【2SB908东芝三极管PNP硅外延型（厘过程）2SB908切换应用程序锤驱动器，脉冲电机驱动应用功率】,IC型号2SB908_07,2SB908_07 PDF资料,2SB908

2SB908

东芝三极管

PNP硅外延型（厘过程）

2SB908

切换应用程序

锤驱动器，脉冲电机驱动应用

功率放大器的应用

高直流电流增益：H

FE （1）

= 2000 （分钟）（V

V，I

低饱和电压： V

CE （SAT）

1.5

V（最大值）（我

补充2SD1223

单位：mm

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极电源

耗散

结温

存储温度范围

TA = 25°C

TC = 25°C

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

100

0.4

1.0

150

单位

°C

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-7B1A

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

温度/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）内的

绝对最大额定值。

请在审查设计相应的可靠性

东芝半导体可靠性手册（ “处理

注意事项“ /降级的概念和方法）和个人

可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障率，

等）。

重量：0.58克（典型值）。

等效电路

集热器

BASE

≈

4.5 k

≈

300

JEDEC

辐射源

―

2-7J1A

JEITA

东芝

重量：0.58克（典型值）。

2006-11-21

2SB908

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极击穿电压

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

开启时间

符号

CBO

EBO

（ BR ） CEO

FE （1）

FE （2）

CE （SAT）

BE （SAT）

开关时间

贮存时间

英镑

测试条件

100

V，I

= 0

V，I

= 0

妈，我

= 0

V，I

A，I

产量

民

―

2000

1000

―

典型值。

―

0.15

最大

2.5

―

1.5

2.0

―

单位

μA

放

―

0.80

―

μs

下降时间

≈ 30

―

0.40

―

= I

= 6毫安，占空比

≤

记号

B908

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

2006-11-21

2SB908

– V

共发射极

TC = 25°C

500

450

400

350

300

– V

共发射极

TC = 100℃

(A)

集电极电流I

(A)

300

250

200

175

250

IB =

200 μA

150

IB =

125 μA

集电极 - 发射极电压

(V)

集电极 - 发射极电压V

(V)

– V

共发射极

TC =

55°C

10000

– I

直流电流增益

(A)

5000

3000

TC = 100℃

集电极电流I

800

700

600

500

1000

共发射极

VCE =

300

0.1

0.3

500

IB =

400 μA

集电极电流I

(A)

集电极 - 发射极电压

(V)

CE （SAT）

– I

集电极 - 发射极饱和电压

CE （SAT）

(V)

BE （SAT）

– I

基射极饱和电压

BE （SAT）

(V)

共发射极

IC / IB = 500

TC =

55°C

100

共发射极

IC / IB = 500

TC =

55°C

100

0.5

0.3

0.1

0.3

0.5

0.1

0.3

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

2006-11-21

2SB908

– V

共发射极

安全工作区

集成电路最大值（脉冲） *

IC MAX（连续）

1毫秒*

10毫秒*

(A)

VCE =

集电极电流I

100

TC =

55°C

(A)

0.5

0.3

直流操作

TC = 25°C

* ：单非重复脉冲

0.1

TC = 25°C

曲线必须是线性降额

同的温度升高。

0.04

VCEO

最大

100

0.8

1.6

2.4

3.2

4.0

4.8

基射极电压

(V)

集电极 - 发射极电压V

(V)

- TA

(W)

(1)

（ 1 ）锝= TA无限的散热器

（ 2）陶瓷基片

50 × 50 × 0.8 mm

（ 3 ）无散热片

集电极耗散功率

(2)

(3)

120

160

200

240

环境温度Ta （C ）

2006-11-21

2SB908

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701-EN

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

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2006-11-21