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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第199页 > 2N6122
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 220封装
·补到PNP型:
2N6124 ;2N6125 ;2N6126
应用
·对于功率放大器使用,
开关电路的应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2N6121 2N6122 2N6123
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
参数
2N6121
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6122
2N6123
2N6121
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6122
2N6123
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
45
60
80
45
60
80
5
4
8
1
40
150
-65~150
V
A
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
3.125
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N6121
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N6122
2N6123
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
2N6121
I
CEX
集电极截止电流
2N6122
2N6123
2N6121
I
首席执行官
集电极截止电流
2N6122
2N6123
I
EBO
发射极截止电流
2N6121
I
C
=1.5A;I
B
=0.15A
I
C
=4.0A;I
B
=1.0A
I
C
= 1.5A ; V
CE
=2V
V
CE
=45V;V
BE
=1.5V
T
C
=125
V
CE
=60V;V
BE
=1.5V
T
C
=125
V
CE
=80V;V
BE
=1.5V
T
C
=125
V
CE
=45V;I
B
=0
V
CE
=60V;I
B
=0
V
CE
=80V;I
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
符号
2N6121 2N6122 2N6123
条件
45
60
80
典型值。
最大
单位
V
0.6
1.4
1.2
0.1
2.0
0.1
2.0
0.1
2.0
V
V
V
mA
1.0
mA
1.0
mA
25
h
FE-1
直流电流增益
2N6122
2N6123
2N6121
10
h
FE-2
直流电流增益
2N6122
2N6123
f
T
跃迁频率
I
C
= 1A ; V
CE
=4V
I
C
= 4A ; V
CE
=2V
7
2.5
I
C
= 1.5A ; V
CE
=2V
20
100
80
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6121 2N6122 2N6123
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
以PNP型:
2N6124 ;2N6125 ;2N6126
应用
For
功率放大器使用,并且
开关电路的应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2N6121 2N6122 2N6123
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
固电
IN
导½
参数
2N6121
2N6122
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
SEM
NG
HA
C
2N6123
2N6121
2N6122
2N6123
发射极开路
ND
ICO
条件
UC
价值
45
60
80
45
60
80
5
4
8
1
单位
V
开基
V
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
集电极开路
V
A
A
A
W
T
C
=25℃
40
150
-65~150
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
3.125
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6121
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N6122
2N6123
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
2N6121
I
CEX
集电极截止电流
2N6122
2N6123
I
C
=1.5A;I
B
=0.15A
I
C
=4.0A;I
B
=1.0A
I
C
= 1.5A ; V
CE
=2V
V
CE
=45V;V
BE
=1.5V
T
C
=125℃
V
CE
=60V;V
BE
=1.5V
T
C
=125℃
V
CE
=80V;V
BE
=1.5V
T
C
=125℃
V
CE
=45V;I
B
=0
V
CE
=60V;I
B
=0
V
CE
=80V;I
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
2N6121 2N6122 2N6123
条件
45
60
80
典型值。
最大
单位
V
0.6
1.4
1.2
0.1
2.0
0.1
2.0
0.1
2.0
V
V
V
mA
I
首席执行官
固电
IN
集电极截止电流
导½
2N6121
2N6122
2N6123
I
EBO
发射极截止电流
h
FE-1
直流电流增益
SEM
NG
HA
C
2N6121
2N6122
2N6123
2N6121
2N6122
2N6123
ND
ICO
UC
1.0
1.0
25
100
20
80
mA
mA
I
C
= 1.5A ; V
CE
=2V
10
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 4A ; V
CE
=2V
7
I
C
= 1A ; V
CE
=4V
2.5
兆赫
f
T
跃迁频率
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6121 2N6122 2N6123
固电
IN
导½
SEM
NG
HA
C
ND
ICO
UC
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
标准
可选
功率晶体管
TO- 220 CASE
TO-220
型号
IC
(A)
最大
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
2N6040
2N6041
2N6042
10
10
10
10
10
16
2N6124
2N6125
2N6126
2N6132
2N6133
2N6134
2N6111
2N6109
2N6107
2N6666
2N6667
2N6668
2N6475
2N6476
2N6489
2N6490
2N6491
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
8.0
10
10
4.0
4.0
15
15
15
PD
(W)
36
36
36
50
50
50
50
75
75
75
75
75
75
40
40
40
50
50
50
40
40
40
65
65
65
40
40
75
75
75
BVCBO BVCEO
(V)
80
60
80
60
75
60
90
60
80
100
70
80
45
45
60
80
40
60
80
40
60
80
40
60
80
110
130
50
70
90
(V)
70
40
60
40
55
40
70
60
80
100
60
70
40
45
60
80
40
60
80
30
50
70
40
60
80
100
120
40
60
80
30
30
20
20
20
20
20
1,000
1,000
1,000
20
20
15
25
25
20
20
20
20
30
30
30
1,000
1,000
1,000
15
