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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA634
描述
·采用TO- 202封装
·补键入2SC1096
·高电流能力
应用
·音频功放
·低速切换
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 202 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
a
=25
P
T
总功耗
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
10
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-40
-30
-5
-3.0
-6.0
-0.6
1.2
W
单位
V
V
V
A
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
直流电流增益
集电极截止电流
发射极截止电流
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= -3.0A ;我
B
=-0.3 A
I
C
= -3.0A ;我
B
=-0.3 A
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= -20mA ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -30V ;我
E
=0
V
EB
= -3V ;我
C
=0
I
E
=0; V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-5V
75
55
-30
20
40
民
典型值。
-0.7
-1.1
2SA634
符号
V
CESAT
V
BESAT
V
（ BR ） CEO
h
FE-1
h
FE-2
I
CBO
I
EBO
C
OB
f
T
最大
-2.0
-2.0
单位
V
V
V
250
-1.0
-1.0
A
A
pF
兆赫
h
FE-2
分类
N
40-60
M
50-100
L
80-160
K
120-250
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA634
图2外形尺寸
3
功率晶体管
www.jmnic.com
2SA634
硅PNP晶体管
BCE
特点
·带
的TO-220封装
绝对最大额定值锝= 25
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
B
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
基地集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
3.0
10
150
-55~+150
等级
40
40
5.0
单位
V
V
V
A
A
W
TO-220
电气特性锝= 25
符号
I
CBO
I
EBO
I
首席执行官
V
CBO
V
CEO （ SUS ）
V
EBO
V
CE(sat-1)
V
CE(sat-2)
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
V
BE(sat)1
V
BE(sat)1
f
T
C
ob
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
基极 - 发射极电压stauration
基极 - 发射极电压stauration
过渡frepuency
输出电容
I
C
= 3A ;我
B
=0.3A
1.5
V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
40
I
C
= 1毫安;我
B
=0
I
E
= 1毫安; IC = 0
I
C
= 3A ;我
B
=0.3A
40
5
1.0
V
V
条件
V
CB
= 40V ;我
E
=0
V
EB
= 5.0V ;我
C
=0
V
CE
= 40V ;我
B
=0
民
TYPE
最大
200
200
0.5
单位
uA
uA
mA
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA634
描述
·带
TO- 202封装
.Complement
键入2SC1096
高
电流能力
应用
·音频
频功率放大器
ULOW
高速开关
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 202 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
a
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-40
-30
-5
-3.0
-6.0
-0.6
1.2
单位
V
V
V
A
A
A
P
T
总功耗
T
C
=25℃
10
150
-55~150
W
T
j
T
英镑
结温
储存温度
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SA634
最大
单位
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -3.0A ;我
B
=-0.3 A
-2.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= -3.0A ;我
B
=-0.3 A
-2.0
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;我
B
=0
-30
V
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -20mA ; V
CE
=-5V
20
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
40
250
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -30V ;我
E
=0
-1.0
μA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -3V ;我
C
=0
-1.0
μA
C
OB
输出电容
I
E
=0; V
CB
=-10V;f=1MHz
75
pF
f
T
跃迁频率
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-5V
55
兆赫
h
FE-2
分类
N
40-60
M
50-100
L
80-160
K
120-250
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA634
图2外形尺寸
3
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推荐型号
27334C
22-28-3128
2SD2276S
2N7289D2
24AA64-IP
2100HT-102-RC
2N6348AG
2SB0947
2SA1980EF
212T0102N224FA
2SA1648L
2SB0709AS
20D-1C32N1
2132415-2
225001
250MMCA184KUV
2SA1645-ZL
2SC4421
27-21UBC/C430/TR8
2SC5256O
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SA634
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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2SA634
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2SA634
FAIRCHILD/仙童
24+
32000
TO-202
百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！
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地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SA634
N/M
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32570
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SA634
NEC
21+
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TO202
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2SA634
NEC/
76
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2SA634
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8905
贴◆插
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联系人：陈小姐
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2SA634
NEC
100
原装正品！价格优势！
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