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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第471页 > 2N7002PT
CHENMKO ENTERPRISE CO。 ， LTD。
表面贴装
N沟道增强型网络场效晶体管
电压60伏特
应用
*伺服电机控制。
*功率MOSFET栅极驱动器。
*其他开关应用。
2N7002PT
当前0.250安培
特征
.041 (1.05)
.033 (0.85)
SOT-23
.019 (0.50)
(3)
*坚固可靠。
.110 (2.80)
.082 (2.10)
.119 (3.04)
(1)
.066 (1.70)
*高饱和电流能力。
*电压控制的小信号开关。
(2)
施工
* N沟道增强
.055 (1.40)
.047 (1.20)
记号
* 7002
D
(3)
.103 (2.64)
.086 (2.20)
.028 (0.70)
.020 (0.50)
.007 (0.177)
.018 (0.30)
.002 (0.05)
*小型表面安装型。 （ SOT -23 ）
*高密度电池设计低R
DS （ ON）
.
*适用于高封装密度。
电路
(1)
G
.045 (1.15)
.033 (0.85)
S
(2)
尺寸以英寸（毫米）
SOT-23
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
2N7002PT
单位
V
DSS
漏源电压
60
60
V
V
V
V
DGR
V
GSS
漏，栅极电压（R
GS
＆ LT ; 1M的
)
栅源电压 - 连续
- 不重复（ TP ＆ LT ;为50μs ）
±
20
±
40
250
190
350
220
-55到150
300
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
I
D
P
D
最大漏极电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
mA
mW
mW
°C
°C
T
J
,T
英镑
T
L
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 16"分之1案件从10秒
热特性
R
θ
JA
热阻，结到环境
357
° C / W
2002-7
额定值特性曲线（ 2N7002PT ）
电气特性
T
符号
参数
A
= 25 ° C除非另有说明
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
T
C
=125°C
V
GS
= 15 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -15 V, V
DS
= 0 V
60
70
1
0.5
10
-10
V
A
mA
nA
nA
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
基本特征
（注1 ）
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 4.0 V，I
D
= 100毫安
1
2.0
1.7
2.5
0.6
0.09
2.5
3.0
4.0
3.75
1.5
V
静态漏源导通电阻V
GS
= 10 V，I
D
= 250毫安
漏源电压
V
GS
= 10 V，I
D
= 500毫安
V
GS
= 5.0 V，I
D
= 50毫安
通态漏电流
V
GS
= 10 V, V
DS
= 7.5V
DS （ ON）
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 10V
DS （ ON）
正向跨导
V
DS
= 15 V
DS （ ON）
, I
D
= 200 mm的
800
500
V
1800
700
250
mA
mS
动态特性
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
t
f
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V,
I
D
= 250毫安
0.6
0.06
0.06
1.0
25
5
50
25
5
20
nC
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
25
6
1.2
pF
V
DD
= 30 V ，R
L
= 200
,
I
D
= 100毫安， V
GS
= 10 V,
R
根
= 10
V
DD
= 30 V ，R
L
= 200
,
I
D
= 100毫安， V
GS
= 10 V,
R
根
= 10
7.5
6
7.5
3
nS
打开-O FF时间
20
nS
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 200毫安
（注1 ）
0.85
115
0.8
1.2
mA
A
V
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度＆ LT ; 300μS ，占空比＆ LT ; 2.0％。
额定值特性曲线（ 2N7002PT ）
典型电气特性
图1.区域特征
2 .5
6
图2.导通电阻变化与门
电压和漏极电流
V
GS
=4.0V
4 .5
V
GS
= 10V
I
D
，漏源电流（A ）
2
9.0
8.0
7.0
6.0
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
5
5 .0
6 .0
1 .5
4
7 .0
3
1
5.0
8 .0
9 .0
10
0 .5
4.0
3.0
0
1
2
3
V
DS
，漏源电压（V ）
4
5
2
0
1
0
0 .4
0 .8
1 .2
I
D
， DRA电流（ A）
1 .6
2
图3.导通电阻变化
随温度
6.0
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度
6
V
GS
= 10V
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
漏源导通电阻
5
5.0
I
D
= 250米
R
DS （ ON）
归一化
R
DS （ ON）
归一化
T
J
= 1 2 5 °C
4
4.0
3.0
3
25°C
2
2.0
-55°C
1
1.0
0
-5 0
-2 5
0
25
50
75
100
T，结牛逼EMPERATURE （ ° C）
J
125
150
0
0
0 .4
0 .8
1 .2
I
D
，漏电流（ A）
1 .6
2
图5.传输特性
2
1 .1
V
th
归一化
门源阈值电压
图6.门阈值变化与
