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2N7002DW - N沟道增强型场效应晶体管
2007年10月
2N7002DW
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
双N沟道MOSFET
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS标准
SC70-6
(SOT363)
1
标记： 2N
1
绝对最大额定值*
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
漏源电压
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏极 - 栅极电压
GS
≤
1.0M
栅源电压
漏电流
连续
脉冲
连续
连续@ 100℃
脉冲
价值
60
60
±20
±40
115
73
800
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
T
J ,
T
英镑
结温和存储温度范围
*这些额定值的限制值以上的任何半导体器件的适用性可以通过削弱。
热特性
符号
P
D
R
θJA
参数
器件总功耗
降额以上的牛逼
A
= 25°C
热阻，结到环境*
价值
200
1.6
625
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
*设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸， Minimun焊盘的大小，
2007仙童半导体公司
2N7002DW版本A
1
www.fairchildsemi.com
2N7002DW - N沟道增强型场效应晶体管
电气特性
符号
参数
开关特性
(Note1)
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
V
GS
= 0V时，我
D
=10uA
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ， @T
C
= 125°C
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
60
-
-
78
0.001
7
0.2
-
1.0
500
±10
V
uA
nA
基本特征
(Note1)
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
1.0
-
-
0.5
80
1.76
1.6
2.53
1.43
356.5
2.0
7.5
13.5
-
-
V
A
mS
Satic漏源导通电阻V
GS
= 5V ，我
D
= 0.05A,
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A ， @T
j
= 125°C
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 10V, V
DS
= 7.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.2A
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
-
-
-
37.8
12.4
6.5
50
25
7.0
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
D（关闭）
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
V
DD
= 30V ，我
D
= 0.2A ，V
根
= 10V
R
L
= 150, R
根
= 25
-
-
5.85
12.5
20
20
ns
注1 ：持续时间短的测试脉冲用于最小化自加热效应
.
2007仙童半导体公司
2N7002DW版本A
2
www.fairchildsemi.com
2N7002DW - N沟道增强型场效应晶体管
典型性能特性
图1.区域特征
1.6
图2.导通电阻变化与门
电压和漏极电流
3.0
I
D
。漏源电流（A ）
R
DS
（ON）
()
DRANI - 源导通电阻
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
GS
= 10V
5V
V
GS
= 3V
4V
4.5V
5V
6V
2.5
4V
2.0
10V
1.5
3V
9V
8V
7V
2V
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
DS
。漏源极电压（ V）
I
D
。漏源电流（A ）
图3.导通电阻变化与
温度
3.0
图4.导通电阻变化与
栅源电压
3.0
R
DS
（上）
()
DRANI - 源导通电阻
2.5
V
GS
= 10V
I
D
= 500毫安
R
DS
（ON）
()
DRANI - 源导通电阻
2.5
2.0
I
D
= 500毫安
2.0
1.5
I
D
= 50毫安
1.5
1.0
0.5
-50
1.0
0
50
100
o
150
2
4
6
8
10
T
J
。结温（ C）
V
GS
。栅源电压（ V）
图5.传输特性
1.0
o
图6.门阈值变化与
温度
Vth时，栅源阈值电压（ V）
2.5
I
D
。漏源电流（A ）
V
DS
= 10V
0.8
T
J
= -25 C
150 C
25 C
125 C
o
o
o
V
GS
= V
DS
2.0
0.6
I
D
= 1毫安
I
D
= 0.25毫安
1.5
75 C
0.4
o
0.2
0.0
2
3
4
5
6
1.0
-50
0
50
100
o
150
V
GS
。栅源电压（ V）
T
J
。结温（ C）
2007仙童半导体公司
2N7002DW版本A
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2N7002DW - N沟道增强型场效应晶体管
典型性能特性
图7.反向漏电流的变化与
二极管的正向电压和温度
V
GS
= 0 V
图8.功率降额
280
I
S
反向漏电流， [马]
100
P
C
[毫瓦] ，功率耗散
150 C
o
240
200
160
25 C
10
o
120
-55 C
o
80
40
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
25
o
50
75
100
125
150
175
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
T
a
[C] ，环境温度
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2N7002DW版本A
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2N7002DW - N沟道增强型场效应晶体管
包装尺寸
SC70-6
（ SOT- 363 ）
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2007年10月
2N7002DW
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
