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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第290页 > 2N5655
安森美半导体
)
塑料NPN硅
高电压功率晶体管
。 。 。在线路供电的设备设计用于诸如音频
输出放大器;低电流，高电压的转换器;和AC线
继电器。
2N5655
2N5657
0.5安培
功率晶体管
NPN硅
250-350伏
20瓦
出色的直流电流增益 -
的hFE = 30-250 @ IC = 100 MADC
电流增益 - 带宽积 -
FT = 10兆赫（最小值） @ IC = 50 MADC
最大额定值（ 1 ）
等级
PD ，功耗（瓦）
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
2N5655
250
275
2N5657
350
375
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
6.0
0.5
1.0
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
0.25
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
PD
20
0.16
瓦
W / ℃，
_C
TJ ， TSTG
-65到+150
3 2
1
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-09
TO- 225AA型
热特性
特征
符号
θ
JC
最大
单位
热阻，结到外壳
6.25
° C / W
（ 1 ）表示JEDEC注册的数据。
40
30
50毫亨
20
HG继电器
+
X
200
TO SCOPE
6.0 V
Y
300
50 V
+
-
10
0
1.0
25
50
75
100
TC ，外壳温度（ ° C）
125
150
图1.功率降额
图2.耐受电压测试电路
安全区的限制是由图3和4这两个限制是适用的，必须遵守指示。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年4月 - 启示录7
出版订单号：
2N5655/D
2N5655 2N5657
IC ，集电极电流（ AMP ）
*电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
250
350
250
350
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
–
–
–
–
单位
VDC
VDC
集电极 - 发射极耐受电压
（ IC = 100 MADC （感性） ， L = 50毫亨）
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 150伏， IB = 0 ）
（ VCE = 250 VDC ， IB = 0 ）
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
VCEO （ SUS）
V（ BR ） CEO
ICEO
MADC
0.1
0.1
0.1
0.1
1.0
1.0
10
10
10
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 250 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 350伏， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 150伏， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 100_C ）
（ VCE = 250 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 100_C ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 275伏， IE = 0 ）
（ VCB = 375伏， IE = 0 ）
ICEX
MADC
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
ICBO
μAdc
发射极截止电流（ VEB = 6.0伏， IC = 0 ）
直流电流增益（ 1 ）
（ IC = 50 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 250 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 V直流）
IEBO
的hFE
μAdc
–
基本特征
25
30
15
5.0
–
–
–
–
–
250
–
–
1.0
2.5
10
1.0
–
–
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 100 MADC ， IB = 10 MADC ）
（ IC = 250 MADC ， IB = 25 MADC ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 100 MADC ）
VCE （ SAT ）
VDC
基射极电压（ 1 ） （IC = 100 MADC ， VCE = 10 V直流）
VBE
fT
COB
的hFE
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积（ 2 ） （IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 10兆赫）
输出电容（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 100千赫）
10
–
20
兆赫
pF
–
25
小信号电流增益（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
*表示JEDEC注册的数据为2N5655系列。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
（2）的fT被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一。
1.0
0.5
TJ = 150℃
1.0毫秒
d
c
第二击穿极限
热极限@ TC = 25°C
焊线LIMIT
曲线适用于低于额定VCEO
2N5655
2N5657
20
30 40
60
100
200 300 400
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
600
10
s
500
s
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明I C - V CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图3中的数据是基于T J动力学（pk ） = 150_C ; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
v
150_C 。在高温情况下，热限制
将减少可处理到的值小于电源
限制施加的二次击穿。
图3.有源区安全工作区
http://onsemi.com
2
2N5655 2N5657
300
200
的hFE ， DC电流增益
100
70
50
30
20
10
1.0
-55°C
TJ = + 150°C
+100°C
+25°C
VCE = 10 V
VCE = 2.0 V
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
IC ，集电极电流（毫安）
70
100
200
300
500
图4.电流增益
1.0
0.8
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
0
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
IC / IB = 5.0
10
20
TJ = + 25°C
500
