SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2238 2SC2238A 2SC2238B
描述
·采用TO- 220封装
·补键入2SA968
·高击穿votage
应用
·功率放大器应用
·
驱动级放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
参数
2SC2238
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC2238A
2SC2238B
2SC2238
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SC2238A
2SC2238B
V
EBO
I
C
I
E
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
160
180
200
160
180
200
5
1.5
-1.5
25
150
-55~150
V
A
A
W
V
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2SC2238
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SC2238A
2SC2238B
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
ob
f
T
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
2SC2238 2SC2238A 2SC2238B
符号
条件
民
160
典型值。
最大
单位
I
C
= 10毫安;我
B
=0
180
200
V
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 500A ;我
B
=50mA
I
C
= 500毫安; V
CE
=5V
V
CB
= 160V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 100毫安; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V,f=1MHz
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
5
1.5
1.0
1.0
1.0
70
25
100
240
V
V
V
A
A
pF
兆赫
h
FE
分类
O
70-140
Y
120-240
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2238 2SC2238A 2SC2238B
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2238 2SC2238A 2SC2238B
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
键入2SA968
高
击穿votage
应用
“权力
扩增fi er应用
驱动级放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
参数
固电
IN
导½
半
V
CBO
集电极 - 基极电压
ES
昂
CH
2SC2238A
2SC2238B
2SC2238
2SC2238A
2SC2238B
2SC2238
ND
ICO
EM
条件
发射极开路
开基
OR
UCT
价值
160
180
200
160
180
200
单位
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
V
EBO
I
C
I
E
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
总功耗
结温
储存温度
集电极开路
5
1.5
-1.5
V
A
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
25
150
-55~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2SC2238
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SC2238A
2SC2238B
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
ob
f
T
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
2SC2238 2SC2238A 2SC2238B
条件
民
160
典型值。
最大
单位
I
C
= 10毫安;我
B
=0
180
200
V
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 500A ;我
B
=50mA
I
C
= 500毫安; V
CE
=5V
V
CB
= 160V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 100毫安; V
CE
=5V
5
1.5
1.0
1.0
1.0
V
V
V
μA
μA
固电
IN
直流电流增益
导½
半
输出电容
跃迁频率
h
FE
分类
O
70-140
Y
ES
昂
CH
I
E
=0 ; V
CB
=10V,f=1MHz
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
ND
ICO
EM
70
OR
UCT
240
25
100
pF
兆赫
120-240
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2238 2SC2238A 2SC2238B
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2238 2SC2238A 2SC2238B
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
键入2SA968
高
击穿votage
应用
“权力
扩增fi er应用
驱动级放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
参数
2SC2238
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC2238A
2SC2238B
2SC2238
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SC2238A
2SC2238B
V
EBO
I
C
I
E
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
160
180
200
160
180
200
5
1.5
-1.5
25
150
-55~150
V
A
A
W
℃
℃
V
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2SC2238
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SC2238A
2SC2238B
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
ob
f
T
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
2SC2238 2SC2238A 2SC2238B
条件
民
160
典型值。
最大
单位
I
C
= 10毫安;我
B
=0
180
200
V
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 500A ;我
B
=50mA
I
C
= 500毫安; V
CE
=5V
V
CB
= 160V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 100毫安; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V,f=1MHz
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
5
1.5
1.0
1.0
1.0
70
25
100
240
V
V
V
μA
μA
pF
兆赫
h
FE
分类
O
70-140
Y
120-240
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2238 2SC2238A 2SC2238B
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2238 2SC2238A 2SC2238B
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
键入2SA968
高
击穿votage
应用
“权力
扩增fi er应用
驱动级放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
参数
固电
导½
半
V
CBO
的HAn
INC。
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
总功耗
结温
储存温度
SEM
GE
2SC2238
2SC2238A
2SC2238B
2SC2238
2SC2238A
2SC2238B
发射极开路
ND
ICO
条件
OR
UCT
价值
160
180
200
160
单位
V
V
首席执行官
开基
180
200
V
V
EBO
I
C
I
E
P
T
T
j
T
英镑
集电极开路
5
1.5
-1.5
V
A
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
25
150
-55~150
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2SC2238
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SC2238A
2SC2238B
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
ob
f
T
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
2SC2238 2SC2238A 2SC2238B
条件
民
160
典型值。
最大
单位
I
C
= 10毫安;我
B
=0
180
200
V
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 500A ;我
B
=50mA
I
C
= 500毫安; V
CE
=5V
V
CB
= 160V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 100毫安; V
CE
=5V
5
1.5
1.0
1.0
1.0
V
V
V
μA
μA
固电
直流电流增益
导½
半
输出电容
跃迁频率
h
FE
分类
O
70-140
Y
的HAn
INC。
120-240
SEM
GE
I
E
=0 ; V
CB
=10V,f=1MHz
ND
ICO
70
OR
UCT
240
25
100
pF
兆赫
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2238 2SC2238A 2SC2238B
固电
导½
半
SEM
GE
的HAn
INC。
ND
ICO
OR
UCT
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3