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2SA2018H
晶体管
低频晶体管
2SA2018H
500毫安类的哪去了只能进2125尺寸的晶体管通常是达到1608年的大小。
!
应用
对于开关,静音。
!
外形尺寸
(单位:毫米)
1.6
0.85
(2)
!
特点
1)集电极电流较大。
2 )集电极饱和电压低。
V
CE ( SAT )
250mV
在我
C
= 200毫安/ I
B
= 10毫安
3 )扁平引脚
0.5 0.5
0.27
(3)
(1)
0.12
0.7
1.0
ROHM : EMT3扁平引脚
EIAJ :SC- 89
缩写符号: BW
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
单脉冲,P
W
=1ms
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
15
12
500
1
150
150
55~+150
单位
V
V
mA
A
mW
°C
°C
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流
传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
COB
分钟。
15
12
6
270
典型值。
100
260
6.5
马克斯。
100
680
250
单位
V
V
V
nA
mV
兆赫
pF
I
C
=10A
I
C
=1mA
I
E
=10A
V
CB
=15V
V
CE
= 2V / I
C
=10mA
I
C
= 200毫安/ I
B
=10mA
V
CE
= 2V ,我
E
= 10毫安,女
T
=100MHz
V
CB
= 10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
条件
!
包装规格和h
FE
包名称
CODE
TYPE
2SA2018H
h
FE
基本订购单位
(件)
TAPING
T2L
8000
1.6
( 1 )基本
(2)发射
( 3 )集电极
2SA2018H
晶体管
!
电气特性曲线
集电极饱和电压: V
CE (SAT)
(V)
1000
1000
1000
V
CE
=2V
集电极电流:我
C
(MA )
500
Ta=125C
500
V
CE
=2V
I
C
/I
B
=20
500
Ta=25C
直流电流增益:H
FE
200
200
TA = -40℃
200
100
100
100
Ta=125C
50
50
50
Ta=25C
20
5C
20
20
TA = -40℃
Ta=25C
Ta=12
TA = -40℃
10
10
10
5
5
5
2
2
2
1
1
0
0.5
1.0
1.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
1
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
图1发射极接地传播
特征
图2直流电流增益与
集电极电流
图3集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流(I)
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(毫伏)
BASER饱和电压: V
BE (SAT)
(毫伏)
1000
10000
1000
5000
跃迁频率:F
T
(兆赫)
Ta=25C
500
I
C
/I
B
=20
500
V
CE
=2V
Ta=25C
200
2000
200
Ta=25C
1000
TA = -40℃
100
100
50
500
50
I
C
/ I
B
=50
I
C
/ I
B
=20
I
C
/ I
B
=10
Ta=125C
200
20
20
10
100
10
5
50
5
2
20
2
1
10
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
1
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
发射极电流:我
C
(MA )
图4集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图5基极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图6增益带宽积主场迎战
发射极电流
发射极输入电容: CIB (PF )
1000
500
I
E
=0A
f=1MHz
Ta=25C
200
100
50
兴业银行
20
10
COB
5
2
1
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
发射极 - 基极电压: V
EB
(V)
图7集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
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