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 10 V
300
200
C，电容（pF ）
100
70
50
30
20
10
0.1
COB
兴业银行
TJ = + 25°C
30
50
100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10 20
VR ，反向电压（伏）
50
100
图5.为“ON”电压
图6.电容
10
5.0
2.0
1.0
T， TIME （
s)
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0
2.0
td
tr
IC / IB = 10
VCC = 300 V ， VBE （关闭） = 2.0 V
（ 2N5657只）
VCC = 100 V， VBE （关闭） = 0 V
T， TIME （
s)
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
VCC = 300 V
（ 2N5657型，专用）
2.0
5.0
10
20
50
100
IC ，集电极电流（毫安）
200
500
tf
VCC = 100V
IC / IB = 10
ts
5.0
10
20
50
100
IC ，集电极电流（毫安）
200
500
0.1
1.0
图7.开启时间
图8.开启，关闭时间
http://onsemi.com
3
2N5655 2N5657
包装尺寸
TO–225AA
CASE 77-09
ISSUE W
–B–
U
Q
F
M
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.065
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
---
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.65
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
---
–A–
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留做出正确的
更改，恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何任何保证，声明或担保
特定用途，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何和所有
赔偿责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡
可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
SCILLC是疏忽就部分的设计和制造。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
ONlit@hibbertco.com
N.美国技术支持：
800-282-9855免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
4-32-1西五反田，品川区，东京，日本141-0031
电话：
81–3–5740–2700
电子邮件：
r14525@onsemi.com
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表。
http://onsemi.com
4
2N5655/D
安森美半导体
)
塑料NPN硅
高电压功率晶体管
。 。 。在线路供电的设备设计用于诸如音频
输出放大器;低电流，高电压的转换器;和AC线
继电器。
2N5655
2N5657
0.5安培
功率晶体管
NPN硅
250-350伏
20瓦
出色的直流电流增益 -
的hFE = 30-250 @ IC = 100 MADC
电流增益 - 带宽积 -
FT = 10兆赫（最小值） @ IC = 50 MADC
最大额定值（ 1 ）
等级
PD ，功耗（瓦）
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
2N5655
250
275
2N5657
350
375
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
6.0
0.5
1.0
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
0.25
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
PD
20
0.16
瓦
W / ℃，
_C
TJ ， TSTG
-65到+150
3 2
1
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-09
TO- 225AA型
热特性
特征
符号
θ
JC
最大
单位
热阻，结到外壳
6.25
° C / W
（ 1 ）表示JEDEC注册的数据。
40
30
50毫亨
20
HG继电器
+
X
200
TO SCOPE
6.0 V
Y
300
50 V
+
-
10
0
1.0
25
50
75
100
TC ，外壳温度（ ° C）
125
150
图1.功率降额
图2.耐受电压测试电路
安全区的限制是由图3和4这两个限制是适用的，必须遵守指示。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年4月 - 启示录7
出版订单号：
2N5655/D
2N5655 2N5657
IC ，集电极电流（ AMP ）
*电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
250
350
250
350
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
–
–
–
–
单位
VDC
VDC
集电极 - 发射极耐受电压
（ IC = 100 MADC （感性） ， L = 50毫亨）
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 150伏， IB = 0 ）
（ VCE = 250 VDC ， IB = 0 ）
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
VCEO （ SUS）
V（ BR ） CEO
ICEO
MADC
0.1
0.1
0.1
0.1
1.0
1.0
10
10
10
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 250 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 350伏， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 150伏， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 100_C ）
（ VCE = 250 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 100_C ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 275伏， IE = 0 ）
（ VCB = 375伏， IE = 0 ）
ICEX
MADC
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
ICBO
μAdc
发射极截止电流（ VEB = 6.0伏， IC = 0 ）
直流电流增益（ 1 ）
（ IC = 50 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 250 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 V直流）
IEBO
的hFE
μAdc
–
基本特征
25
30
15
5.0
–
–
–
–
–
250
–
–
1.0
2.5
10
1.0
–
–