双N沟道MOSFET
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS标准
SC70-6
(SOT363)
1
标记： 2N
1
绝对最大额定值*
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
漏源电压
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏极 - 栅极电压
GS
≤
1.0M
栅源电压
漏电流
连续
脉冲
连续
连续@ 100℃
脉冲
价值
60
60
±20
±40
115
73
800
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
T
J ,
T
英镑
结温和存储温度范围
*这些额定值的限制值以上的任何半导体器件的适用性可以通过削弱。
热特性
符号
P
D
R
θJA
参数
器件总功耗
降额以上的牛逼
A
= 25°C
热阻，结到环境*
价值
200
1.6
625
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
*设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸， Minimun焊盘的大小，
2007仙童半导体公司
2N7002DW版本A
1
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2N7002DW - N沟道增强型场效应晶体管
电气特性
符号
参数
开关特性
(Note1)
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
V
GS
= 0V时，我
D
=10uA
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ， @T
C
= 125°C
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
60
-
-
78
0.001
7
0.2
-
1.0
500
±10
V
uA
nA
基本特征
(Note1)
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
1.0
-
-
0.5
80
1.76
1.6
2.53
1.43
356.5
2.0
7.5
13.5
-
-
V
A
mS
Satic漏源导通电阻V
GS
= 5V ，我
D
= 0.05A,
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A ， @T
j
= 125°C
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 10V, V
DS
= 7.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.2A
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
-
-
-
37.8
12.4
6.5
50
25
7.0
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
D（关闭）
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
V
DD
= 30V ，我
D
= 0.2A ，V
根
= 10V
R
L
= 150, R
根
= 25
-
-
5.85
12.5
20
20
ns
注1 ：持续时间短的测试脉冲用于最小化自加热效应
.
2007仙童半导体公司
2N7002DW版本A
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2N7002DW - N沟道增强型场效应晶体管
典型性能特性
图1.区域特征
1.6
图2.导通电阻变化与门
电压和漏极电流
3.0
I
D
。漏源电流（A ）
R
DS
（ON）
()
DRANI - 源导通电阻
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
GS
= 10V
5V
V
GS
= 3V
4V
4.5V
5V
6V
2.5
4V
2.0
10V
1.5
3V
9V
8V
7V
2V
0.0
0
1
2
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7
8
9
10
1.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
DS
。漏源极电压（ V）
I
D
。漏源电流（A ）
图3.导通电阻变化与
温度
3.0
图4.导通电阻变化与
栅源电压
3.0
R
DS
（上）
()
DRANI - 源导通电阻
2.5
V
GS
= 10V
I
D
= 500毫安
R
DS
（ON）
()
DRANI - 源导通电阻
2.5
2.0
I
D
= 500毫安
2.0
1.5
I
D
= 50毫安
1.5
1.0
0.5
-50
1.0
0
50
100
o
150
2
4
6
8
10
T
J
。结温（ C）
V
GS
。栅源电压（ V）
图5.传输特性
1.0
o
图6.门阈值变化与
温度
Vth时，栅源阈值电压（ V）
2.5
I
D
。漏源电流（A ）
V
DS
= 10V
0.8
T
J
= -25 C
150 C
25 C
125 C
o
o
o
V
GS
= V
DS
2.0
0.6
I
D
= 1毫安
I
D
= 0.25毫安
1.5
75 C
0.4
o
0.2
0.0
2
3
4
5
6
1.0
-50
0
50
100
o
150
V
GS
。栅源电压（ V）
T
J
。结温（ C）
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典型性能特性
图7.反向漏电流的变化与
二极管的正向电压和温度
V
GS
= 0 V
图8.功率降额
280
I
S
反向漏电流， [马]
100
P
C
[毫瓦] ，功率耗散
150 C
o
240
200
160
25 C
10
o
120
-55 C
o
80
40
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
25
o
50
75
100
125
150
175
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
T
a
[C] ，环境温度
2007仙童半导体公司
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SC70-6
（ SOT- 363 ）
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2082-4135-12N
215S5
2SD780DW1
235.125
2SC4722
2SC4895
2-1393127-5
2SD2701
24-6574-18
2N6274A
2SC5007-T1-A
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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