温度
V
DS
= V
GS
I
D
= 1毫安
V
DS
= 10V
1.6
I
D
，漏电流（ A）
T J = -55°C
25°C
125°C
1 .0 5
1
1.2
0 .9 5
0.8
0 .9
0.4
0 .8 5
0
0
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
0 .8
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结tem温度（ ° C）
125
150
额定值特性曲线（ 2N7002PT ）
典型电气特性
（续）
图7.击穿电压变化
随温度
1.1
图8.体二极管正向电压
变化与漏电流
2
1
漏源BREAKDO
WN电压
I
D
= 250A
I
S
，反向漏电流（ A）
1.075
1.05
1.025
1
0.975
0.95
0.925
-50
V
GS
= 0 V
BV
DSS
归一化
0 .5
TJ = 1 2 5℃
0 .1
0 .0 5
25°C
-5 5 ° C
0 .0 1
0 .0 0 5
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结tem温度（ ° C）
125
150
0 .0 0 1
0 .2
0 .4
V
SD
0 .6
0 .8
1
1 .2
1 .4
，体二极管正向电压（ V）
图9.电容特性
60
1.0
图10.栅极电荷特性
国际空间站
20
V
GS
，栅源电压（V ）
40
V
DS
= 3 0 V
.8
电容（pF）
10
.6
OSS
5
.4
2
F = 1 MH
V
GS
= 0V
RSS
30
50
.2
I
D
= 2 5 0为m的
1
1
2
V
DS
3
5
10
20
，漏源极电压（ V）
0
0
0 .1
0 .2
0 .3
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0 .4
0.5
图11 。
图12.开关波形
V
DD
t
D（上）
t
on
t
r
90%
t
关闭
t
D（关闭）
90%
t
f
V
IN
D
R
L
V
OUT
DUT
输出时，VOUT
V
GS
10%
10%
90%
R
根
倒
G
输入，输入电压
S
10%
50%
50%
脉冲宽度
额定值特性曲线（ 2N7002PT ）
典型电气特性
（续）
图13. 2N7002PT最大安全工作区
3
2
I
D
，漏电流（ A）
1
RDS
LIM它
（上）
100
us
1m
s
0.5
10m
s
0.1
0.05
V
GS
= 10V
单脉冲
10s
DC
1s
100
ms
0.01
0.005
1
T
A
= 25° C
2
5
10
V
DS
，漏源电压（V ）
20
30
60
80
图14. 2N7002PT瞬态热响应曲线
1
瞬态热阻
0.5
0.2
0.1
0.05
D = 0.5
0 .2
0.1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
P（ PK）
R（T ） ，规范有效
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= （查看数据表）
0.01
单脉冲
t
1
t
2
0.002
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
100
300
E
L
E
C
T
R
O
N
I
C
2N7002PT
- 0.25Amp 60Volt
N沟道增强型网络场效晶体管
□
应用
-Servomotor控制
- 功率MOSFET栅极驱动器
- 其他开关应用
SOT-23
.040(1.02)
.035(0.88)
.055(1.40)
.047(0.85)
.103(2.64)
.086(2.20)
.007(0.177)
.002(0.050)
.019(0.50)
.018(0.30)
□
特征
- 小型表面安装型
- 高密度电池设计低R
DS （ ON）
- 适用于高密度封装
-Rugged可靠
- 高饱和电流能力
- 电压控制的小信号开关
.119(3.04)
.110(2.80)
□
施工
-N沟道增强
.028(0.70)
.020(0.50)
□
电路
D
.045(1.15)
.033(0.85)
G
S
□
绝对最大额定值
参数
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
≦1M)
栅源电压 - 连续
- 不重复（ tp<50μs ）
最大漏极电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
= 25C
T
A
= 70C
T
A
= 25C
T
A
= 70C
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
2N7002PT
60
60
±
20
±
40
250
190
350
220
-55到+150
300
357
单位
V
V
V
.082(2.10)
.066(1.70)
I
D
mA
P
D
T
J ,
T
英镑
T
L
R
θJA
mW
mW
C
摄氏度/ W
2006年9月/订正
Operting和存储温度范围
从最大的铅焊接温度的目的， 1/16 “
情况下，10秒
热阻，结到环境
2N7002PT
□
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
Ststic漏源导通电阻
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 250毫安
V
GS
= 4V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 5V ，我
D
= 50毫安
V
GS
= 10V, V
DS
= 7.5V
DS （ ON）
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 10V
DS （ ON）
V
DS
= 15V
DS （ ON）
, I
D
= 200毫安
800
500
1.0
2.0
1.7
2.5
0.6
0.09
1800
700
250
2.5
3.0
4.0
3.75
1.5
V
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS
= 0V时，我
D
= 10μA
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
GS
= 15V, V
DS
= 0V
V
GS
= -15V, V
DS
= 0V
60
70
1
10
-10
V
μA
nA
nA
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
