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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2556 2SC2556A
描述
·带
TO- 126封装
高
V
CBO
ULOW
集电极饱和电压
高
跃迁频率
应用
·音频
频率输出放大器
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
V
CBO
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
2SC2556
集电极 - 基极电压
2SC2556A
2SC2556
集电极 - 发射极电压
2SC2556A
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
OR
CT
U
价值
130
V
180
40
V
50
5
1
1.5
1.2
150
-55½+150
V
A
A
W
℃
℃
单位
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2SC2556 2SC2556A
民
典型值。
最大
单位
2SC2556
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SC2556A
I
C
= 2毫安，我
B
=0
40
V
50
2SC2556
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基
击穿电压
2SC2556A
I
C
= 10μA ;我
E
=0
130
V
180
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10μA ;我
C
=0
5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
0.5
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 120V ;我
E
=0
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
f
T
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
=0.5V
150
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
=2V
150
输出电容
I
E
=0; V
CB
=20V;f=1MHz
跃迁频率
I
C
= 50毫安; V
CE
=10V
OR
CT
U
350
30
200
0.1
pF
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2556 2SC2556A
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
图2外形尺寸
OR
CT
U
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2556 2SC2556A
描述
·采用TO- 126封装
●高V
CBO
·低集电极饱和电压
·高转换频率
应用
·音频频率输出放大器
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
参数
2SC2556
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC2556A
2SC2556
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SC2556A
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
50
5
1
1.5
1.2
150
-55 +150
V
A
A
W
180
40
V
条件
价值
130
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2SC2556
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SC2556A
2SC2556
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基
击穿电压
2SC2556A
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
f
T
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
I
E
= 10μA ;我
C
=0
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
V
CB
= 120V ;我
E
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=0.5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=2V
I
E
=0; V
CB
=20V;f=1MHz
I
C
= 50毫安; V
CE
=10V
I
C
= 10μA ;我
E
=0
I
C
= 2毫安，我
B
=0
条件
2SC2556 2SC2556A
符号
民
40
典型值。
最大
单位
V
50
130
V
180
5
0.5
0.1
150
150
30
200
pF
兆赫
350
V
V
A
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2556 2SC2556A
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2556 2SC2556A
描述
·带
TO- 126封装
高
V
CBO
ULOW
集电极饱和电压
高
跃迁频率
应用
·音频
频率输出放大器
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2SC2556
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC2556A
2SC2556
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SC2556A
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
50
5
1
1.5
1.2
150
-55½+150
V
A
A
W
℃
℃
180
40
V
条件
价值
130
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2SC2556 2SC2556A
民
典型值。
最大
单位
2SC2556
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SC2556A
I
C
= 2毫安，我
B
=0
40
V
50
2SC2556
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基
击穿电压
2SC2556A
I
C
= 10μA ;我
E
=0
130
V
180
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10μA ;我
C
=0
5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
0.5
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 120V ;我
E
=0
0.1
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
=0.5V
150
350
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
=2V
150
C
OB
输出电容
I
E
=0; V
CB
=20V;f=1MHz
30
pF
f
T
跃迁频率
I
C
= 50毫安; V
CE
=10V
200
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2556 2SC2556A
图2外形尺寸
3
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推荐型号
2SC4185U23
2N1212
212X01N220FN1
25AA320A
2N2276
2SA2018H
24-6551-11
2-1103639-3
253B104A50NA
2SB885
2KBP01
2N3705
262.8
259639
262.400
2PC1815BLAMO
2SK3351_1
2SA1585SP
22810
2.31216E+11
供货商
型号
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    2SC2556
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    -
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联系人：江先生
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2SC2556
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2015+
1000
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