【2SA1190 ， 2SA1191PNP硅外延ADE - 208-1012 （ Z）1日。版2001】,IC型号2SA1191E,2SA1191E PDF资料,2SA1191E经销商,ic,电子元器件-51电子网

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2SA1190 ， 2SA1191

PNP硅外延

ADE - 208-1012 （ Z）

1日。版

2001年3月

应用

低频率的低噪声放大器

互补配对2SC2855和2SC2856

概要

TO-92 （1）

1.发射器

2.收集

3. BASE

3

2

1

2SA1190 ， 2SA1191

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

发射极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

E

P

C

Tj

TSTG

2SA1190

–90

–90

–5

–100

100

400

150

-55到+150

2SA1191

–120

–120

–5

–100

100

400

150

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mA

mW

°C

°C

2

2SA1190 ， 2SA1191

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SA1190

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流转接率

集电极到发射极

饱和电压

基极到发射极

饱和电压

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

*

1

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

民

–90

–90

–5

—

—

250

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

最大

—

—

—

–0.1

–0.1

800

2SA1191

民

典型值

最大

—

—

—

–0.1

–0.1

800

单位

V

V

V

A

A

测试条件

I

C

= –10

A,

I

E

= 0

I

C

= -1毫安，R

BE

=

∞

I

E

= –10

A,

I

C

= 0

V

CB

= -70 V，I

E

= 0

V

EB

= -2 V，I

C

= 0

V

CE

= –12 V,

I

C

= -2毫安*

2

I

C

= -10毫安，

I

B

= -1毫安*

2

–120 —

–120 —

–5

—

—

250

—

—

—

—

–0.05 –0.15 —

–0.7

130

3.2

0.15

–1.0

—

—

1.5

—

—

—

—

–0.05 –0.15 V

–0.7

130

3.2

0.15

–1.0

—

—

1.5

V

兆赫

pF

dB

增益带宽乘积F

T

集电极输出

电容

噪声系数

COB

NF

V

CE

= –6 V,

I

C

= -10毫安

V

CB

= -10 V，I

E

= 0,

F = 1 MHz的

V

CE

= –6 V,

I

C

= -0.1毫安，

R

g

= 10 k

F = 1千赫

V

CE

= –6 V,

I

C

= -0.1毫安，

R

g

= 10 k

F = 10赫兹

V

CB

= –6 V,

I

C

= -10毫安，

RG = 0中，f = 1千赫

—

0.2

2.0

—

0.2

2.0

dB

噪声电压下文称

TO INPUT

e

n

—

0.7

—

—

0.7

—

内华达州/

√Hz的

注：1. 2SA1190与2SA1191都用h分组

FE

如下。

2.脉冲测试

D

250至500

E

400至800

3

2SA1190 ， 2SA1191

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率PC（毫瓦）

600

集电极电流I

C

（MA ）

典型的输出特性（ 1）

–20

0

–3

–16

P

C

–2

m

00

=4

5

–20

400

–12

–15

W

–8

–10

–5

A

200

–4

I

B

= 0

0

50

100

150

环境温度Ta （C ）

0

–20

–40

–60

–80

–100

集电极到发射极电压V

CE

(V)

典型的输出特性（ 2）

–10

集电极电流I

C

（MA ）

典型的传输特性

–100

集电极电流I

C

（MA ）

V

CE

= –6 V

脉冲

–10

–20

–8

–18

–16

–14

–12

–10

–6

TA = 75℃

25

–25

–4

–8

–6

–1.0

–2

–4

–2

A

I

B

= 0

0

–4

–8

–12

–16

–20

集电极到发射极电压V

CE

(V)

–0.1

0

–0.2

–0.4

–0.6

–0.8

–1.0

基极至发射极电压V

BE

(V)

4

2SA1190 ， 2SA1191

集电极截止电流 -

集电极 - 基极电压

–10.000

集电极截止电流I

CBO

（ PA ）

I

E

= 0

–1,000

TA = 75℃

25

–25

–10

集电极截止电流I

首席执行官

（ nA的）

–1,000

R

BE

=

∞

–100

TA = 75℃

25

–10

–25

–1.0

集电极截止电流 -

集电极到发射极电压

–100

–1

0

–20

–40

–60

–80

–100

集电极基极电压V

CB

(V)

–0.1

0

–20

–40

–60

–80

–100

集电极到发射极电压V

CE

(V)

发射极截止电流 -

发射器基极电压

I

C

= 0

TA = 75℃

–100

集电极到发射极击穿电压

V

（ BR ） CER

(V)

–1,000

发射极截止电流I

EBO

（ PA ）

集电极到发射极击穿电压 -

基极 - 射极电阻

–190

典型的价值

I

C

= -1毫安

–180

–170

–10

25

–1.0

–25

–160

–150

–0.1

0

–2

–4

–6

–8

–10

发射器基极电压V

EB

(V)

–140

10

100

1k

10 k

100 k

基极 - 射极电阻R

BE

()

5

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