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 100 MADC ， IB = 10 MADC ）
（ IC = 250 MADC ， IB = 25 MADC ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 100 MADC ）
VCE （ SAT ）
VDC
基射极电压（ 1 ） （IC = 100 MADC ， VCE = 10 V直流）
VBE
fT
COB
的hFE
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积（ 2 ） （IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 10兆赫）
输出电容（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 100千赫）
10
–
20
兆赫
pF
–
25
小信号电流增益（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
*表示JEDEC注册的数据为2N5655系列。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
（2）的fT被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一。
1.0
0.5
TJ = 150℃
1.0毫秒
d
c
第二击穿极限
热极限@ TC = 25°C
焊线LIMIT
曲线适用于低于额定VCEO
2N5655
2N5657
20
30 40
60
100
200 300 400
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
600
10
s
500
s
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明I C - V CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图3中的数据是基于T J动力学（pk ） = 150_C ; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
v
150_C 。在高温情况下，热限制
将减少可处理到的值小于电源
限制施加的二次击穿。
图3.有源区安全工作区
http://onsemi.com
2
2N5655 2N5657
300
200
的hFE ， DC电流增益
100
70
50
30
20
10
1.0
-55°C
TJ = + 150°C
+100°C
+25°C
VCE = 10 V
VCE = 2.0 V
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
IC ，集电极电流（毫安）
70
100
200
300
500
图4.电流增益
1.0
0.8
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
0
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
IC / IB = 5.0
10
20
TJ = + 25°C
500
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 10 V
300
200
C，电容（pF ）
100
70
50
30
20
10
0.1
COB
兴业银行
TJ = + 25°C
30
50
100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10 20
VR ，反向电压（伏）
50
100
图5.为“ON”电压
图6.电容
10
5.0
2.0
1.0
T， TIME （
s)
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0
2.0
td
tr
IC / IB = 10
VCC = 300 V ， VBE （关闭） = 2.0 V
（ 2N5657只）
VCC = 100 V， VBE （关闭） = 0 V
T， TIME （
s)
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
VCC = 300 V
（ 2N5657型，专用）
2.0
5.0
10
20
50
100
IC ，集电极电流（毫安）
200
500
tf
VCC = 100V
IC / IB = 10
ts
5.0
10
20
50
100
IC ，集电极电流（毫安）
200
500
0.1
1.0
图7.开启时间
图8.开启，关闭时间
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3
2N5655 2N5657
包装尺寸
TO–225AA
CASE 77-09
ISSUE W
–B–
U
Q
F
M
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.065
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
---
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.65
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
---
–A–
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留做出正确的
更改，恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何任何保证，声明或担保
特定用途，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何和所有
赔偿责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡
可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
SCILLC是疏忽就部分的设计和制造。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
ONlit@hibbertco.com
N.美国技术支持：
800-282-9855免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
4-32-1西五反田，品川区，东京，日本141-0031
电话：
81–3–5740–2700
电子邮件：
r14525@onsemi.com
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表。
http://onsemi.com
4
2N5655/D
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 126封装
高
击穿电压
应用
For
在线路供电设备使用
例如音频输出放大器;
低电流，高电压的转换器;
和AC线路继电器
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
2N5655 2N5656 2N5657
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2N5655
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N5656
2N5657
2N5655
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N5656
2N5657
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
250
300
350
275
325
375
6
0.5
1.0
0.25
20
150
-65~150
V
A
A
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
6.25
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5655