15
20
20
20
的hFE
最大
120
120
80
100
100
100
100
20,000
20,000
20,000
80
80
80
100
100
80
100
100
100
150
150
150
20,000
20,000
20,000
150
150
150
150
150
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.0
3.0
4.0
5.0
8.0
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
2.5
2.0
2.5
3.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
TO- 220FP全白
fT
(兆赫)
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
4.0
4.0
4.0
20
20
20
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
@ IC VCE ( SAT ) @ IC
(A)
(V)
最大
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
0.6
0.6
0.6
1.4
1.4
1.8
3.5
3.5
3.5
2.0
2.0
2.0
1.2
1.2
1.3
1.3
1.3
(A)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
35
4.0
4.0
3.0
10
10
16
1.5
1.5
1.5
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
NPN
2N5294
2N5296
2N5298
2N5490
2N5492
2N5494
2N5496
2N6043
2N6044
2N6045
2N6099
2N6101
2N6103
2N6121
2N6122
2N6123
2N6129
2N6130
2N6131
2N6288
2N6290
2N6292
2N6386
2N6387
2N6388
2N6473
2N6474
2N6486
2N6487
2N6488
PNP
92
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
可在TO- 220FP全乐要求。
TO- 220塑料包装
博卡半导体公司
BSC
2N6121, 6122, 6123
2N6124, 6125, 6126
2N6121, 2N6122, 2N6123
2N6124, 2N6125, 2N6126
塑料NPN功率晶体管
PNP塑料功率晶体管
中功率线性和开关应用
引脚配置
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.收集
4
1
2
3
B
H
F
C
E
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
分钟。
14.42
9.63
3.56
马克斯。
N
L
O
1 2
3
D
G
J
M
16.51
10.67
4.83
0.90
1.15
1.40
3.75
3.88
2.29
2.79
2.54
3.43
0.56
12.70 14.73
2.80
4.07
2.03
2.92
31.24
DEG 7
A
O
绝对最大额定值
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(开基)
集电极电流
总功率耗散高达至T
C
= 25°C
结温
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1.5 A;我
B
= 0.15 A
直流电流增益
I
C
= 1.5 A; V
CE
= 2 V
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
合计
T
j
V
CESAT
h
FE
6121 6122 6123
6124 6125 6126
马克斯。 45
60
80
马克斯。 45
60
80
马克斯。
4.0
马克斯。
40
马克斯。
150
马克斯。
分钟。 25
马克斯。 100
0.6
25
100
20
80
V
V
A
W
°C
V
评级
(在T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
极限值
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(开基)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
所有迪民所起到的毫米。
K
6121 6122 6123
6124 6125 6126
马克斯。 45
60
80
马克斯。 45
60
80
马克斯。
5.0
V
V
V
http://www.bocasemi.com
页: 1
2N6121, 2N6122, 2N6123
2N6124, 2N6125, 2N6126
集电极电流
I
C
集电极电流(峰值)
I
CM
基极电流
I
B
总功率耗散高达至T
C
= 25°C P
合计
减免上述25℃
结温
T
j
储存温度
T
英镑
热阻
从结点到外壳
特征
T
AMB
= 25 ° C除非另有说明
收藏家Cuto FF电流
I
B
= 0; V
CE
= 45 V
I
B
= 0; V
CE
= 60 V
I
B
= 0; V
CE
= 80 V
V
EB (O FF )
= 1.5 V; V
CE
= 45
V
EB (O FF )
= 1.5 V; V
CE
= 60
V
EB (O FF )
= 1.5 V; V
CE
= 85
V
EB (O FF )
= 1.5 V; V
CE
= 45
V
EB (O FF )
= 1.5 V; V
CE
= 60
V
EB (O FF )
= 1.5 V; V
CE
= 80
mA
I
E
= 0; V
CB
= 45 V
I
E
= 0; V
CB
= 60 V
I
E
= 0; V
CB
= 80 V
发射极截止电流
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
击穿电压
I
C
= 100毫安;我
B
= 0
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
饱和电压
I
C
= 1.5 A;我
B
= 0.15 A
I
C
= 4 A;我
B
= 1.0 A
基射极电压上
I
C
= 1.5 A; V
CE
= 2 V
直流电流增益
I
C
= 1.5 A; V
CE
= 2 V
R
第j个-C
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
4.0
7.0
1.0
40
320
150
-65到+150
3.12
A
A
A
W
mW
/°C
°C
C
° C / W
6121 6122 6123
6124 6125 6126
马克斯。 1.0
最大。 -
1.0
最大。 -
最大。 0.1
最大。 -
0.1
最大。 -
I
CEX
马克斯。 2.0
I
CEX
最大。 -
I
CEX
最大。 -
最大。 0.1
最大。 -
最大。 -
马克斯。
分钟。 45
分钟。 45
分钟。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
分钟。 25
马克斯。 100
MIN 。 10
分钟。
分钟。
0.1
1.0
60
60
5.0
0.6
1.4
1.2
25
100
10
25
2.5
兆赫
20
80
7.0
80
80
1.0
0.1
2.0
mA
mA
mA
mA
mA
mA
- 毫安
- 毫安
2.0
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
V
I
CEX
V
I
CEX
V
I
CEX
V ;牛逼
C
= 125°C
V ;牛逼
C
= 125°C
V ;牛逼
C
= 125°C
I
CBO
I
CBO
I
CBO
I
EBO
V
CEO ( SUS )
*
V
CBO
V
EBO
V
CESAT
*
V
CESAT
*
V
BE(上)
*
h
FE
*
h
FE
*
h
fe
f
T
- 毫安
- 毫安
0.1毫安
mA
V
V
V
V
V
V
I
C
= 4 A; V
CE
= 2 V
小信号电流
I
C
= 0.1 A; V
CE
= 2 V ; F = 1.0千赫
过渡频率在f = 1 MHz的
I
C
= 1 ; V
CE
= 4 V
*脉冲测试:脉冲宽度
300微秒;占空比
2%.
