏电流
输出漏
当前
内部电容
（所有输入和
输出）
D011
D012
D013
I
CC
阅读工作电流
I
CC
写
I
CCS
待机电流
—
—
—
—
—
—
1
500
5
3
5
1
mA
μA
mA
mA
μA
μA
注意：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
DS21204E第2页
2006年Microchip的科技公司
25AA040/25LC040/25C040
表1-2：
AC特性
工业级（I ） ：
汽车（ E） ：
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V （ 25C040只）
AC特性
PARAM
号
1
符号。
F
CLK
特征
时钟频率
分钟。
—
—
—
100
250
500
150
250
475
500
30
50
50
50
100
100
—
—
150
230
475
150
230
475
50
50
—
—
—
0
—
—
—
100
100
200
100
100
200
100
150
200
100
150
200
—
1M
马克斯。
3
2
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
2
—
—
—
—
—
—
—
—
150
230
475
—
200
250
500
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
—
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
东/西
周期
测试条件
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
—
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
（注1 ）
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
—
—
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 2.5V至4.5V
（注1 ）
V
CC
= 1.8V至2.5V
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 2.5V至4.5V
（注1 ）
V
CC
= 1.8V至2.5V
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
—
（注2 ）
2
T
CSS
CS建立时间
3
T
CSH
CS保持时间
4
5
T
惩教署
T
SU
CS禁用时间
数据建立时间
6
T
HD
数据保持时间
7
8
9
T
R
T
F
T
HI
CLK上升时间
CLK下降时间
时钟高电平时间
10
T
LO
时钟低电平时间
11
12
13
T
CLD
T
CLE
T
V
时钟延迟时间
时钟使能时间
时钟输出低电平有效。
14
15
T
HO
T
DIS
输出保持时间
输出禁止时间
16
T
HS
HOLD建立时间
17
T
HH
HOLD保持时间
18
T
HZ
HOLD低到输出高阻
19
T
HV
高举到输出有效
20
21
T
WC
—
注1 ：
2:
内部写周期时间
耐力
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于在特定应用中估计耐用性，请
请教这可以从我们的网站上获得的Total Endurance模型： www.microchip.com 。
2006年Microchip的科技公司
DS21204E第3页
M
部分
数
25AA040
25LC040
25C040
V
CC
范围
1.8-5.5V
2.5-5.5V
4.5-5.5V
25AA040/25LC040/25C040
描述
温度。
范围
I
I
I，E
Microchip Technology Inc.的25AA040 / 25LC040 /
25C040 （ 25xx040
*
）是4千位串行电Eras-
能够PROM 。该存储器是通过一个简单的访问
串行外设接口 （ SPI ）兼容的串行
总线。所需的总线信号的时钟输入（SCK）
加在（SI）的单独的数据输入和数据输出（ SO）线。
对设备的访问是通过一个片选控制
（ CS ）输入。
通信设备可以通过暂停
HOLD引脚（ HOLD ） 。当设备被暂停，跃迁
在其输入上系统蒸发散将被忽略，除
片选，允许主机优先级更高
中断。而且，写入操作的装置，可
通过写保护引脚（ WP ）禁用。
4K SPI
总线串行EEPROM
器件选型表
马克斯。时钟
频率
1兆赫
2兆赫
3兆赫
特点
低功耗CMOS技术
- 写电流：3 mA典型
- 读电流： 500
A
典型
- 待机电流： 500 nA的典型
512 ×8位的组织
16字节页
写周期时间： 5 ms以下。
自定时擦除和写入周期
块写保护
- 无保护， 1/4，1/2或所有阵列
内置写保护
- 电源开/关数据保护电路
- 写使能锁存器
- 写保护引脚
连续读
高可靠性
- 耐力： 100万次
- 数据保存： > 200年
- ESD保护： > 4000V
8引脚PDIP ，SOIC和TSSOP封装
温度范围内支持：
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车（ E） （ 25C040 ） ：
-40°C至+ 125°C
框图
状态
注册
高压发生器
I / O控制
逻辑
内存
控制
逻辑
X
DEC
EEPROM
ARRAY
页锁存器
SI
SO
CS
SCK
HOLD
WP
V
CC
V
SS
Y译码
感测放大器。
R / W控制
封装类型
PDIP
CS
SO
WP
V
SS
1
8
V
CC
HOLD
SCK
SI
CS
SO
WP
V
SS
1
SOIC
8
V
CC
HOLD
SCK
SI
HOLD
V
CC
CS
SO
1
TSSOP
8
SCK
SI
V
SS
WP
25XX040
25XX040
25XX040
2
3
4
7
6
5
2
3
4
7
6
5
2
3
4
7
6
5
* 25xx040使用本文档中作为25AA040 / 25LC040 / 25C040器件的通用零件编号。
SPI 是摩托罗拉公司的商标。
2001年Microchip的科技公司
DS21204C第1页
25AA040/25LC040/25C040
1.0
电气特性
绝对最大额定值？
V
CC
.............................................................................................................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
.......................................................................................................... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度.................................................................................................................................-65°C至150℃下