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N5656
2N5657
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
CEsat-3
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
发射基电压上
2N5655
I
首席执行官
集电极截止电流
2N5656
2N5657
2N5655
I
CBO
集电极截止电流
2N5656
2N5657
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
h
FE-4
f
T
C
OB
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
I
C
= 100毫安，我
B
=10mA
I
C
= 250毫安，我
B
=25mA
2N5655 2N5656 2N5657
条件
民
250
典型值。
最大
单位
I
C
= 0.1A ;我
B
=0;L=50mH
300
350
1.0
2.5
10
1.0
V
V
V
V
V
I
C
= 500毫安，我
B
=100mA
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
V
CE
= 150V ;我
B
=0
V
CE
= 200V ;我
B
=0
V
CE
= 250V ;我
B
=0
V
CB
= 275V ;我
E
=0
V
CB
= 325V ;我
E
=0
V
CB
= 375V ;我
E
=0
V
CE
=额定V
首席执行官
; V
BE （OFF）的
=1.5V
T
C
=100℃
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 50毫安; V
CE
=10V
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
I
C
= 250毫安; V
CE
=10V
I
C
= 500毫安; V
CE
=10V
I
C
= 50毫安; V
CE
=10V;f=10MHz
F = 100kHz的; V
CB
=10V;I
E
=0
25
30
15
5
10
0.1
mA
10
μA
0.1
1.0
10
mA
μA
250
兆赫
25
pF
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5655 2N5656 2N5657
图2外形尺寸
JMnic
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 126封装
高
击穿电压
应用
For
在线路供电设备使用
例如音频输出放大器;
低电流，高电压的转换器;
和AC线路继电器
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
2N5655 2N5656 2N5657
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
固电
IN
导½
半
参数
条件
2N5655
2N5656
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
的HAn
C
ES
G
2N5657
2N5655
2N5656
2N5657
发射极开路
ICO
EM
OR
UCT
ND
价值
275
325
375
250
300
350
单位
V
开基
V
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
集电极开路
6
0.5
1.0
0.25
V
A
A
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
20
150
-65~150
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
6.25
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5655
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N5656
2N5657
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
CEsat-3
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
2N5655
I
首席执行官
集电极截止电流
2N5656
2N5657
2N5655
2N5656
2N5657
I
C
= 100毫安，我
B
=10mA
I
C
= 250毫安，我
B
=25mA
I
C
= 500毫安，我
B
=100mA
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
V
CE
= 150V ;我
B
=0
V
CE
= 200V ;我
B
=0
V
CE
= 250V ;我
B
=0
V
CB
= 275V ;我
E
=0
V
CB
= 325V ;我
E
=0
V
CB
= 375V ;我
E
=0
2N5655 2N5656 2N5657
条件
民
250
典型值。
最大
单位
I
C
= 0.1A ;我
B
=0;L=50mH
300
350
1.0
2.5
10
1.0
V
V
V
V
V
0.1
mA
I
CBO
电半
固
IN
导½
集电极截止电流
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
h
FE-4
f
T
C
OB
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
ES
昂
CH
V
CE
=额定V
首席执行官
; V
BE （OFF）的
=1.5V
T
C
=100℃
V
EB
= 6V ;我
C
=0
ND
ICO
EM
OR
UCT
10
0.1
1.0
10
μA
mA
μA
I
C
= 50毫安; V
CE
=10V
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
I
C
= 250毫安; V
CE
=10V
I
C
= 500毫安; V
CE
=10V
I
C
= 50毫安; V
CE
=10V;f=10MHz
F = 100kHz的; V
CB
=10V;I
E
=0
25
30
15
5
10
25
兆赫
pF
250
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5655 2N5656 2N5657
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
2N5655, 2N5657
塑料NPN硅
高压电源
晶体管
这些设备用于线路供电设备而设
音频输出放大器;低电流，高电压的转换器;和
交流线路的继电器。
特点
http://onsemi.com
出色的直流电流增益 -
h
FE
= 30250 @ I
C
= 100 MADC
电流增益 - 带宽积 -
f
T
= 10兆赫（最小值） @我
C
= 50 MADC
无铅包可用*
0.5安培
功率晶体管
NPN硅
250-350伏， 20瓦
最大额定值
（注1 ）
等级
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
I
B
2N5655
250
275
2N5657
350
375
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 -
基极电流
6.0
0.5
1.0
1.0
连续
PEAK
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
20
0.16
W
W / ℃，
° C / W
T
J
, T
英镑
- 65至+ 150
TO225AA
CASE 77-09
风格1
标记图
YWW
2
N565xG
热特性
特征
符号
q
JC
最大
单位
热阻，
结到外壳
6.25
° C / W
Y
WW
2N565x
G