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第2页
A
A
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
以PNP型:
2N6124 ;2N6125 ;2N6126
应用
For
功率放大器使用,并且
开关电路的应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2N6121 2N6122 2N6123
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
参数
2N6121
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6122
2N6123
2N6121
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6122
2N6123
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
45
60
80
45
60
80
5
4
8
1
40
150
-65~150
V
A
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
3.125
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6121
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N6122
2N6123
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
2N6121
I
CEX
集电极截止电流
2N6122
2N6123
2N6121
I
首席执行官
集电极截止电流
2N6122
2N6123
I
EBO
发射极截止电流
2N6121
I
C
=1.5A;I
B
=0.15A
I
C
=4.0A;I
B
=1.0A
I
C
= 1.5A ; V
CE
=2V
V
CE
=45V;V
BE
=1.5V
T
C
=125℃
V
CE
=60V;V
BE
=1.5V
T
C
=125℃
V
CE
=80V;V
BE
=1.5V
T
C
=125℃
V
CE
=45V;I
B
=0
V
CE
=60V;I
B
=0
V
CE
=80V;I
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
2N6121 2N6122 2N6123
条件
45
60
80
典型值。
最大
单位
V
0.6
1.4
1.2
0.1
2.0
0.1
2.0
0.1
2.0
V
V
V
mA
1.0
mA
1.0
mA
25
h
FE-1
直流电流增益
2N6122
2N6123
2N6121
10
h
FE-2
直流电流增益
2N6122
2N6123
f
T
跃迁频率
I
C
= 1A ; V
CE
=4V
I
C
= 4A ; V
CE
=2V
7
2.5
I
C
= 1.5A ; V
CE
=2V
20
100
80
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6121 2N6122 2N6123
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
标准
可选
功率晶体管
TO- 220 CASE
TO-220
型号
IC
(A)
最大
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
2N6040
2N6041
2N6042
10
10
10
10
10
16
2N6124
2N6125
2N6126
2N6132
2N6133
2N6134
2N6111
2N6109
2N6107
2N6666
2N6667
2N6668
2N6475
2N6476
2N6489
2N6490
2N6491
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
8.0
10
10
4.0
4.0
15
15
15
PD
(W)
36
36
36
50
50
50
50
75
75
75
75
75
75
40
40
40
50
50
50
40
40
40
65
65
65
40
40
75
75
75
BVCBO BVCEO
(V)
80
60
80
60
75
60
90
60
80
100
70
80
45
45
60
80
40
60
80
40
60
80
40
60
80
110
130
50
70
90
(V)
70
40
60
40
55
40
70
60
80
100
60
70
40
45
60
80
40
60
80
30
50
70
40
60
80
100
120
40
60
80
30
30
20
20
20
20
20
1,000
1,000
1,000
20
20
15
25
25
20
20
20
20
30
30
30
1,000
1,000
1,000
15
15
20
20
20
的hFE
最大
120
120
80
100
100
100
100
20,000
20,000
20,000
80
80
80
100
100
80
100
100
100
150
150
150
20,000
20,000
20,000
150
150
150
150
150
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.0
3.0
4.0
5.0
8.0
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
2.5
2.0
2.5
3.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
TO- 220FP全白
fT
(兆赫)
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
4.0
4.0
4.0
20
20
20
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
@ IC VCE ( SAT ) @ IC
(A)
(V)
最大
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
0.6
0.6
0.6
1.4
1.4
1.8
3.5
3.5
3.5
2.0
2.0
2.0
1.2
1.2
1.3
1.3
1.3
(A)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
35
4.0
4.0
3.0
10
10
16
1.5
1.5
1.5
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
NPN
2N5294
2N5296
2N5298
2N5490
2N5492
2N5494
2N5496
2N6043
2N6044
2N6045
2N6099
2N6101
2N6103
2N6121
2N6122
2N6123
2N6129
2N6130
2N6131
2N6288
2N6290
2N6292
2N6386
2N6387
2N6388
2N6473
2N6474
2N6486
2N6487
2N6488
PNP
92
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
可在TO- 220FP全乐要求。
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