在偏置环境温度...............................................................................................................-65°C至125℃的
引线焊接温度（ 10秒） .......................................................................................................+300°C
所有引脚的ESD保护......................................................................................................................................... 4 KV
注意：
条件超过上述“最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。这
是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件超过上述表示
本规范的运作上市，是不是暗示。暴露在极限条件下的扩展
时间会影响器件的可靠性期
1.1
DC特性
DC特性
工业级（I ） ：
T
AMB
= -40 ° C至+ 85°C
汽车（ E） ：T已
AMB
= -40 ° C至+ 125°C
分钟。
2.0
0.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
—
V
CC
-0.5
-10
-10
—
—
—
—
—
待机电流
—
—
马克斯。
V
CC
+1
V
CC
+1
0.8
0.3 V
CC
0.4
0.2
—
10
10
7
1
500
5
3
5
1
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V （ 25C040只）
测试条件
参数。
号
D001
D002
D003
D004
D005
D006
D007
D008
D009
D010
D011
D012
D013
注意：
符号。
V
IH
1
V
IH
2
V
IL
1
V
IL
2
V
OL
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
C
INT
I
CC
读
I
CC
写
I
CCS
特征
输入高电平
电压
低电平输入
电压
低电平输出
电压
高电平输出
电压
输入漏电流
输出漏
当前
内部电容
（所有输入和输出）
工作电流
V
CC
≥
2.7V
（注）
V
CC
＆ LT ; 2.7V
（注）
V
CC
≥
2.7V
（注）
V
CC
＆ LT ; 2.7V
（注）
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 1.0毫安， V
CC
＆ LT ; 2.5V
I
OH
=-400
A
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS TO
V
CC
CS = V
CC
, V
OUT
= V
SS TO
V
CC
T
AMB
= 25°C ， CLK = 1.0 MHz时，
V
CC
= 5.0V
（注）
V
CC
= 5.5V ; F
CLK
= 3.0 MHz的; SO =打开
V
CC
= 2.5V ; F
CLK
= 2.0 MHz的; SO =打开
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 2.5V
CS = V
CC
= 5.5V ，输入连接到V
CC
或V
SS
CS = V
CC
= 2.5V ，输入连接到V
CC
或V
SS
pF
mA
A
mA
mA
A
A
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
DS21204C第2页
2001年Microchip的科技公司
25AA040/25LC040/25C040
1.2
AC特性
AC特性
参数。
号
1
符号。
F
CLK
特征
时钟频率
工业级（I ） ：
T
AMB
= -40 ° C至+ 85°C
汽车（ E） ：T已
AMB
= -40 ° C至+ 125°C
分钟。
—
—
—
100
250
500
150
250
475
500
30
50
50
50
100
100
—
—
150
230
475
150
230
475
50
50
—
—
—
0
—
—
—
100
100
200
100
100
200
100
150
200
100
150
200
—
1M
马克斯。
3
2
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
2
—
—
—
—
—
—
—
—
150
230
475
—
200
250
500
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
—
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V （ 25C040只）
测试条件
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
—
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
（注1 ）
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
—
—
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 2.5V至4.5V
（注1 ）
V
CC
= 1.8V至2.5V
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 2.5V至4.5V
（注1 ）
V
CC
= 1.8V至2.5V
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
—
2
T
CSS
CS建立时间
3
T
CSH
CS保持时间
4
5
T
惩教署
T
SU
CS禁用时间
数据建立时间
6
T
HD
数据保持时间
7
8
9
T
R
T
F
T
HI
CLK上升时间
CLK下降时间
时钟高电平时间
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
东/西
周期
10
T
LO
时钟低电平时间
11
12
13
T
CLD
T
CLE
T
V
时钟延迟时间
时钟使能时间
时钟输出低电平有效。
14
15
T
HO
T
DIS
输出保持时间
输出禁止时间
16
T
HS
HOLD建立时间
17
T
HH
HOLD保持时间
18
T
HZ
HOLD低到输出高阻
19
T
HV
高举到输出有效
20
21
T
WC
—
内部写周期时间
耐力
（注2 ）
注1 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
2:
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于在特定应用中估计耐用性，请
咨询，可以在我们的网站上获得的总耐力型号： www.microchip.com 。
2001年Microchip的科技公司
DS21204C第3页
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