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表示JEDEC注册的数据。
=年
=工作周
=器件代码
X = 5或7
= Pb-Free包装
订购信息
设备
2N5655
2N5655G
2N5657
2N5657G
包
TO225
TO225
（无铅）
TO225
TO225
（无铅）
航运
500单位/散装
500单位/散装
500单位/散装
500单位/散装
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年10月 - 修订版9
出版订单号：
2N5655/D
2N5655, 2N5657
PD ，功耗（瓦）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明） （注2 ）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 100 MADC （感性） ， L = 50毫亨）
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 150伏，我
B
= 0)
(V
CE
= 250 VDC ，我
B
= 0)
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） CEO
I
首席执行官
250
350
250
350
VDC
VDC
MADC
0.1
0.1
0.1
0.1
1.0
1.0
10
10
10
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 250 VDC ，V
EB （O FF ）
= 1.5伏）
(V
CE
= 350伏，V
EB （O FF ）
= 1.5伏）
(V
CE
= 150伏，V
EB （O FF ）
= 1.5伏，T
C
= 100_C)
(V
CE
= 250 VDC ，V
EB （O FF ）
= 1.5伏，T
C
= 100_C)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 275伏，我
E
= 0)
(V
CB
= 375伏，我
E
= 0)
I
CEX
MADC
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
I
CBO
MADC
发射极截止电流（V
EB
= 6.0伏，我
C
= 0)
DC电流增益（注3）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 250 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
I
EBO
h
FE
MADC
基本特征
25
30
15
5.0
250
1.0
2.5
10
1.0
集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 10 MADC ）
(I
C
= 250 MADC ，我
B
= 25 MADC ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 100 MADC ）
V
CE （ SAT ）
VDC
基射极电压（I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）（注3 ）
V
BE
f
T
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积（我
C
= 50 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 10 MHz）的（注4 ）
输出电容（V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 100 kHz）的
10
兆赫
pF
C
ob
h
fe
25
小信号电流增益（I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
20
2.表示JEDEC注册的数据2N5655系列。
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
4. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
40
30
50毫亨
20
H
g
接力
+
X
200
TO SCOPE
6.0 V
Y
+
50 V
10
300
1.0
0
25
50
75
100
T
C
，外壳温度（ ° C）
125
150
图1.功率降额
图2.耐受电压测试电路
安全区的限制是由图3和4这两个限制是适用的，必须遵守指示。
http://onsemi.com
2
2N5655, 2N5657
1.0
10
ms
IC ，集电极电流（ AMP ）
0.5
T
J
= 150°C
0.2
0.1
d-
c
第二击穿极限
热极限@ T
C
= 25°C
焊线LIMIT
曲线适用于低于额定V
首席执行官
2N5655
2N5657
20
30 40
60
100
200 300 400
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
600
500
ms
1.0毫秒
0.05
0.02
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图3中的数据是基于对T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150_C 。在高温情况下，热限制
将减少可处理到的值小于电源
限制施加的二次击穿。
0.01
图3.有源区安全工作区
300
200
的hFE ， DC电流增益
T
J
= +150°C
+100°C
+ 25°C
V
CE
= 10 V
V
CE
= 2.0 V
100
70
50
30
20
55
°C
10
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
I
C
，集电极电流（毫安）
70
100
200
300
500
图4.电流增益
1.0
0.8
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 10 V
0.6
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2
I
C
/I
B
= 5.0
0
10
20
30
50
100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
T
J
= + 25°C
图5.为“ON”电压
http://onsemi.com
3
2N5655, 2N5657
300
200
C
ib
C，电容（pF ）
100
70
50
30
20
C
ob
T
J
= + 25°C
10
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10 20
V
R
，反向电压（伏）
50
100
图6.电容
10
5.0
2.0
1.0
T， TIME （
μ
s)
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
I
C
，集电极电流（毫安）
200
500
t
d
t
r
I
C
/I
B
= 10
V
CC
= 300 V, V
BE （OFF）的
= 2.0 V
（ 2N5657只）
V
CC
= 100 V, V
BE （OFF）的
= 0 V
图7.开启时间
10
5.0
I
C
/I
B
= 10
T， TIME （
μ
s)
2.0
1.0
0.5
V
CC
= 300 V
（ 2N5657型，专用）
2.0
5.0
10
20
50
100
I
C
，集电极电流（毫安）
200
t
f
t
s
V
CC
= 100 V
0.2
0.1
1.0
500
图8.开启，关闭时间
http://onsemi.com
4
2N5655, 2N5657
包装尺寸
TO225
CASE 77-09
ISSUE
B
U
Q
F
M
C
A
1 2 3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 077-01 THRU -08陈旧，新标准
07709.
