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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1063
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
高
跃迁频率
应用
·设计
对于通用开关
和放大器的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-150
-150
-6
-6
-10
80
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SA1063
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -25mA ;我
B
=0
-150
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -4A ，我
B
=-0.4A
B
-2.0
V
V
BE
基射极电压上
I
C
=-4A;V
CE
=-5V
-1.8
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -150V ;我
E
=0
-50
μA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -3V ;我
C
=0
-50
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
40
280
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
20
f
T
跃迁频率
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
50
兆赫
h
FE-1
分类
R
40-80
Q
60-120
P
90-180
O
140-280
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1063
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
2SA1063
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
高
跃迁频率
应用
·设计
对于通用开关
和放大器的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-150
-150
-6
-6
-10
80
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SA1063
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -25mA ;我
B
=0
-150
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -4A ，我
B
=-0.4A
-2.0
V
V
BE
基射极电压上
I
C
=-4A;V
CE
=-5V
-1.8
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -150V ;我
E
=0
-50
μA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -3V ;我
C
=0
-50
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
40
280
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
20
f
T
跃迁频率
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
50
兆赫
h
FE-1
分类
R
40-80
Q
60-120
P
90-180
O
140-280
2
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1063
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1063
描述
·采用TO-3封装
·低集电极饱和电压
·高转换频率
应用
·专为通用开关
和放大器的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-150
-150
-6
-6
-10
80
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
2SA1063
符号
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -25mA ;我
B
=0
I
C
= -4A ，我
B
=-0.4A
I
C
=-4A;V
CE
=-5V
V
CB
= -150V ;我
E
=0
V
EB
= -3V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
-150
V
集电极 - 发射极饱和电压
-2.0
V
基射极电压上
-1.8
V
集电极截止电流
-50
A
发射极截止电流
-50
A
直流电流增益
40
280
直流电流增益
20
跃迁频率
50
兆赫
h
FE-1
分类
R
40-80
Q
60-120
P
90-180
O
140-280
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1063
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
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2082-4135-12N
2N7002DW_1
215S5
2SD780DW1
235.125
2SC4722
2SC4895
2-1393127-5
供货商
型号
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联系人：刘经理
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