漏源电压
V
DS （ ON）
V
通态漏电流
正向跨导
动态特性
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
门上过度充电
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
I
D（上）
g
FS
mA
mS
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
V
DD
= 30V ，R
L
= 200,
I
D
= 100mA时V
GS
= 10V,
R
根
= 10
V
DD
= 30V ，R
L
= 200,
I
D
= 100mA时V
GS
= 10V,
R
根
= 10
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
= 30V, V
GS
= 10V,
I
D
= 200毫安
0.6
0.06
0.06
25
6
1.2
7.5
6
7.5
3
1.0
25
5
50
25
5
20
nS
20
nS
pF
nC
关断时间
t
关闭
t
f
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源
二极管的正向电流
最大脉冲漏源极二极管
正向电流
漏源二极管的正向电压
I
S
115
mA
I
SM
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= 200毫安
0.85
0.8
1.2
A
V
注意：
.1.Pulse
测试：脉冲宽度< 300
μs,
占空比< 2.0 ％
额定值特性曲线（ 2N7002PT ）
典型电气特性
图1.区域特征
2 .5
6
图2.导通电阻变化与门
电压和漏极电流
V
GS
=4.0V
4 .5
V
GS
= 10V
I
D
，漏源电流（A ）
2
9.0
8.0
7.0
6.0
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
5
5 .0
6 .0
1 .5
4
7 .0
3
1
5.0
8 .0
9 .0
10
0 .5
4.0
3.0
0
1
2
3
V
DS
，漏源电压（V ）
4
5
2
0
1
0
0 .4
0 .8
1 .2
I
D
， DRA电流（ A）
1 .6
2
图3.导通电阻变化
随温度
6.0
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度
6
V
GS
= 10V
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
漏源导通电阻
5
5.0
I
D
= 250米
R
DS （ ON）
归一化
R
DS （ ON）
归一化
T
J
= 1 2 5 °C
4
4.0
3.0
3
25°C
2
2.0
-55°C
1
1.0
0
-5 0
-2 5
0
25
50
75
100
T，结牛逼EMPERATURE （ ° C）
J
125
150
0
0
0 .4
0 .8
1 .2
I
D
，漏电流（ A）
1 .6
2
图5.传输特性
2
1 .1
V
th
归一化
门源阈值电压
图6.门阈值变化与
温度
V
DS
= V
GS
I
D
= 1毫安
V
DS
= 10V
1.6
I
D
，漏电流（ A）
T J = -55°C
25°C
125°C
1 .0 5
1
1.2
0 .9 5
0.8
0 .9
0.4
0 .8 5
0
0
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
0 .8
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结tem温度（ ° C）
125
150
额定值特性曲线（ 2N7002PT ）
典型电气特性
（续）
图7.击穿电压变化
随温度
1.1
图8.体二极管正向电压
变化与漏电流
2
1
漏源BREAKDO
WN电压
I
D
= 250A
I
S
，反向漏电流（ A）
1.075
1.05
1.025
1
0.975
0.95
0.925
-50
V
GS
= 0 V
BV
DSS
归一化
0 .5
TJ = 1 2 5℃
0 .1
0 .0 5
25°C
-5 5 ° C
0 .0 1
0 .0 0 5
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结tem温度（ ° C）
125
150
0 .0 0 1
0 .2
0 .4
V
SD
0 .6
0 .8
1
1 .2
1 .4
，体二极管正向电压（ V）
图9.电容特性
60
1.0
图10.栅极电荷特性
国际空间站
20
V
GS
，栅源电压（V ）
40
V
DS
= 3 0 V
.8
电容（pF）
10
.6
OSS
5
.4
2
F = 1 MH
V
GS
= 0V
RSS
30
50
.2
I
D
= 2 5 0为m的
1
1
2
V
DS
3
5
10
20
，漏源极电压（ V）
0
0
0 .1
0 .2
0 .3
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0 .4
0.5
图11 。
图12.开关波形
V
DD
t
D（上）
t
on
t
r
90%
t
关闭
t
D（关闭）
90%
t
f
V
IN
D
R
L
V
OUT
DUT
输出时，VOUT
V
GS
10%
10%
90%
R
根
倒
G
输入，输入电压
S
10%
50%
50%
脉冲宽度
额定值特性曲线（ 2N7002PT ）
典型电气特性
（续）
图13. 2N7002PT最大安全工作区
3
2
I
D
，漏电流（ A）
1
RDS
LIM它
（上）
100
us
1m
s
0.5
10m
s
0.1
0.05
V
GS
= 10V
单脉冲
10s
DC
1s
100
ms
0.01
0.005
1
T
A
= 25° C
2
5
10
V
DS
，漏源电压（V ）
20
30
60
80
图14. 2N7002PT瞬态热响应曲线
1
瞬态热阻
0.5
0.2
0.1
0.05
D = 0.5
0 .2
0.1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
P（ PK）
R（T ） ，规范有效
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= （查看数据表）
0.01
单脉冲
t
1
t
2
0.002
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
100
300
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