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.065
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.65
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
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为了文学：
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有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
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5
2N5655/D
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 126封装
高
击穿电压
应用
For
在线路供电设备使用
例如音频输出放大器;
低电流，高电压的转换器;
和AC线路继电器
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
2N5655 2N5656 2N5657
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2N5655
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N5656
2N5657
2N5655
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N5656
2N5657
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
275
325
375
250
300
350
6
0.5
1.0
0.25
20
150
-65~150
V
A
A
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
6.25
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5655
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N5656
2N5657
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
CEsat-3
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
2N5655
I
首席执行官
集电极截止电流
2N5656
2N5657
2N5655
I
CBO
集电极截止电流
2N5656
2N5657
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
h
FE-4
f
T
C
OB
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
I
C
= 100毫安，我
B
=10mA
I
C
= 250毫安，我
B
=25mA
I
C
= 500毫安，我
B
=100mA
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
V
CE
= 150V ;我
B
=0
V
CE
= 200V ;我
B
=0
V
CE
= 250V ;我
B
=0
V
CB
= 275V ;我
E
=0
V
CB
= 325V ;我
E
=0
V
CB
= 375V ;我
E
=0
2N5655 2N5656 2N5657
条件
民
250
典型值。
最大
单位
I
C
= 0.1A ;我
B
=0;L=50mH
300
350
1.0
2.5
10
1.0
V
V
V
V
V
0.1
mA
10
μA
V
CE
=额定V
首席执行官
; V
BE （OFF）的
=1.5V
T
C
=100℃
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 50毫安; V
CE
=10V
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
I
C
= 250毫安; V
CE
=10V
I
C
= 500毫安; V
CE
=10V
I
C
= 50毫安; V
CE
=10V;f=10MHz
F = 100kHz的; V
CB
=10V;I
E
=0
25
30
15
5
10
0.1
1.0
10
mA
μA
250
兆赫
25
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5655 2N5656 2N5657
图2外形尺寸
3
安森美半导体
)
塑料NPN硅
高电压功率晶体管
。 。 。在线路供电的设备设计用于诸如音频
输出放大器;低电流，高电压的转换器;和AC线
继电器。
2N5655
2N5657
0.5安培
功率晶体管
NPN硅
250-350伏
20瓦
出色的直流电流增益 -
的hFE = 30-250 @ IC = 100 MADC
电流增益 - 带宽积 -
FT = 10兆赫（最小值） @ IC = 50 MADC
最大额定值（ 1 ）
等级
PD ，功耗（瓦）
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
2N5655
250
275
2N5657
350
375
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
6.0
0.5
1.0
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
0.25
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
PD
20
0.16
瓦
W / ℃，
_C
TJ ， TSTG
-65到+150
3 2
1
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-09
TO- 225AA型
热特性
特征
符号
θ
JC
最大
单位
热阻，结到外壳
6.25
° C / W
（ 1 ）表示JEDEC注册的数据。
40
30
50毫亨
20
HG继电器
+
X
200
TO SCOPE
6.0 V
Y
300
50 V
+
-
10
0
1.0
25
50
75
100
TC ，外壳温度（ ° C）
125
150
图1.功率降额
图2.耐受电压测试电路
安全区的限制是由图3和4这两个限制是适用的，必须遵守指示。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年4月 - 启示录7
出版订单号：
2N5655/D
2N5655 2N5657
IC ，集电极电流（ AMP ）
*电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
250
350
250
350
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
–
–
–
–
单位
VDC
VDC
集电极 - 发射极耐受电压
（ IC = 100 MADC （感性） ， L = 50毫亨）
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 150伏， IB = 0 ）
（ VCE = 250 VDC ， IB = 0 ）
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
VCEO （ SUS）
V（ BR ） CEO
ICEO
MADC
0.1
0.1
0.1
0.1
1.0
1.0
10
10
10
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 250 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 350伏， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 150伏， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 100_C ）
（ VCE = 250 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 100_C ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 275伏， IE = 0 ）
（ VCB = 375伏， IE = 0 ）
ICEX
MADC
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
2N5655
2N5657
ICBO
μAdc
发射极截止电流（ VEB = 6.0伏， IC = 0 ）
直流电流增益（ 1 ）
（ IC = 50 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 250 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 V直流）
IEBO
的hFE
μAdc
–
基本特征
25
30
15
5.0
–
–
–
–
–
250
–
–
1.0
2.5
10
1.0
–
–
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 100 MADC ， IB = 10 MADC ）
（ IC = 250 MADC ， IB = 25 MADC ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 100 MADC ）
VCE （ SAT ）
VDC
基射极电压（ 1 ） （IC = 100 MADC ， VCE = 10 V直流）
VBE
fT
COB
的hFE
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积（ 2 ） （IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 10兆赫）
