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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB885
描述
·带
TO- 220封装
·达林顿
高
DC durrent增益
ULOW
集电极饱和电压
.Complement
键入2SD1195
应用
For
电机驱动器，打印机锤
驱动器，继电器驱动器，稳压器
控制应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流DC
集电极电流脉冲
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
1.75
150
-55~150
℃
℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-110
-100
-6
-5
-8
35
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB885
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -50mA ，R
BE
=∞
-100
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -5mA ，我
E
=0
-110
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -2.5A ，我
B
=-5mA
-1.5
V
V
BE坐
基射极饱和电压
I
C
= -2.5A ，我
B
=-5mA
-2.0
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -80V ，我
E
=0
-0.1
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-3.0
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= -2.5A ; V
CE
=-3V
1500
f
T
跃迁频率
V
CE
= -5V ，我
C
=-2.5A
20
兆赫
开关时间
μs
t
on
开启时间
I
C
= -2A ; V
CC
=-50V
I
B1
=-I
B2
=-4mA;R
L
=25Ω
0.7
t
英镑
贮存时间
1.3
μs
t
f
打开-O FF时间
1.5
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB885
图2外形尺寸
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB885
描述
·带
TO- 220封装
·达林顿
高
DC durrent增益
ULOW
集电极饱和电压
.Complement
键入2SD1195
应用
For
电机驱动器，打印机锤
驱动器，继电器驱动器，稳压器
控制应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流DC
集电极电流脉冲
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
1.75
150
-55~150
℃
℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-110
-100
-6
-5
-8
35
W
单位
V
V
V
A
A
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB885
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -50mA ，R
BE
=∞
-100
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -5mA ，我
E
=0
-110
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -2.5A ，我
B
=-5mA
-1.5
V
V
BE坐
基射极饱和电压
I
C
= -2.5A ，我
B
=-5mA
-2.0
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -80V ，我
E
=0
-0.1
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-3.0
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= -2.5A ; V
CE
=-3V
1500
f
T
跃迁频率
V
CE
= -5V ，我
C
=-2.5A
20
兆赫
开关时间
μs
t
on
开启时间
I
C
= -2A ; V
CC
=-50V
I
B1
=-I
B2
=-4mA;R
L
=25Ω
0.7
t
英镑
贮存时间
1.3
μs
t
f
打开-O FF时间
1.5
μs
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB885
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB885
描述
·采用TO- 220封装
·达林顿
·高直流增益durrent
·低集电极饱和电压
·补键入2SD1195
应用
·对于电机驱动器，打印机锤
驱动器，继电器驱动器，稳压器
控制应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流DC
集电极电流脉冲
T
C
=25
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
1.75
150
-55~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-110
-100
-6
-5
-8
35
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -50mA ，R
BE
=?
I
C
= -5mA ，我
E
=0
I
C
= -2.5A ，我
B
=-5mA
I
C
= -2.5A ，我
B
=-5mA
V
CB
= -80V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -2.5A ; V
CE
=-3V
V
CE
= -5V ，我
C
=-2.5A
1500
20
民
-100
-110
典型值。
2SB885
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
CESAT
V
BE坐
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
最大
单位
V
V
-1.5
-2.0
-0.1
-3.0
V
V
mA
mA
兆赫
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
打开-O FF时间
I
C
= -2A ; V
CC
=-50V
I
B1
=-I
B2
=-4mA;R
L
=25E
0.7
1.3
1.5
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB885
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB885
描述
·带
TO- 220封装
·达林顿
高
DC durrent增益
ULOW
集电极饱和电压
.Complement
键入2SD1195
应用
For
电机驱动器，打印机锤
驱动器，继电器驱动器，稳压器
控制应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
描述
固电
辐射源
导½
半
参数
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
IN
集电极 - 基极电压
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
-110
-100
-6
-5
-8
单位
V
V
V
A
A
发射极开路
集电极 - 发射极电压
开基
集电极开路
发射极 - 基极电压
集电极电流DC
集电极电流脉冲
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
35
W
1.75
150
-55~150
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB885
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -50mA ，R
BE
=∞
-100
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -5mA ，我
E
=0
-110
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -2.5A ，我
B
=-5mA
-1.5
V
V
BE坐
基射极饱和电压
I
C
= -2.5A ，我
B
=-5mA
-2.0
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -80V ，我
E
=0
-0.1
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-3.0
mA
h
FE
直流电流增益
f
T
开关时间
固电
IN
跃迁频率
导½
半
I
C
= -2.5A ; V
CE
=-3V
1500
V
CE
= -5V ，我
C
=-2.5A
t
on
开启时间
t
英镑
贮存时间
ES
昂
CH
ICO
EM
OR
UCT
ND
20
0.7
1.3
兆赫
μs
I
C
= -2A ; V
CC
=-50V
I
B1
=-I
B2
=-4mA;R
L
=25Ω
μs
t
f
打开-O FF时间
1.5
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB885
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
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2KBP01
2N3705
262.8
259639
262.400
2PC1815BLAMO
2SK3351_1
2SA1585SP
22810
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型号
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    2SB885
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TO220
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2410+
12590
TO220
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