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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD1115
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 300V （最小值）
高
直流电流增益
: h
FE
= 500 （分钟） @I
C
= 2A
应用
·设计
对于高压开关，点火器的应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
400
V
300
V
7
V
3
A
6
A
40
W
I
C
集电极电流连续
I
CP
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
P
C
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
I
C
= 2A ; L = 10MH ， PW = 50μs的;
F = 50Hz的
I
C
= 0.1毫安;我
E
= 0
民
典型值。
2SD1115
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
300
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
400
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 50毫安;我
C
= 0
7
V
V
CE（
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
= 20mA下
B
1.5
V
V
BE （
SAT
)
基射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
= 20mA下
B
2.0
V
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
h
FE
直流电流增益
开关时间
t
on
开启时间
t
关闭
打开-O FF时间
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
V
CE
= 300V ;
BE
=
∞
I
C
= 2A ; V
CE
= 2V
500
I
C
= 2A ，我
B1
= -I
B2
= 20mA下
100
μA
1.0
μs
22
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD1141
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 300V （最小值）
高
直流电流增益
: h
FE
= 500 （分钟） @I
C
= 4A
应用
·设计
对于高压开关，点火器的应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
400
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
300
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
7
V
I
C
集电极电流连续
6
A
I
CM
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
10
A
P
C
40
W
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
I
C
= 3A ; L = 10MH ， PW = 50μs的;
F = 50Hz的
I
C
= 0.1毫安;我
E
= 0
民
典型值。
2SD1141
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
300
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
400
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 50毫安;我
C
= 0
7
V
V
CE（
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 40毫安
B
1.5
V
V
BE （
SAT
)
基射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 40毫安
B
2.0
V
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 300V ;
BE
=
∞
100
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 4A ; V
CE
= 2V
500
开关时间
t
on
开启时间
I
C
= 4A ，我
B1
= -I
B2
= 40毫安
2.0
μs
t
关闭
打开-O FF时间
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