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2PD601ARL ; 2PD601ASL
50 V , 100毫安NPN通用晶体管
版本01 - 2008年11月6日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN通用晶体管采用小型SOT23 ( TO- 236AB )表面贴装
器件(SMD )塑料封装。
表1中。
产品概述
恩智浦
2PD601ARL
2PD601ASL
2PD601ARL/DG
2PD601ASL/DG
[1]
/ DG :不含卤素。
类型编号
[1]
PNP补充
JEDEC
TO-236AB
TO-236AB
2PB709ARL
2PB709ASL
2PB709ARL/DG
2PB709ASL/DG
SOT23
SOT23
1.2产品特点
I
I
I
I
通用晶体管
两个电流增益的选择
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
小型SMD塑料包装
1.3应用
I
通用开关和放大器阳离子
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
h
FE
R组
h
FE
S组
V
CE
= 10 V;
I
C
= 2毫安
210
290
-
-
340
460
条件
开基
-
-
典型值
-
-
最大
50
100
单位
V
mA
恩智浦半导体
2PD601ARL ; 2PD601ASL
50 V , 100毫安NPN通用晶体管
2.管脚信息
表3中。
1
2
3
钉扎
描述
BASE
辐射源
集热器
1
2
2
sym021
简化的轮廓
3
图形符号
3
1
3.订购信息
表4 。
订购信息
名字
2PD601ARL
2PD601ASL
2PD601ARL/DG
2PD601ASL/DG
[1]
/ DG :不含卤素。
类型编号
[1]
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
-
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
[1]
SM *
SK *
SR *
SY *
类型编号
2PD601ARL
2PD601ASL
2PD601ARL/DG
2PD601ASL/DG
[1]
* = - :香港制造
* = P :香港制造
* = T:在马来西亚
* = W :中国制造
2PD601AXL_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2008年11月6日
2 9
恩智浦半导体
2PD601ARL ; 2PD601ASL
50 V , 100毫安NPN通用晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
结温
环境温度
储存温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
1毫秒
单脉冲;
t
p
1毫秒
T
AMB
25
°C
[1]
-
-
-
-
-
-
-
-
55
65
最大
60
50
6
100
200
100
250
150
+150
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
6.热特性
表7中。
符号
R
号(j -a)的
[1]
热特性
参数
条件
[1]
-
典型值
-
最大
500
单位
K / W
从结点在自由空气的热阻
到环境
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
条件
V
CB
= 60 V ;我
E
= 0 A;
T
j
= 150
°C
I
EBO
h
FE
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
h
FE
R组
h
FE
S组
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 2 V;
I
C
= 100毫安
V
CE
= 10 V;
I
C
= 2毫安
V
CE
= 10 V;
I
C
= 2毫安
[1]
-
-
-
90
210
290
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
10
5
10
-
340
460
单位
nA
A
nA
集电极 - 基极截止电流V
CB
= 60 V ;我
E
= 0 A
2PD601AXL_1
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3 9
恩智浦半导体
2PD601ARL ; 2PD601ASL
50 V , 100毫安NPN通用晶体管
表8 。
特征
- 续
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
CESAT
f
T
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
跃迁频率
条件
I
C
= 100毫安;
I
B
= 10毫安
V
CE
= 10 V;
I
C
= 2毫安;
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V;
I
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
[1]
-
100
典型值
-
-
最大
250
-
单位
mV
兆赫
C
c
集电极电容
-
-
3
pF
[1]
脉冲测试:吨
p
300
s; δ ≤
0.02.
8.测试信息
8.1质量信息
该产品已对外贸易资质网络编辑根据汽车电子协会
( AEC )标准
Q101 - 压力测试对外贸易资质科幻阳离子的分立半导体,
适用于汽车应用。
9.封装外形
3.0
2.8
3
1.1
0.9
0.45
0.15
2.5 1.4
2.1 1.2
1
2
1.9
尺寸(mm)
0.48
0.38
0.15
0.09
04-11-04
图1 。
封装外形SOT23封装( TO- 236AB )
2PD601AXL_1
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恩智浦半导体
2PD601ARL ; 2PD601ASL
50 V , 100毫安NPN通用晶体管
10.包装信息
表9 。
包装方法
指示的-xxx是的12NC订货代码的最后三位数字。
[1]
类型编号
[2]
2PD601ARL
2PD601ASL
2PD601ARL/DG
2PD601ASL/DG
[1]
[2]
如需进一步信息和包装方法的途径,请参阅
第14节。
/ DG :不含卤素。
SOT23
描述
4毫米间距8毫米磁带和卷轴
包装数量
3000
-215
10000
-235
11.焊接
3.3
2.9
1.9
焊区
阻焊
3
1.7
2
锡膏
0.6
(3×)
占领区
尺寸(mm)
0.5
(3×)
0.6
(3×)
1
sot023_fr
0.7
(3×)
图2 。
再溢流焊接足迹SOT23封装( TO- 236AB )
2PD601AXL_1
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5 9
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    -
    -
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