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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
优秀
安全工作区
增益在高电流
应用
通用
开关
和线性放大器的应用
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6469
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-50
-40
-5
-15
-5
125
150
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.4
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
典型值。
2N6469
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= -0.2A ;我
B
=0
-40
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
-1.3
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -15A ;我
B
=-3A
-3.5
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= -15A ; V
CE
=-4V
-3.5
V
I
首席执行官
集电极截止电流
V
CE
= -20V ;我
B
=0
V
CE
=-45V; V
BE
=-1.5V
T
C
=150℃
V
EB
= -5V ;我
C
=0
1.0
-0.2
-5.0
-5
mA
I
CEX
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -5A ; V
CE
=-4V
20
150
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -15A ; V
CE
=-4V
5
f
T
跃迁频率
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-10V
4
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6469
图2外形尺寸( unindicated公差:为±0.1mm )
3
2N6469
尺寸以毫米(英寸) 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在双极PNP设备
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极PNP设备。
V
首席执行官
= 50V
3
(案例)
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 15A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS , CECC和JAN的要求,
JANTX , JANTXV和JANS规范。
TO3 ( TO204AA )
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
50
15
单位
V
A
-
Hz
@ 4/5 (V
CE
/ I
C
)
20
10M
150
71
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
功率晶体管
TO- 3案(续)
型号
IC
(A)
最大
10
10
10
10
15
15
PD
(W)
125
175
175
175
115
150
160
160
160
125
125
125
117
100
100
100
125
125
125
125
100
100
125
125
175
175
100
120
120
120
150
150
150
BVCBO
(V)
110
300
375
450
55
100
60
80
100
500
600
700
50
40
60
80
50
50
70
90
650
850
650
850
650
850
45
60
90
120
350
400
450
BVCEO
(V)
100
200
275
350
45
80
60
80
100
250
300
350
40
40
60
80
40
40
60
80
300
400
300
400
300
400
40
60
90
120
300
350
400
的hFE
* TYP
20
10
8.0
6.0
20
20
750
750
750
15
15
12
15
最大
100
50
50
50
70
70
@ IC VCE ( SAT )
(A)
5.0
10
10
10
3.0
5.0
(V)
最大
3.5
1.5
1.5
1.5
4.0
4.0
3.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
4.0
3.0
3.0
3.0
3.5
3.5
3.5
3.5
1.0
1.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
4.0
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
@ IC
(A)
10
10
10
10
15
15
20
20
20
8.0
8.0
8.0
16
10
10
10
15
15
15
15
3.0
3.0
8.0
5.0
10
10
4.0
15
15
15
8.0
8.0
8.0
NPN
2N6249
2N6250
2N6251
2N6253
2N6254
2N6282
2N6283
2N6284
2N6306
2N6307
2N6308
2N6371
2N6383
2N6384
2N6385
2N6470
2N6471
2N6472
2N6542
2N6543
2N6544
2N6545
2N6546
2N6547
2N6569
2N6576
2N6577
2N6578
2N6671
2N6672
2N6673
PNP
2N6248
fT
* TYP
(兆赫)
4.0
2.5
2.5
2.5
4.0
--
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
4.0
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
2.5
6.0
6.0
6.0
15
15
15
2N6285
2N6286
2N6287
20
20
20
8.0
8.0
8.0
15
18,000 10
18,000 10
18,000 10
75
75
60
60
8.0
8.0
8.0
8.0
2N6648
2N6649
2N6650
2N6469
10
10
10
15
15
15
15
5.0
5.0
8.0
8.0
15
15
1,000 20,000 5.0
1,000 20,000 5.0
1,000 20,000 5.0
20
20
20
20
7.0
7.0
7.0
7.0
12
12
15
150
150
150
150
35
35
35
35
60
60
200
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
5.0
4.0
2N6594
12
15
15
15
8.0
8.0
8.0
2,000 20,000 4.0
2,000 20,000 4.0
2,000 20,000 4.0
10
10
10
40
40
40
--
--
--
阴影部分表示达林顿。
83
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
优秀
安全工作区
增益在高电流
应用
通用
开关
和线性放大器的应用
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6469
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
固电
IN
导½
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
ES
CH
发射极开路
开基
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
-50
-40
-5
-15
-5
单位
V
V
V
A
A
W
集电极开路
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
125
150
-65~200
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.4
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
典型值。
2N6469
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= -0.2A ;我
B
=0
-40
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
-1.3
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -15A ;我
B
=-3A
-3.5
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= -15A ; V
CE
=-4V
-3.5
V
I
首席执行官
集电极截止电流
V
CE
= -20V ;我
B
=0
V
CE
=-45V; V
BE
=-1.5V
T
C
=150℃
V
EB
= -5V ;我
C
=0
1.0
-0.2
-5.0
-5
mA
I
CEX
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
h
FE-1
固电
IN
直流电流增益
导½
mA
I
C
= -5A ; V
CE
=-4V
h
FE-2
直流电流增益
f
T
跃迁频率
ES
CH
I
C
= -15A ; V
CE
=-4V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-10V
ND
ICO
EM
20
5
OR
UCT
150
兆赫
4
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6469
固电
IN
导½
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸( unindicated公差:为±0.1mm )
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·采用TO-3封装
·低集电极饱和电压
·卓越的安全工作区
·高增益高电流
应用
·切换通用和
线性放大器应用
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6469
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
绝对最大额定值(Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-50
-40
-5
-15
-5
125
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.4
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
2N6469
符号
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BE
I
首席执行官
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= -0.2A ;我
B
=0
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
I
C
= -15A ;我
B
=-3A
I
C
= -15A ; V
CE
=-4V
V
CE
= -20V ;我
B
=0
V
CE
=-45V; V
BE
=-1.5V
T
C
=150
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -5A ; V
CE
=-4V
I
C
= -15A ; V
CE
=-4V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-10V
-40
V
集电极 - 发射极饱和电压
-1.3
V
集电极 - 发射极饱和电压
-3.5
V
基射极电压上
-3.5
V
集电极截止电流
1.0
-0.2
-5.0
-5
mA
集电极截止电流
mA
发射极截止电流
mA
直流电流增益
20
150
直流电流增益
5
跃迁频率
4
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6469
图2外形尺寸( unindicated公差:为±0.1mm )
3
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    联系人:杨小姐
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    2N6469
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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2443+
23000
TO-3
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联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
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ON/安森美
24+
32000
TO-3
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