功率晶体管
2SB0947
(2SB947)
， 2SB0947A
(2SB947A)
PNP硅外延平面型
对于低电压switcing
单位：mm
0.7
±0.1
■
特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
高速开关
这可以用一个螺钉被安装到散热器的全包包
10.0
±0.2
5.5
±0.2
4.2
±0.2
4.2
±0.2
2.7
±0.2
7.5
±0.2
■
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
（发射极开路）
2SB0947
2SB0947A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
a
=
25°C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
等级
40
50
20
40
5
10
15
35
2
150
55
to
+150
°C
°C
V
A
A
W
V
单位
V
16.7
±0.3
φ
3.1
±0.1
浸焊
(4.0)
1.4
±0.1
1.3
±0.2
0.5
+0.2
–0.1
14.0
±0.5
0.8
±0.1
集电极 - 发射极电压2SB0947
（基地开）
2SB0947A
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极电源
耗散
结温
储存温度
2.54
±0.3
5.08
±0.5
1 2 3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
EIAJ ： SC- 67
TO- 220F -A1套餐
■
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压
（基地开）
集电极 - 基极截止
电流（发射极开路）
2SB0947
2SB0947A
2SB0947
2SB0947A
I
EBO
h
FE1
h
FE2 *
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
I
CBO
V
CB
= 40
V，I
E
=
0
V
CB
= 50
V，I
E
=
0
V
EB
= 5
V，I
C
=
0
V
CE
= 2
V，I
C
=
0.1 A
V
CE
= 2
V，I
C
= 2
A
I
C
= 7
A，I
B
=
0.23 A
I
C
= 7
A，I
B
=
0.23 A
V
CE
= 10
V，I
C
=
0.5 A，F
=
10兆赫
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
I
C
= 2
A，I
B1
= 66
妈，我
B2
=
66毫安
V
CC
= 20
V
150
200
0.1
0.5
0.1
45
60
260
0.6
1.5
V
V
兆赫
pF
s
s
s
符号
V
首席执行官
条件
I
C
= 10
妈，我
B
=
0
民
20
40
50
50
50
A
A
典型值
最大
单位
V
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE2
R
60至120
Q
90至180
P
130 260
注）括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期： 2003年4月
SJD00026BED
1
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2002年七月
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