订购数量： ENN7764
2SK3351
2SK3351
特点
N沟道MOSFET硅
DC / DC转换器应用
低导通电阻。
4V的驱动器。
超高速开关。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25°C
条件
评级
30
±20
30
60
1
30
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS （ ON） 1
RDS （ ON） 2
西塞
科斯
CRSS
条件
ID = 1mA时， VGS = 0
VDS = 30V ， VGS = 0
VGS = ± 16V ， VDS = 0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 15A
ID = 15A ， VGS = 10V
ID = 4A ， VGS = 4.5V
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
评级
民
30
1
±10
1.0
14
20
11
15
1450
420
210
15
21
2.4
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
22004 TS IM TA- 2617 No.7764-1 / 4
2SK3351
从接下页。
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
VDS = 10V ，V GS = 10V ，ID = 30A
VDS = 10V ，V GS = 10V ，ID = 30A
VDS = 10V ，V GS = 10V ，ID = 30A
IS = 30A ， VGS = 0
评级
民
典型值
14
355
110
120
28
4.6
5
0.92
1.2
最大
单位
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
标记： K3351
包装尺寸
单位：mm
2083B
6.5
5.0
4
包装尺寸
单位：mm
2092B
2.3
1.5
0.5
6.5
5.0
4
2.3
1.5
0.5
5.5
7.0
0.8
1.6
1.2
0.85
0.5
7.5
0.6
0.5
1
2
3
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
4 ：漏
三洋： TP
1
0.6
0.8
2
3
2.5
1.2
0.85
0.7
5.5
7.0
1.2
0 0.2
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
4 ：漏
三洋： TP -FA
2.3
2.3
2.3
2.3
开关时间测试电路
VDD=15V
10V
0V
VIN
VIN
ID=15A
RL=1
PW=10s
D.C.≤1%
D
G
VOUT
P.G
50
S
2SK3351
No.7764-2/4
2SK3351
10.0V 8.0V 6.0V 4.5V
12
ID - VDS
3.5V
3.0V
16
14
ID - VGS
VDS=10V
10
漏极电流ID -
漏极电流ID -
Ta=75
°
C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
8
VGS=2.5V
10
8
6
4
2
6
4
2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
2.5
3.0
3.5
4.0
漏极至源极电压VDS - V
50
IT02766
30
RDS （ ON） - VGS
栅极 - 源极电压VGS - V
25
°
C
--25
°
C
12
IT02767
RDS （ ON） - TA
Ta=25°C
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
ID=15A
4A
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
45
25
20
15
V
=4.5
VGS
4A,
I D =
=10V
，V GS
5A
I D = 1
10
5
0
--75
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
175
栅极 - 源极电压VGS - V
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
0.001 2 3 5 70.01 2 3 5 7 0.1
2 3 5 7 1.0
y
fs - ID
IT07199
100
7
5
3
2
环境温度，钽 -
°C
IT07200
IF - 室间隔缺损
VGS=0
正向转移导纳，
y
fs - S
VDS=10V
25
°
C
正向电流IF - 一个
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
TA
7
2 3 5 7 10
2 3
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
0.001
0.2
25
°
C
0.3
0.4
0.5
0.6
--25
°
0.7
0.8
C
C
5
°
--2
°
C
=
75
Ta
5
°
C
0.9
1.0
1.1
1.2
漏极电流ID -
1000
7
5
IT02770
10000
7
5
3
SW时间 - ID
二极管的正向电压， VSD - V
IT02771
西塞，科斯，的Crss - VDS
VDS=15V
VGS=10V
f=1MHz
切换时间， SW时间 - NS
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7
10
2
3
TD （关闭）
西塞，科斯，的Crss - pF的
2
西塞
1000
7
5
3
2
100
7
5
0
5
10
15
20
25
30
IT02773
tf
科斯
tr
TD （上）
CRSS
漏极电流ID -
IT02772
漏极至源极电压VDS - V
No.7764-3/4
2SK3351
10
9
VGS - 的Qg
VDS=10V
ID=30A
漏极电流ID -
栅极 - 源极电压VGS - V
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
ASO
<10s
IDP=60A
ID=30A
DC
1m
op
ERA
t
离子
s
10
0
s
(T
10
ms
c=
25
°
C
)
操作在此
区域由的RDS（on ）的限制。
0.01
0.01
Tc=25°C
单脉冲
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
5
总栅极电荷QG - 数控
1.2
IT07201
35
PD - TA
允许功耗， PD - 含
漏极至源极电压VDS - V
IT07202
PD - 锝
允许功耗， PD - 含
1.0
30
25
0.8
20
0.6
15
0.4
10
0.2
5
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Amibient Tamperature ，钽 -
°C
IT07203
案例Tamperature ，TC -
°C
IT07204
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特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
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客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
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或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
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电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
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