输出电容（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 100千赫）
10
–
20
兆赫
pF
–
25
小信号电流增益（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
*表示JEDEC注册的数据为2N5655系列。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
（2）的fT被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一。
1.0
0.5
TJ = 150℃
1.0毫秒
d
c
第二击穿极限
热极限@ TC = 25°C
焊线LIMIT
曲线适用于低于额定VCEO
2N5655
2N5657
20
30 40
60
100
200 300 400
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
600
10
s
500
s
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明I C - V CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图3中的数据是基于T J动力学（pk ） = 150_C ; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
v
150_C 。在高温情况下，热限制
将减少可处理到的值小于电源
限制施加的二次击穿。
图3.有源区安全工作区
http://onsemi.com
2
2N5655 2N5657
300
200
的hFE ， DC电流增益
100
70
50
30
20
10
1.0
-55°C
TJ = + 150°C
+100°C
+25°C
VCE = 10 V
VCE = 2.0 V
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
IC ，集电极电流（毫安）
70
100
200
300
500
图4.电流增益
1.0
0.8
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
0
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
IC / IB = 5.0
10
20
TJ = + 25°C
500
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 10 V
300
200
C，电容（pF ）
100
70
50
30
20
10
0.1
COB
兴业银行
TJ = + 25°C
30
50
100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10 20
VR ，反向电压（伏）
50
100
图5.为“ON”电压
图6.电容
10
5.0
2.0
1.0
T， TIME （
s)
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0
2.0
td
tr
IC / IB = 10
VCC = 300 V ， VBE （关闭） = 2.0 V
（ 2N5657只）
VCC = 100 V， VBE （关闭） = 0 V
T， TIME （
s)
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
VCC = 300 V
（ 2N5657型，专用）
2.0
5.0
10
20
50
100
IC ，集电极电流（毫安）
200
500
tf
VCC = 100V
IC / IB = 10
ts
5.0
10
20
50
100
IC ，集电极电流（毫安）
200
500
0.1
1.0
图7.开启时间
图8.开启，关闭时间
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3
2N5655 2N5657
包装尺寸
TO–225AA
CASE 77-09
ISSUE W
–B–
U
Q
F
M
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.065
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
---
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.65
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
---
–A–
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留做出正确的
更改，恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何任何保证，声明或担保
特定用途，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何和所有
赔偿责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡
可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
SCILLC是疏忽就部分的设计和制造。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行：
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4
2N5655/D
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 126封装
·高击穿电压
应用
·对于线供电设备的使用
例如音频输出放大器;
低电流，高电压的转换器;
和AC线路继电器
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
2N5655 2N5656 2N5657
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
参数
2N5655
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N5656
2N5657
2N5655
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N5656
2N5657
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
275
325
375
250
300
350
6
0.5
1.0
0.25
20
150
-65~150
V
A
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
6.25
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N5655
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N5656
2N5657
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
CEsat-3
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
2N5655
I
首席执行官
集电极截止电流
2N5656
2N5657
2N5655
I
CBO
集电极截止电流
2N5656
2N5657
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
h
FE-4
f
T
C
OB
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
I
C
= 100毫安，我
B
=10mA
I
C
= 250毫安，我
B
=25mA
符号
2N5655 2N5656 2N5657
条件
民
250
典型值。
最大
单位
I
C
= 0.1A ;我
B
=0;L=50mH
300
350
1.0
2.5
10
1.0
V
V
V
V
V
I
C
= 500毫安，我
B
=100mA
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
V
CE
= 150V ;我
B
=0
V
CE
= 200V ;我
B
=0
V
CE
= 250V ;我
B
=0
V
CB
= 275V ;我
E
=0
V
CB
= 325V ;我
E
=0
V
CB
= 375V ;我
E
=0
V
CE
=额定V
首席执行官
; V
BE （OFF）的
=1.5V
T
C
=100
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 50毫安; V
CE
=10V
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
I
C
= 250毫安; V
CE
=10V
I
C
= 500毫安; V
CE
=10V
I
C
= 50毫安; V
CE
=10V;f=10MHz
F = 100kHz的; V
CB
=10V;I
E
=0
25
30
15
5
10
0.1
mA
10
A
0.1
1.0
10
mA
A
250
兆赫
25
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5655 2N5656 2N5657
图2外形尺寸
3
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推荐型号
27C64-20L
212U1002N220FN
2N2221ADCSM
2087
275T824R501A1A1
2SK2159
2SK802
2041
259649
2SD1020J
28F001BN-T
2N7327R
231600P
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2SC4672
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    2N5655
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